DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件
对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。nexperia新发布的小信号mosfet采用超小型dfn0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间
新一代智能手机、智能手表/健身跟踪器、耳塞和gps跟踪器继续拓展着科技的边界。当然，它们都有一个共同点，空间有限，很难容纳消费者想要的所有功能，并且还需要更长的电池续航能力。为了与可穿戴设备的新发明保持一致，设计者一直在努力寻找满足每种功能的高效解决方案。
低导通电阻的超小型mosfet
在一系列低电压开关方面，小信号mosfet是理想的选择，nexperia新推出的pmh系列20/30 v、n沟道和p沟道器件，在超小型dfn0606中处于领先地位。它们可在0.62 x 0.62 mm占位面积中实现低导通电阻。凭借这些器件中使用的先进工艺技术，rdson方面可以轻松地在更大的封装（dfn0806和dfn1006）中与许多器件竞争。
除了低导通电阻，它们还提供出色的esd性能，并且仅需 0.7 v 的阈值电压即可工作，这对于低驱动电压的便携式产品应用至关重要。nexperia的dfn0606产品组合也具有与dfn1006封装相同的0.35 mm间距，简化了设计和制造，同时具备高性能和空间优势。凭借我们大批量生产制造能力，可以快速扩产，尽可能满足市场需求。
dfn0606超小型封装
人气旧款已经焕然一新
除pmh系列之外，nexperia还将发布采用dfn0606封装的nx7002bk。这款超小型封装久经实践证明60 v、n沟道trench mosfet，使设计人员可以选择在各种占位空间和封装形式中实现相同的性能。从引脚sot23、sot323和sot363到分立式扁平无引脚dfn1010、dfn1006和dfn0606。
dfn0606 mosfet概览
封装 dfn0606-3
尺寸(mm) 0.62 x 0.62 x 0.37
极性 vds
(v) vgs
(v) vgsth
最小值
(v) vgsth
最大值
(v) esd保护(kv) 导通电阻典型值(mω)
(vgs = 4.5 v)
n 20 8 0.45 0.95 1.8 260 pmh260une
0.45 0.95 1 470 pmh600une
30 8 0.45 0.95 1.7 400 pmh400une
0.45 0.95 2 550 pmh550une
60 20 1.1 2.1 2 2100 nx7002bkh
p 20 8 0.45 0.95 1.8 550 pmh550upe
0.45 0.95 1 1000 pmh950upe
30 8 0.45 0.95 1.8 850 pmh850upe
10 0.45 0.95 2
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封装 dfn0606-3
尺寸(mm) 0.62 x 0.62 x 0.37
极性 vds
(v) vgs
(v) vgsth
最小值
(v) vgsth
最大值
(v) esd保护(kv) 导通电阻典型值(mω)
(vgs = 4.5 v)
n 20 8 0.45 0.95 1.8 260 pmh260une
0.45 0.95 1 470 pmh600une
30 8 0.45 0.95 1.7 400 pmh400une
0.45 0.95 2 550 pmh550une
60 20 1.1 2.1 2 2100 nx7002bkh
p 20 8 0.45 0.95 1.8 550 pmh550upe
0.45 0.95 1 1000 pmh950upe
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