雷卯推出更适合5G应用的可回扫ESD
2019年是全球的5g元年，相比4g线路程控设备，bbu onu 基站等，5g信号的传输速度更快，ic的敏感度更高，在电磁兼容的静电防护需求就提升到了一个更高的高度。
可回扫esd以往在普通ic种发挥不了很大的应用区别，但目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电esd的回扫特性（snap back）。
那什么是静电器件的回扫特性呢？
1. 普通esd和回扫esd曲线对比
可以对比下以下2张图片。
图一 普通esd的特性曲线
图二 snapback 回扫特性曲线esd 曲线
图三 回扫esd的特性参数
从以上图片的区别看出，回扫esd最大的特点是在vt 触发电压之后，芯片会在瞬间降低esd两端的钳位电压，这个电压vh范围在工作电压和触发电压之间，然后在随着电流的增大，而电压逐步增加。
2. 为什么要用回扫esd？
要知道将esd做到回扫功能，在设计上是需要增加很多工作和芯片面积的，功能的需求来自于目前应用更广的智能设备（smart devices）。
众所周知，esd器件的保护功能是产品在esd或eos发生时，瞬间导通本体，电流流过倒到gnd，然后同时降vc钳位，保证vc小于后端ic的安全电压阈值。
那么问题来了，目前ic的开发精度越来越高，做到ic的功能越来越强，体积越来越小，并且追求功耗，所以我们会发先ic的工作电压和失效电压间隔很小，而ic本体的静电能力还会被抛弃到只保护自己在生产运输过程的安全esd电压200v左右。
这就让本高高在上的回扫esd发挥功能的时候到了，回扫esd的特性就是在同样ipp电流的情况下，vc钳位电压比常规的esd器件低30%以上，极大的保证了被保护ic乃至整个电路的安全。
3. 回扫esd的规格参数
uslc3311d3 参数
leiditech uslc3311d3为目前批量出货的回扫esd，主要用于网口、或3.3v的高速ic 静电保护。
1. esd选型的几个误区
a) 电容越小越好吗？
错，适合的才是最好的，每种ic都有通信速率，不要非追求最低电容，电容大产品功率难做大，而且成本价格会高很多，批量产品一定根据通信速率选择合适的，雷卯有通信接口推荐esd表格，可以根据通信协议选择最适合的，保证了性能和成本。
b) 功率越大越好吗？
错，普通esd可以说功率越大约好，但现在回扫esd批量出货后，会发先回扫esd功率都不大，为什么？
功率w=ipp*vc 我们特意将vc降低，保证ic安全，所以功率降低了，但产品性能和价格却比同样ipp，vc大的产品都高多了。
c) esd标示的静电级别，可以保证整机过吗？
错，esd器件本身会进行静电放电测试，规格书保证的是自己的静电保护性能，而整机性能不单单取决于esd器件，还涉及到器件放置位置，pcb布线，后端ic等诸多因素。
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图二 snapback 回扫特性曲线esd 曲线
图三 回扫esd的特性参数
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2. 为什么要用回扫esd？
要知道将esd做到回扫功能，在设计上是需要增加很多工作和芯片面积的，功能的需求来自于目前应用更广的智能设备（smart devices）。
众所周知，esd器件的保护功能是产品在esd或eos发生时，瞬间导通本体，电流流过倒到gnd，然后同时降vc钳位，保证vc小于后端ic的安全电压阈值。
那么问题来了，目前ic的开发精度越来越高，做到ic的功能越来越强，体积越来越小，并且追求功耗，所以我们会发先ic的工作电压和失效电压间隔很小，而ic本体的静电能力还会被抛弃到只保护自己在生产运输过程的安全esd电压200v左右。
这就让本高高在上的回扫esd发挥功能的时候到了，回扫esd的特性就是在同样ipp电流的情况下，vc钳位电压比常规的esd器件低30%以上，极大的保证了被保护ic乃至整个电路的安全。
3. 回扫esd的规格参数
uslc3311d3 参数
leiditech uslc3311d3为目前批量出货的回扫esd，主要用于网口、或3.3v的高速ic 静电保护。
1. esd选型的几个误区
a) 电容越小越好吗？
错，适合的才是最好的，每种ic都有通信速率，不要非追求最低电容，电容大产品功率难做大，而且成本价格会高很多，批量产品一定根据通信速率选择合适的，雷卯有通信接口推荐esd表格，可以根据通信协议选择最适合的，保证了性能和成本。
b) 功率越大越好吗？
错，普通esd可以说功率越大约好，但现在回扫esd批量出货后，会发先回扫esd功率都不大，为什么？
功率w=ipp*vc 我们特意将vc降低，保证ic安全，所以功率降低了，但产品性能和价格却比同样ipp，vc大的产品都高多了。
c) esd标示的静电级别，可以保证整机过吗？
错，esd器件本身会进行静电放电测试，规格书保证的是自己的静电保护性能，而整机性能不单单取决于esd器件，还涉及到器件放置位置，pcb布线，后端ic等诸多因素。
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