SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T
·推出lpddr5x后，仅隔两个月成功开发出速度提高13%的新产品，兼具高速度和低功耗
·采用hkmg工艺实现性能的极大化
·“不断加紧超前的技术开发，将成为it领域的游戏规则改变者”
1月25日， sk海力士宣布，公司成功开发出当前速度最快的移动dram（内存）“lpddr5t(low power double data rate 5 turbo)”，并已向客户提供了样品。
继sk海力士在去年11月推出的移动dram lpddr5x*，将其性能提升成功开发出了lpddr5t。本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6gbps（gb/s）。公司为了强调其超高速度特性，命名时在规格名称“lpddr5”上加以“turbo（涡轮增压）”作为了后缀。
* lpddr（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的dram规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“lp（low power，低功耗）”，最新规格为第七代lpddr（5x），按1-2-3-4-4x-5-5x的顺序开发而成。lpddr5t是sk海力士业界首次开发的产品，是第八代lpddr6正式问世之前，将第七代lpddr（5x）性能进一步升级的产品。
同时，lpddr5t在国际半导体标准化组织(jedec)规定的最低电压1.01~1.12v（伏特）下运行。公司强调本次产品兼具了高速度和低功耗的特性。
sk海力士表示：“公司推出每秒8.5gb速度的lpddr5x后，仅隔两个月再次突破了技术局限。今后将供应客户所需求的多种容量产品，进一步巩固移动dram市场的主导权。”
公司近期向客户提供了将lpddr5t芯片组合为16gb(千兆)容量的封装样品。该样品的数据处理速度可达每秒77gb，相当于每秒处理15部全高清（full-hd）电影。
sk海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外，sk海力士在本次产品中也采用了“hkmg（high-k metal gate）”*工艺。公司表示：“本次产品通过采用hkmg工艺技术实现了最佳性能表现。坚信在下一代lpddr6问世之前，大幅拉开技术差距的lpddr5t将主导该市场。”
* hkmg（high-k metal gate）：在dram晶体管内的绝缘膜上采用高k栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。sk海力士去年11月在移动dram上全球首次采用了hkmg工艺。
it行业预测，今后在智能手机5g时代，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存储器需求将会增长。在这种趋势下，sk海力士期待lpddr5t的应用范围不仅限于智能手机，还将扩展到人工智能(ai)、机器学习(machine learning)、增强/虚拟现实(ar/vr)。
sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：“公司通过本次新产品的开发，提前满足了客户对高速度产品的需求。今后也将致力于开发引领新一代半导体市场的超前技术，成为it领域的游戏规则改变者。”
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继sk海力士在去年11月推出的移动dram lpddr5x*，将其性能提升成功开发出了lpddr5t。本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6gbps（gb/s）。公司为了强调其超高速度特性，命名时在规格名称“lpddr5”上加以“turbo（涡轮增压）”作为了后缀。
* lpddr（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的dram规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“lp（low power，低功耗）”，最新规格为第七代lpddr（5x），按1-2-3-4-4x-5-5x的顺序开发而成。lpddr5t是sk海力士业界首次开发的产品，是第八代lpddr6正式问世之前，将第七代lpddr（5x）性能进一步升级的产品。
同时，lpddr5t在国际半导体标准化组织(jedec)规定的最低电压1.01~1.12v（伏特）下运行。公司强调本次产品兼具了高速度和低功耗的特性。
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公司近期向客户提供了将lpddr5t芯片组合为16gb(千兆)容量的封装样品。该样品的数据处理速度可达每秒77gb，相当于每秒处理15部全高清（full-hd）电影。
sk海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外，sk海力士在本次产品中也采用了“hkmg（high-k metal gate）”*工艺。公司表示：“本次产品通过采用hkmg工艺技术实现了最佳性能表现。坚信在下一代lpddr6问世之前，大幅拉开技术差距的lpddr5t将主导该市场。”
* hkmg（high-k metal gate）：在dram晶体管内的绝缘膜上采用高k栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。sk海力士去年11月在移动dram上全球首次采用了hkmg工艺。
it行业预测，今后在智能手机5g时代，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存储器需求将会增长。在这种趋势下，sk海力士期待lpddr5t的应用范围不仅限于智能手机，还将扩展到人工智能(ai)、机器学习(machine learning)、增强/虚拟现实(ar/vr)。
sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：“公司通过本次新产品的开发，提前满足了客户对高速度产品的需求。今后也将致力于开发引领新一代半导体市场的超前技术，成为it领域的游戏规则改变者。”
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