关于IGBT的特性
igbt，insulatedgatebipolartransistor，是一种复合全控电压驱动功率半导体器件由bjt（双极晶体管）和igfet（绝缘栅场效应晶体管）组成。它兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降的优点。gtr的饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流更大。mosfet的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt结合了以上两种器件的优点，驱动功率小，饱和电压降低。非常适合用于直流电压600v及以上的变流系统，如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动等领域。
igbt模块是由igbt（绝缘栅双极晶体管）和fwd（续流二极管）通过特定的电路桥封装而成的模块化半导体产品。封装后的igbt模块直接应用于逆变器、ups不间断电源等设备。igbt模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。一般igbt也指igbt模块。随着节能环保等理念的推进，此类产品将在市场上越来越普遍。igbt是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“cpu”，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。
igbt的特性
1、静态 vi 特性
下图显示了 n 沟道 igbt 的静态 vi 特性以及标有参数的电路图，该图与 bjt 的图相似，只是图中保持恒定的参数是 vge，因为 igbt 是电压控制器件，而 bjt 是电流控制器件。
igbt的静态特性图
当 igbt 处于关闭模式时（vce为正且 vge 《 vget），反向电压被 j 2 阻断，当它被反向偏置时，即 vce为负，j 1 阻断电压。
2、开关特性
igbt 是电压控制器件，因此它只需要一个很小的电压到栅极即可保持导通状态。
由于是单向器件， igbt 只能在从集电极到发射极的正向切换电流。igbt的典型开关电路如下所示，栅极电压 vg施加到栅极引脚以从电源电压 v+ 切换电机 （m）。电阻 rs 大致用于限制通过电机的电流。
igbt的典型开关电路图
下图显示了igbt 的典型开关特性。
igbt 的典型开关特性
导通时间（ t on）：通常由延迟时间 （t dn ） 和上升时间 （t r ） 两部分组成。
延迟时间 （t dn ）：定义为集电极电流从漏电流 ice上升到 0.1 ic（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 vce下降到 0.9vce的时间。
上升时间 （t r ）：定义为集电极电流从 0.1 ic上升到 ic以及集电极-发射极电压从 0.9v ce下降到 0.1 vce的时间。
关断时间（ t off）：由三个部分组成，延迟时间 （t df ）、初始下降时间 （t f1 ） 和最终下降时间 （t f2 ）。
延迟时间 （t df ）：定义为集电极电流从 i c下降到 0.9 i c并且 v ce开始上升的时间。
初始下降时间 （t f1 ）：是集电极电流从 0.9 i c下降到 0.2 i c并且集电极发射极电压上升到 0.1 v ce的时间。
最终下降时间 （t f2 ）：定义为集电极电流从 0.2 i c下降到 0.1 i c并且 0.1v ce上升到最终值 v ce的时间。
关断时间公式
导通时间公式
3、输入特性
下图可以理解igbt的输入特性。开始，当没有电压施加到栅极引脚时，igbt 处于关闭状态，没有电流流过集电极引脚。
当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时，igbt 开始导通，集电极电流 i g开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加，如下图所示。
igbt的输入特性图
4、输出特性
由于 igbt 的工作依赖于电压，因此只需要在栅极端子上提供极少量的电压即可保持导通。
igbt 与双极功率晶体管相反，双极功率晶体管需要在基极区域有连续的基极电流流动以保持饱和。igbt 是单向器件，这意味着它只能在“正向”（从集电极到发射极）开关。
igbt 与具有双向电流切换过程的 mos 管正好相反。mos管正向可控，反向电压不受控制。
在动态条件下，当 igbt 关闭时， 可能会经历闩锁电流，当连续导通状态驱动电流似乎超过临界值时，这就是闩锁电流。
此外，当栅极-发射极电压低于阈值电压时，会有少量漏电流流过 igbt ，此时，集电极-发射极电压几乎等于电源电压，因此，四层器件 igbt 工作在截止区。
igbt 的输出特性图
开igbt 的输出特性分为三个阶段：
第一阶段：当栅极电压 vge 为零时，igbt 处于关断状态，这称为截止区。
第二阶段：当 vge 增加时，如果它小于阈值电压，那么会有很小的漏电流流过 igbt ，但i gbt 仍然处于截止区。
第三阶段：当 vge增加到超过阈值电压时，igbt 进入有源区，电流开始流过 igbt 。如下图所示，电流将随着电压 vge的增加而增加。
资本大举“元宇宙概念”，是机会还是泡沫？
如何在电脑上玩转华为 VR Glass
一种人工智能系统可以很好地治疗严重的心脏病
回顾海峡两岸半导体产业合作发展的介绍和说明
详细解析指针式万用电表使用方法及注意事项
关于IGBT的特性
将MCP4921与PIC16F877A接口进行数模转换的方法
“芯荒”烧到路由器 网通芯片全面缺货
人体对电流的反应
Vishay新款850nm红外发射器VSLY5850
国产设计日益增强，300块的无人机也能玩出花样来！
