ARM和台积电在SoC方面领先英特尔
尽管一直到2015下半年，台积电(tsmc)都仍可能无法为arm处理器提供可量产的finfet技术，不过，arm ceo warren east表示，他并不担心于英特尔( intel )在制程技术方面领先于其他所有代工厂。
在finfet 技术中，电晶体是垂直在晶圆表面上，这种方法被认为能改善电晶体性能，并减少关闭状态下的漏电流。英特尔已经采用22nm finfet cmos制程进行量产，在此同时，台积电则正试图为客户提高其平面28-nm cmos产能。
然而，ease对《ee times》表示，arm和台积电将在soc技术竞争方面领先英特尔。“我们非常关注soc的整合。就soc而言，英特尔正在使用32nm high-k金属闸极平面cmos进行生产。而台积电则使用28nm high-k金属闸极。这在我看来并不是什么重大的技术领先，不过，你确实可以说台积电在这方面是领先的。”
east 表示，英特尔的22nm finfet主要用来量产电脑晶片，但要将该技术用在包含大量周边电路的soc上并不是件容易的事。
英特尔目前拥有智慧手机和平板电脑专用的atom-based 32nm medfield 处理器。英特尔也预计2013年开始用22nm finfet cmos 制程生产采用silvermont 架构的atom 低功耗处理器。而merrifield则很可能是首个采用22nm finfet技术的高阶智慧手机专用处理器。
而针对台积电的16nm finfet，以及联电(umc)的20nm finfet 制程，east表示，“目前还很难说何时针对arm的finfet技术能够就绪。”
arm处理器核心也支援由意法半导体(st)开发的28nm全耗尽型soi(fdsoi) ，目前正在转移到globalfoundries，预计之后将再微缩到20nm制程。
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然而，ease对《ee times》表示，arm和台积电将在soc技术竞争方面领先英特尔。“我们非常关注soc的整合。就soc而言，英特尔正在使用32nm high-k金属闸极平面cmos进行生产。而台积电则使用28nm high-k金属闸极。这在我看来并不是什么重大的技术领先，不过，你确实可以说台积电在这方面是领先的。”
east 表示，英特尔的22nm finfet主要用来量产电脑晶片，但要将该技术用在包含大量周边电路的soc上并不是件容易的事。
英特尔目前拥有智慧手机和平板电脑专用的atom-based 32nm medfield 处理器。英特尔也预计2013年开始用22nm finfet cmos 制程生产采用silvermont 架构的atom 低功耗处理器。而merrifield则很可能是首个采用22nm finfet技术的高阶智慧手机专用处理器。
而针对台积电的16nm finfet，以及联电(umc)的20nm finfet 制程，east表示，“目前还很难说何时针对arm的finfet技术能够就绪。”
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