MOS管怎么选？——从电压、电流两方面考虑
mos管是电子制造的基本元件，在电路应用中必不可少，面对不同封装、不同特性的mos管时，选择到一款正确的mos管，不仅可以很好地控制生产制造成本，更重要的是，在为产品匹配了一款最恰当的元器件后，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的mos管，该如何选择呢？下面，我们就电压和电流两个方面入手，对mos管选型进行一些分析。
mos管的电压
一般情况下，产品的额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的很大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使mos管不会失效。
就选择mos管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的很大电压，即很大vds。由于mos管所能承受的很大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20v的mos管，fpga电源为20～30v的mos管，85～220vac应用时mos管vds为450～600v。
mos管的电流
确定完电压后，接下来要确定的就是mos管的电流。需根据电路结构来决定，mos管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的很大电流；与电压的情况相似，mos管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。
电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，mos管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的很大电流，只需直接选择能承受这个很大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mos管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。mos管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻rds(on)所确定，并伴随温度有显著变化。
器件的功率损耗ptron=iload2?rds(on)计算（iload：很大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mos管施加的电压vgs越高，rds(on)就会越小；反之rds(on)就会越高。
技术对器件的特性也有着重大影响，因为有些技术在提高很大vds（漏源额定电压）时往往会使rds(on)增大。对于这样的技术，如果打算降低vds和rds(on)，那么就得增加晶圆尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。
对mos管的选型但看着两个方面还是不够全面，但因为篇幅的原因金誉半导体今天先介绍到这里，下次再介绍其他方面对mos管选型的影响，在以上内容中其实也不难看出，温度的变化也在是非常重要的一环，其次还有开关性能、沟道选择等，我们下次再来。
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就选择mos管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的很大电压，即很大vds。由于mos管所能承受的很大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20v的mos管，fpga电源为20～30v的mos管，85～220vac应用时mos管vds为450～600v。
mos管的电流
确定完电压后，接下来要确定的就是mos管的电流。需根据电路结构来决定，mos管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的很大电流；与电压的情况相似，mos管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。
电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，mos管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的很大电流，只需直接选择能承受这个很大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mos管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。mos管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻rds(on)所确定，并伴随温度有显著变化。
器件的功率损耗ptron=iload2?rds(on)计算（iload：很大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mos管施加的电压vgs越高，rds(on)就会越小；反之rds(on)就会越高。
技术对器件的特性也有着重大影响，因为有些技术在提高很大vds（漏源额定电压）时往往会使rds(on)增大。对于这样的技术，如果打算降低vds和rds(on)，那么就得增加晶圆尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。
对mos管的选型但看着两个方面还是不够全面，但因为篇幅的原因金誉半导体今天先介绍到这里，下次再介绍其他方面对mos管选型的影响，在以上内容中其实也不难看出，温度的变化也在是非常重要的一环，其次还有开关性能、沟道选择等，我们下次再来。
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