Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件
littelfuse公司近期推出了首款1700v sic 器件，使其在碳化硅（sic）mosfet上的产品更加丰富。
在产品lsic1mo170e1000中已经将该公司早前已发布的1200v sic mosfet和肖特基二极管运用到其中。littelfuse公司表示，最终用户将由此获得更紧凑，更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。
littelfuse还表示，采用sic mosfet技术的高效率的特点为许多要求苛刻的应用（电动和混合动力汽车（ev / hev），数据中心和辅助电源）提供了多种优势。与类似额定硅绝缘栅双极晶体管（igbt）相比，lsic1mo170e1000 sic mosfet 可实现系统级优化，包括提高效率，增加功率密度，降低冷却要求以及可能降低系统级成本。
据称，与市场上其他业界领先的sic mosfet器件相比，该sic mosfet在所有方面都具有更好的性能。lsic1mo170e1000的典型应用包括：太阳能逆变器; 开关电源（smps）和不间断电源（ups）; 电机驱动; 高压dc / dc转换器; 和感应加热。
“该产品可以改善现有应用，littelfuse所开发应用可支持网络，这可以在新的设计项目上有所帮助，”littelfuse半导体业务部门power semiconductors全球产品营销经理michael ketterer说。“sic mosfet为传统的硅基功率晶体管器件提供了更优的替代方案。与类似额定值的igbt相比，mosfet器件结构可实现更低的周期开关损耗和更高的轻载效率，“他补充道。“固有的材料特性允许sic mosfet在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面超过其si mosfet对应物。”
新型1700v，1ωsicmosfet具有以下优点：
1、针对高频，高效应用进行了优化;
2、极低的栅极电荷和输出电容;
3、用于高频开关的低栅极电阻。
lsic1mo170e1000 sic mosfet采用to-247-3l封装，管材数量为450。样品要求可通过全球授权的littelfuse经销商提供。
littelfuse公司
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1、针对高频，高效应用进行了优化;
2、极低的栅极电荷和输出电容;
3、用于高频开关的低栅极电阻。
lsic1mo170e1000 sic mosfet采用to-247-3l封装，管材数量为450。样品要求可通过全球授权的littelfuse经销商提供。
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