一朝跌回两年前,闪存价格经历了大起大落的行情,现在入手u盘、硬盘不要太划算,不过,后面可能更便宜?在技术迭代,原厂持续扩产,长存加入战局的情形下,闪存市场的走势如何?
nand flash价格在经历2年涨价的时期后,2018年回归理性,截至到10月初,2018年nand flash价格指数已累积下滑高达57%,nand flash每gb价格下探至0.1美金,基本已回到了2016年涨价前的价格水平。
近期,即使在传统的q3旺季,也依然未能扭转nand flash价格下滑的颓势,中国闪存市场chinaflashmarket预计,受传统淡季需求减弱的影响,q4 nand flash价格可能依然持续下滑的趋势。
2018年以来,由于nand flash价格持续下滑且跌幅超乎预期,相较于2016年和2017年nand flash涨价时期,部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响,再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、sk海力士等不仅3d技术快速迭代,而且加码投资新建工厂,同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下,部分市场业内人士纷纷看衰nand flash产业。中国闪存市场chinaflashmarket认为,nand跌价是价格冲高回落的自然现象,不必过于担忧。
近5年nand flash综合价格指数走势
数据来源:中国闪存市场www.chinaflashmarket.com,数据截止至2018年10月15日
2018年nand价格“折腰”, 2019年跌势难改,都是3d技术推进的必然走向
nand flash价格走势是由市场供需决定的,2016年和2017年由于处于原厂2d nand向3d nand切换的空窗期,使得nand flash供应减少,而需求端智能型手机和ssd容量需求依然在增长,导致市场供不应求,同时nand flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3d nand产出量,目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3d nand占比已达到80%,美光甚至可以达到90%,3d nand产能增加,导致市场供过于求。
中国闪存市场chinaflashmarket进一步分析,以目前主流的64层3d nand技术为例,一片wafer晶圆(12英寸)大约可以切割出1000颗256gbit的die。相较于1znm工艺2d技术所切割出的600多颗128gbit的die,不仅容量翻倍,单颗die的总数更是增加了60%,这是导致nand flash相关产品价格下滑的主要因素。
展望2019年,在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、sk海力士等均已发布了其新一代96层3d nand技术,且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划,预计96层3d nand将在2019上半年规模化量产。据了解,96层3d nand由于初期良率较低,相较于64层3d nand没有成本优势,但随着良率的不断提高,成本优势将逐渐显现,中国闪存市场chinaflashmarket预计2019年nand flash价格将会进一步下滑。
wafer晶圆产能分析
数据来源:中国闪存市场
国际原厂nand拼扩产,dram保守以待,如何解读存储市场行情?
2018年新一轮nand扩产开始,三星除了fab18这个大型工厂外,还开始新建西安工厂二期工程,东芝除了新工厂fab6开始投产96层3d nand,又新建fab 7,sk海力士m15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3d nand,还有美光新建的fab10三期工厂。另外,长江存储武汉基地也开始逐步生产,满载产能可达到15万片/月。
根据规划,各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。nand flash产能大幅度增加,一是填补2016年和2017年市场供应的缺口,二是为了新一代96层3d技术投产,满足智能型手机和ssd对大容量不断增长的需求。
国际原厂新工厂投产情况
数据来源:中国闪存市场
反观dram市场,相较于nand flash产业不断增加的产能,三星、美光、sk海力士三大原厂对dram增产持保守态度,三星、美光、sk海力士受惠于两年持续走高的dram价格,营收和获利持续走高,所以各家都不急于扩建dram工厂,以免产能过剩导致价格惨跌,影响获利。市场数据反馈dram在服务器、pc和智能手机的应用没有太大的增幅,而dram工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm,增加40%的产能。三星原定每月增产dram计划已延期,同时为避免dram价格下滑,计划下修2019年2成的dram投资额,sk海力士也推迟了dram扩产计划。但是dram的压力还是与日俱增,形成dram堰塞湖。
nand和dram两行情与市场需求有关,首先dram在智能型手机上的平均lpddr容量3.2gb,而nand flash平均需求则超过80gb;其次pc出货持续萎缩,又遇英特尔处理器缺货,dram标配4gb,高配也仅16gb,而pc搭载的ssd容量则在240gb以上,第三:在服务器市场,ibm、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星z-nand来满足大数据存储需求,取代部分dram的应用。optane内存虽然有“内存”之名,但它并非是我们通常理解的dram内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘(包括hdd和ssd)进行加速。
3d xpoint的优势。按官方数据,3d xpoint的读写速度和寿命均为nand flash的1000倍,延迟是nand flash的千分之一,dram的10倍;存储密度则是内存的10倍。
智能手机和ssd主力市场合计消耗85%以上的产能,未来nand产业依然好光景
在国际原厂3d技术和产能增加的推动下,2018年nand flash存储密度预计将较2017年增长42%,达到2300亿gb当量。需求端,2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台,高端手机苹果、三星等旗舰机搭载flash容量由256gb向512gb提升,华为、oppo、vivo、小米等从64gb/128gb向128gb/256gb,甚至512gb容量转移,以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的nand产能。
2018年高端旗舰机容量成倍增加
ssd在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲,2018年全球ssd的出货量将达1.92亿台,相较于2017年增长22%。全球ssd市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%,尤其是企业级ssd,2018年平均容量已经达到2tb/台,仅企业级市场就消耗了25%的nand flash产能。2018年ssd与嵌入式产品合计消耗85%以上的nand flash产能,2019年仍然是主力需求市场。
全球ssd出货量增长走势(百万/台)
全球企业级ssd出货量增长走势(百万/台)
数据来源:中国闪存市场
ssd抢占的是hdd市场,ssd价格下滑是其成长的最大动力,尤其是在消费类市场,2016年和2017年因为nand flash缺货,ssd价格大幅上涨,同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来ssd价格持续下滑,目前价格已跌破2016年所创下的历史低点,其中240gb和480gb价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%,部分240gb价格已跌破30美金,也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240gb、480gb、960gb普及。
2018年1-10月240gb tlc ssd价格走势
2018年1-10月480gb tlc ssd价格走势
数据来源:中国闪存市场,数据截止至10月9日
在智能型手机和ssd需求带动下,nand flash产业呈现健康的发展趋势,而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起,将会产生更多的数据量,且要求高速、复杂的处理数据,对nand flash的需求不断增加。
当下nand flash价格下滑,更多的是对企业综合实力的考验,也会加速淘汰没有竞争力的企业,资源会向有竞争力的公司汇聚,2008年市场恶劣的时候,市场存储企业从几百家淘汰到几十家,现在的情况也是类似。
“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场,需求多样而多变,通过提高企业自身自主创新技术,充分理解本土客户需求,厚积薄发,实现企业的成长。
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