三星电子DDR5 DRAM内存颗粒实现HKMG工艺大规模应用
据相关分析机构日前披露，三星电子向一家中国台湾内存条厂商芝奇（g.skill）提供了基于高k金属栅极（hkmg）技术的ddr5 dram内存颗粒。
▲ 三星电子hkmg ddr5 dram内部电路照片
该机构表示，目前已经在芝奇（g.skill）trident z5系列ddr5内存中发现了三星hkmg ddr5内存颗粒。该机构还预计hkmg将成为下一代dram行业的新标准。
据悉，三星电子于去年3月首次宣布ddr5 dram开发成功，并在业界首次实现hkmg工艺大规模应用。据介绍，ddr5数据处理速度是ddr4的两倍，起步就能到4800mhz，而且容量也会得到提升，但延迟相对会上升。
hkmg技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，hkmg可明显改善漏电情况，三星曾表示该技术可减少内存功耗约13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义。不过三星并未披露内存的实际商业化情况，只是表示，三星计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。
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