功率MOSFET设计–功耗计算
功耗是传导损耗和开关损耗的总和，传导损耗也称为静态损耗。另一方面，开关损耗也称为动态损耗。总mosfet功率损耗为：
pdiss = pconduction +pswitching
需要注意的是：当在不执行连续开关的电路中使用mosfet时，也就是mosfet常开或常闭，并非在pwm模式工作，此时仅考虑传导损耗即可。
pconduction = idrain x rdson x idrain
其中pconduction表示传导损耗，idrain表示是漏极电流，rdson是漏极到源极的导通电阻。
pswitching = pgatecharge + pcoss + ptrise_tfall
pgatecharge = 0.5 x qgtotal x vgate x fsw
pcoss = 0.5 x coss x vdrain 2 x fsw
ptrise_tfall = 0.5 x (trise + tfall) x idrain x vgate x fsw
其中：
pswitching是开关损耗；
pgatecharge是mosfet导通期间的功率损耗；
pcoss –是由于输出动态电容引起的功率损耗；
ptrise_tfall –是由于mosfet漏极电压的上升和下降时间造成的功率损耗
qgtotal –是规格书中给出的总栅极电荷
vgate –是施加的栅源电压
fsw –是开关频率
coss –是输出动态电容
vdrain –是最大漏极电压电平
trise –漏极电压的上升时间
tfall –漏极电压的下降时间
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pcoss –是由于输出动态电容引起的功率损耗；
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