高速trr SJ-MOSFET：PrestoMOS™系列
上一章基于rohm的sj-mosfet产品阵容，以标准an系列、低噪声en系列、高速kn系列为例介绍了sj-mosfet的特征。本章将以sj-mosfet的trr速度更高的prestomos™的两个系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。
高速trr sj-mosfet： prestomos fn系列
prestomos是具备sj-mosfet的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的rohm sj-mosfet。prestomos的fn系列与标准型an系列相比，trr速度提高至约1/5。同时，反向恢复电流irr也降低至约1/3。这些特性的提升可大大降低开关损耗。顺便提一下，prestomos的“presto”是源于表示“急板”的音乐速度用语。
开发旨在trr高速化的fn系列，是为了使逆变器电路和电机驱动器电路的损耗更低，并通过免除外置二极管从而使元器件数量更少、电路规模更小。一般这类电路是由mosfet或igbt与二极管组合构成的。与二极管组合的原因是为了抑制mosfet和igbt的内部二极管trr间产生的换流损耗，通常需要2个外置快速恢复二极管（以下简称“frd”）。
从电流路径的角度看，无需这些外置frd，但由于mosfet的内部二极管trr不是很快，因而其间的反向电流irr成为较大损耗。为了阻止这种irr，同时为了确保逆变器电路等的再生电流的高速路径，需要2个frd。
这样一来，添加frd必然会使元器件数量增加，而且mosfet导通时的漏极电流（id）路径中也因添加frd而导致损耗增加。
prestomos通过实现内部二极管trr的高速化，无需使用这2个frd也可用最低的损耗实现电路工作。由于不再需要2个frd，损耗也更低，还可实现小型化和高效化。
下图是一般的功率调节器（逆变器）电路和电机驱动器电路的功率段的示意图和损耗比较数据。
在功率调节器电路中，比较了使用prestomos时的损耗和传统的mosfet与frd组合的损耗。使用prestomos时，削减了vf比frd低的这部分的再生损耗。
在电机驱动器电路例中，与igbt的比较中，在id低的范围由于vce（mosfet则是vds）低故该范围的损耗变小。以家电为对象的情况下，绝大多数在mosfet的优势范围使用，因而功耗削减备受期待。
导通电阻和栅极容量更低的prestomos mn系列
mn系列的导通电阻和栅极总电荷量比trr高速化的fn系列更低。如下图所示，a・ron降低32%、ron・qg降低59%。这是以进一步改善逆变器电路等的效率为目标开发的系列。
最后给出这2个系列相关的技术信息链接。要想更深入了解产品，需要确认技术规格的规格值和特性图表，这一点是很重要的。
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从电流路径的角度看，无需这些外置frd，但由于mosfet的内部二极管trr不是很快，因而其间的反向电流irr成为较大损耗。为了阻止这种irr，同时为了确保逆变器电路等的再生电流的高速路径，需要2个frd。
这样一来，添加frd必然会使元器件数量增加，而且mosfet导通时的漏极电流（id）路径中也因添加frd而导致损耗增加。
prestomos通过实现内部二极管trr的高速化，无需使用这2个frd也可用最低的损耗实现电路工作。由于不再需要2个frd，损耗也更低，还可实现小型化和高效化。
下图是一般的功率调节器（逆变器）电路和电机驱动器电路的功率段的示意图和损耗比较数据。
在功率调节器电路中，比较了使用prestomos时的损耗和传统的mosfet与frd组合的损耗。使用prestomos时，削减了vf比frd低的这部分的再生损耗。
在电机驱动器电路例中，与igbt的比较中，在id低的范围由于vce（mosfet则是vds）低故该范围的损耗变小。以家电为对象的情况下，绝大多数在mosfet的优势范围使用，因而功耗削减备受期待。
导通电阻和栅极容量更低的prestomos mn系列
mn系列的导通电阻和栅极总电荷量比trr高速化的fn系列更低。如下图所示，a・ron降低32%、ron・qg降低59%。这是以进一步改善逆变器电路等的效率为目标开发的系列。
最后给出这2个系列相关的技术信息链接。要想更深入了解产品，需要确认技术规格的规格值和特性图表，这一点是很重要的。
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