格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台
中国上海，2015年7月14日格罗方德半导体（globalfoundries）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22fdx™”平台提供的性能和功耗媲美finfet，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、rf连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维finfet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22fdx 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术（fd-soi）工艺，为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundry finfet工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。
格罗方德半导体首席执行官sanjay jha表示：“22fdx平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能：系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外，针对联网应用中的射频和模拟集成，该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”
22fdx采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的半导体晶圆厂的持续投资之上，掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿为22fdx平台投入了2.5亿美元，用于技术研发和启动22fdx的生产，从而将公司自2009年以来对fab 1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德半导体正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作，以便为22fdx建设一个强大的生态系统，缩短产品上市时间，并为其制定一个全面的路线图。
格罗方德半导体的22fdx平台实现了用软件控制晶体管特性，能够实时平衡静态功耗、动态功耗和性能。22fdx平台由一系列面向不同应用的差异化产品构成：
· 22fd-ulp：对于主流低成本智能手机市场，基础版超低功耗产品提供了finfet的替代方案。与0.9伏的28nm hkmg相比，22fx-ulp通过采用体偏压技术，将功耗效率提升70%以上，提供了可媲美finfet的功耗和性能。对于某些物联网和消费类应用，该平台在优化后可工作于0.4v的电压，在功耗效率上比28nm hkmg提升了90%。
· 22fd-uhp：对于集成模拟的联网应用，22fd-uhp产品在优化后，可实现与finfet相同的超高性能，同时最大程度减少能耗。22fd-uhp定制化功能包括正向体偏压、应用优化的金属堆栈，以及支持0.95v的加压。
· 22fd-ull：面向可穿戴和物联网市场的超低漏电产品，具备与22fx-ulp相同的低功耗能力，同时又将漏电电流降至1pa/um。较低的运行功耗、超低漏电和灵活的体偏压技术，这一组合使能耗大幅减少，从而为新型电池供电型可穿戴设备创造了条件。
· 22fd-rfa：射频模拟产品，可提高数据速率，减省50%的功耗，并降低系统成本，以满足lte-a蜂窝收发器、高阶mimo wifi整合型芯片、毫米波雷达等大容量rf应用的严格要求。rf活动设备后门功能可减少或消除rf信号路径上的复杂补偿电路，让rf设计人员能够更好地发挥设备内在的ft性能。
格罗方德半导体一直与主要客户和生态系统伙伴开展密切合作，研发更好的设计方法和一整套基本和复杂的知识产权（ip）。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（pdk），并将于2016下半年启动风险生产。
客户引言
stmicroelectronics 首席运营官jean-marc chery表示：“格罗方德半导体的fdx平台采用了一种先进的fd-soi晶体管结构，该结构是双方长期合作的结晶。fd-soi确认并增强了这种工艺的强劲发展势头，拓展了生态系统，并确保了一个大批量供货来源。fd-soi可满足物联网设备和其它功耗敏感型设备保持永远在线和实现低功耗的理想工艺。”
freescale 公司mcu事业群应用处理器与先进技术副总裁ron martino表示：“freescale的新一代i.mx 7系列应用处理器利用fd-soi晶体管结构实现了各种领先业界、面向汽车、工业和消费应用的超低功耗、按需提供性能的解决方案。格罗方德半导体的 22fdx平台让fd-soi的量产能力突破了28nm，并一直在降低成本、提高性能和优化功耗。”
arm实体ip设计事业部总经理will abbey表示：“移动设备和物联网设备互联的世界，依赖于在性能、功耗和成本上得到优化的soc。我们正与格罗方德半导体密切合作，提供用户所需的ip生态系统，让顾客从22fdx技术的独特价值中真正受益。”
verisilicon holdings co. ltd.总裁兼首席执行官wayne dai表示：“verisilicon拥有设计采用fd-soi工艺的物联网soc的经验，并且展示了fd-soi在打造超低功耗和低能耗应用方面的优势。我们期待与格罗方德半导体围绕其22fdx平台开展合作，推出各种面向智能手机、智能家庭、智能汽车和中国市场的功耗、性能和成本优化设计。”
imagination technologies营销执行副总裁tony king-smith表示：“可穿戴、物联网、移动和消费等新一代联网设备，需要在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的半导体解决方案。格罗方德半导体全新的22fdx工艺，结合imagination广泛的先进ip组合——包括powervr多媒体方案、mips cpu和ensigma通信解决方案等，将能有效协助彼此共同的客户推出更多差异化的创新产品。”
