去年ASML光刻机出货26台，新一代极紫外光刻机研发中
在晶圆代工龙头台积电将于2020年正式量产5纳米制程，而竞争对手三星也在追赶的情况下，目前两家公司也在积极研发更先进的3纳米制程。这些先进半导体制程能研发成功，且让未来生产良率保持一定水准，光刻机绝对是关键。
就台积电与三星来说，最新极紫外光刻机（euv）早就使用在7纳米制程，未来5纳米制程也将会继续沿用。至于更新的3纳米制程，目前光刻机龙头──荷兰商asml也正研发新一代极紫外光刻机，以因应市场需求。
根据外电报导，目前asml出货的euv光刻机主要是nxe:3400b，以及进化版的nxe:3400c两款型号。基本上两种型号的euv光刻机构造相同，但是nxe:3400c采用模组化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8到10小时，可支援7纳米及5纳米制程的生产需求。
此外，nxe:3400c的产能，也从nxe:3400b每小时处理晶圆数的125wph，提升到了175wph，达到其更好的效率。
随着台积电与三星在7纳米euv制程量产，asml的euv光刻机需求也快速攀升。
根据2020年1月asml公布的2019年第4季及当年全年财报显示，光是2019年第4季，asml就出货了8台euv光刻机，并收到9台euv光刻机订单。全年euv光刻机订单量达到了62亿欧元，总计出货了26台euv光刻机，比2018年18台有显著成长，使euv光刻机对asml的营收占比，从2018年23%提升到31%。
在此情况下，随着2020年台积电与三星5纳米制程的相继量产，这将对于euv光刻机的需求进一步提高。根据asml预估，2020年将会交付35台euv光刻机，2021年进一步提高到45~50台交付量。不仅如此，asml还针对后续更为先进的3纳米、2纳米制程的需求，开始规划新一代euv光刻机exe:5000系列。
报导进一步指出，exe:5000系列将会把物镜系统的na（数值孔径）由上一代的nxe:3400b/c的0.33，提升至0.55，如此可达成小于1.7纳米的套刻误差，每小时处理晶圆数也将提升至185wph。根据asml公布的资讯显示，exe:5000系列光刻机预计最快在2021年问世。不过首发设备还是样机，所以最快要到2022年或2023年才能量产交付客户。
而如果按照目前台积电的和三星的进度来看，台积电在2020年量产5纳米制程，而3纳米制程预计最快可能也要等到2022年才会量产。
至于，三星方面，按照规划，在6纳米lpp制程之后，还有5纳米lpe、4纳米lpe两个制程节点，之后将进入3纳米制程。规划的3纳米制程分为gae（gaa early）及gap（gaa plus）两世代。
其中，2019年5月三星就宣布3纳米gae的设计套件0.1版本已经准备完成，可以帮助客户启动3纳米制程的设计。只是从设计到量产，预计还要一段时间，其中还有试产的部分，因此预估量产时间最快要等到2022年之后。
据了解，目前台积电方面的3纳米制程研发进展顺利，已经开始与早期客户进行接触。而台积电新投资新台币6,000亿元的3纳米新竹宝山厂也于2019年通过了用地申请，预计将于2020年正式动工。届时完成之后，应该就会看到asml的新一代exe:5000 a系列光刻机进驻，生产更先进的半导体芯片。
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根据外电报导，目前asml出货的euv光刻机主要是nxe:3400b，以及进化版的nxe:3400c两款型号。基本上两种型号的euv光刻机构造相同，但是nxe:3400c采用模组化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8到10小时，可支援7纳米及5纳米制程的生产需求。
此外，nxe:3400c的产能，也从nxe:3400b每小时处理晶圆数的125wph，提升到了175wph，达到其更好的效率。
随着台积电与三星在7纳米euv制程量产，asml的euv光刻机需求也快速攀升。
根据2020年1月asml公布的2019年第4季及当年全年财报显示，光是2019年第4季，asml就出货了8台euv光刻机，并收到9台euv光刻机订单。全年euv光刻机订单量达到了62亿欧元，总计出货了26台euv光刻机，比2018年18台有显著成长，使euv光刻机对asml的营收占比，从2018年23%提升到31%。
在此情况下，随着2020年台积电与三星5纳米制程的相继量产，这将对于euv光刻机的需求进一步提高。根据asml预估，2020年将会交付35台euv光刻机，2021年进一步提高到45~50台交付量。不仅如此，asml还针对后续更为先进的3纳米、2纳米制程的需求，开始规划新一代euv光刻机exe:5000系列。
报导进一步指出，exe:5000系列将会把物镜系统的na（数值孔径）由上一代的nxe:3400b/c的0.33，提升至0.55，如此可达成小于1.7纳米的套刻误差，每小时处理晶圆数也将提升至185wph。根据asml公布的资讯显示，exe:5000系列光刻机预计最快在2021年问世。不过首发设备还是样机，所以最快要到2022年或2023年才能量产交付客户。
而如果按照目前台积电的和三星的进度来看，台积电在2020年量产5纳米制程，而3纳米制程预计最快可能也要等到2022年才会量产。
至于，三星方面，按照规划，在6纳米lpp制程之后，还有5纳米lpe、4纳米lpe两个制程节点，之后将进入3纳米制程。规划的3纳米制程分为gae（gaa early）及gap（gaa plus）两世代。
其中，2019年5月三星就宣布3纳米gae的设计套件0.1版本已经准备完成，可以帮助客户启动3纳米制程的设计。只是从设计到量产，预计还要一段时间，其中还有试产的部分，因此预估量产时间最快要等到2022年之后。
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