远鉴科技用生物识别技术开启智慧安防之门
大功率电机控制器硬件在环系统仿真测试
电感测微仪主要的技术指标_电感测微仪硬件特点
2018区块链、大数据、物联网三大板块中国进入下一个“造富时代”，先睹为快！
电池将开拓清洁能源的未来（后篇）
苹果高管诠释新iPad电池问题:寿命不受影响
卷积神经网络是实现深度学习的重要方法之一
带定时器的星三角控制电路图
思必驰携手博纳时代助力亚洲金融协会打造高效国际会议
igbt模块是由igbt（绝缘栅双极晶体管）和fwd（续流二极管）通过特定的电路桥封装而成的模块化半导体产品。封装后的igbt模块直接应用于逆变器、ups不间断电源等设备。igbt模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。一般igbt也指igbt模块。随着节能环保等理念的推进，此类产品将在市场上越来越普遍。igbt是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“cpu”，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。
igbt的特性
1、静态 vi 特性
下图显示了 n 沟道 igbt 的静态 vi 特性以及标有参数的电路图，该图与 bjt 的图相似，只是图中保持恒定的参数是 vge，因为 igbt 是电压控制器件，而 bjt 是电流控制器件。
igbt的静态特性图
当 igbt 处于关闭模式时（vce为正且 vge 《 vget），反向电压被 j 2 阻断，当它被反向偏置时，即 vce为负，j 1 阻断电压。
2、开关特性
igbt 是电压控制器件，因此它只需要一个很小的电压到栅极即可保持导通状态。
由于是单向器件， igbt 只能在从集电极到发射极的正向切换电流。igbt的典型开关电路如下所示，栅极电压 vg施加到栅极引脚以从电源电压 v+ 切换电机 （m）。电阻 rs 大致用于限制通过电机的电流。
igbt的典型开关电路图
下图显示了igbt 的典型开关特性。
igbt 的典型开关特性
导通时间（ t on）：通常由延迟时间 （t dn ） 和上升时间 （t r ） 两部分组成。
延迟时间 （t dn ）：定义为集电极电流从漏电流 ice上升到 0.1 ic（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 vce下降到 0.9vce的时间。
上升时间 （t r ）：定义为集电极电流从 0.1 ic上升到 ic以及集电极-发射极电压从 0.9v ce下降到 0.1 vce的时间。
关断时间（ t off）：由三个部分组成，延迟时间 （t df ）、初始下降时间 （t f1 ） 和最终下降时间 （t f2 ）。
延迟时间 （t df ）：定义为集电极电流从 i c下降到 0.9 i c并且 v ce开始上升的时间。
初始下降时间 （t f1 ）：是集电极电流从 0.9 i c下降到 0.2 i c并且集电极发射极电压上升到 0.1 v ce的时间。
最终下降时间 （t f2 ）：定义为集电极电流从 0.2 i c下降到 0.1 i c并且 0.1v ce上升到最终值 v ce的时间。
关断时间公式
导通时间公式
3、输入特性
下图可以理解igbt的输入特性。开始，当没有电压施加到栅极引脚时，igbt 处于关闭状态，没有电流流过集电极引脚。
当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时，igbt 开始导通，集电极电流 i g开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加，如下图所示。
igbt的输入特性图
4、输出特性
由于 igbt 的工作依赖于电压，因此只需要在栅极端子上提供极少量的电压即可保持导通。
igbt 与双极功率晶体管相反，双极功率晶体管需要在基极区域有连续的基极电流流动以保持饱和。igbt 是单向器件，这意味着它只能在“正向”（从集电极到发射极）开关。
igbt 与具有双向电流切换过程的 mos 管正好相反。mos管正向可控，反向电压不受控制。
在动态条件下，当 igbt 关闭时， 可能会经历闩锁电流，当连续导通状态驱动电流似乎超过临界值时，这就是闩锁电流。
此外，当栅极-发射极电压低于阈值电压时，会有少量漏电流流过 igbt ，此时，集电极-发射极电压几乎等于电源电压，因此，四层器件 igbt 工作在截止区。
igbt 的输出特性图
开igbt 的输出特性分为三个阶段：
第一阶段：当栅极电压 vge 为零时，igbt 处于关断状态，这称为截止区。
第二阶段：当 vge 增加时，如果它小于阈值电压，那么会有很小的漏电流流过 igbt ，但i gbt 仍然处于截止区。
第三阶段：当 vge增加到超过阈值电压时，igbt 进入有源区，电流开始流过 igbt 。如下图所示，电流将随着电压 vge的增加而增加。
资本大举“元宇宙概念”，是机会还是泡沫？
如何在电脑上玩转华为 VR Glass
一种人工智能系统可以很好地治疗严重的心脏病
回顾海峡两岸半导体产业合作发展的介绍和说明
详细解析指针式万用电表使用方法及注意事项
关于IGBT的特性
将MCP4921与PIC16F877A接口进行数模转换的方法
“芯荒”烧到路由器 网通芯片全面缺货
人体对电流的反应
Vishay新款850nm红外发射器VSLY5850
国产设计日益增强，300块的无人机也能玩出花样来！
远鉴科技用生物识别技术开启智慧安防之门
大功率电机控制器硬件在环系统仿真测试
电感测微仪主要的技术指标_电感测微仪硬件特点
2018区块链、大数据、物联网三大板块中国进入下一个“造富时代”，先睹为快！
电池将开拓清洁能源的未来（后篇）
苹果高管诠释新iPad电池问题:寿命不受影响
卷积神经网络是实现深度学习的重要方法之一
带定时器的星三角控制电路图
思必驰携手博纳时代助力亚洲金融协会打造高效国际会议