ibs， inc.创始人兼首席执行官handel jones表示：“fd-soi工艺可为可穿戴、消费、多媒体、汽车和其它应用提供一个多节点、低成本的路线图。格罗方德半导体的22fdx将最好的低功耗fd-soi工艺集成到一个低成本、需求有望强劲增长的平台上。”
cea-leti首席执行官marie noëllesemeria表示：“fd-soi可大幅提升性能，降低功耗，同时最大程度减少对现有设计及制造方法的调整。通过合作，我们将能采用成熟、便捷的设计及制造技术，成功生产出格罗方德半导体实现技术互联的22fdx平台。”
?soitec首席执行官paul boudre表示：“格罗方德半导体发布的这条新闻是打造新一代低功耗电子设备的一个重要里程碑。我们很高兴成为格罗方德半导体的战略合作伙伴。我们的超薄soi衬底已为22fdx投入量产做好一切准备。”
关于格罗方德半导体股份有限公司
格罗方德半导体股份有限公司（globalfoundries）是全球首家真正做到业务全球化且能够提供全方位服务的半导体晶圆代工厂。公司成立于2009年3月，之后规模迅速扩大，如今已发展成为全球最大的晶圆代工厂之一，为 250多家客户提供独一无二的先进技术和代工服务。格罗方德半导体在新加坡、德国和美国都设有工厂，是全球唯一一家在三大洲拥有生产中心，即能满足安全性又能满足灵活性的晶圆代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂可提供从主流到尖端的一系列工艺技术。公司业务遍及全球，并且还获得了美国、欧洲和亚洲半导体业务中心附近的几大研发机构和设计机构的大力支持。格罗方德半导体是穆巴拉达发展公司（mubadala）旗下子公司。更多信息，敬请访问：http://www.globalfoundries.com。
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虽然某些设备对三维finfet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22fdx 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术（fd-soi）工艺，为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundry finfet工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。
格罗方德半导体首席执行官sanjay jha表示：“22fdx平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能：系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外，针对联网应用中的射频和模拟集成，该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”
22fdx采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的半导体晶圆厂的持续投资之上，掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿为22fdx平台投入了2.5亿美元，用于技术研发和启动22fdx的生产，从而将公司自2009年以来对fab 1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德半导体正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作，以便为22fdx建设一个强大的生态系统，缩短产品上市时间，并为其制定一个全面的路线图。
格罗方德半导体的22fdx平台实现了用软件控制晶体管特性，能够实时平衡静态功耗、动态功耗和性能。22fdx平台由一系列面向不同应用的差异化产品构成：
· 22fd-ulp：对于主流低成本智能手机市场，基础版超低功耗产品提供了finfet的替代方案。与0.9伏的28nm hkmg相比，22fx-ulp通过采用体偏压技术，将功耗效率提升70%以上，提供了可媲美finfet的功耗和性能。对于某些物联网和消费类应用，该平台在优化后可工作于0.4v的电压，在功耗效率上比28nm hkmg提升了90%。
· 22fd-uhp：对于集成模拟的联网应用，22fd-uhp产品在优化后，可实现与finfet相同的超高性能，同时最大程度减少能耗。22fd-uhp定制化功能包括正向体偏压、应用优化的金属堆栈，以及支持0.95v的加压。
· 22fd-ull：面向可穿戴和物联网市场的超低漏电产品，具备与22fx-ulp相同的低功耗能力，同时又将漏电电流降至1pa/um。较低的运行功耗、超低漏电和灵活的体偏压技术，这一组合使能耗大幅减少，从而为新型电池供电型可穿戴设备创造了条件。
· 22fd-rfa：射频模拟产品，可提高数据速率，减省50%的功耗，并降低系统成本，以满足lte-a蜂窝收发器、高阶mimo wifi整合型芯片、毫米波雷达等大容量rf应用的严格要求。rf活动设备后门功能可减少或消除rf信号路径上的复杂补偿电路，让rf设计人员能够更好地发挥设备内在的ft性能。
格罗方德半导体一直与主要客户和生态系统伙伴开展密切合作，研发更好的设计方法和一整套基本和复杂的知识产权（ip）。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（pdk），并将于2016下半年启动风险生产。
客户引言
stmicroelectronics 首席运营官jean-marc chery表示：“格罗方德半导体的fdx平台采用了一种先进的fd-soi晶体管结构，该结构是双方长期合作的结晶。fd-soi确认并增强了这种工艺的强劲发展势头，拓展了生态系统，并确保了一个大批量供货来源。fd-soi可满足物联网设备和其它功耗敏感型设备保持永远在线和实现低功耗的理想工艺。”
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