ccd和cmos的主要参数有以下几个:
1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实际物理尺寸,通常的尺寸包括14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。像元尺寸从某种程度上反映了芯片的对光的响应能力,像元尺寸越大,能够接收到的光子数量越多,在同样的光照条件和曝光时间内产生的电荷数量越多。对于弱光成像而言,像元尺寸是芯片灵敏度的一种表征。
2. 灵敏度
灵敏度是芯片的重要参数之一,它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换能力,与响应率的意义相同。即芯片的灵敏度指在一定光谱范围内,单位曝光量的输出信号电压(电流),单位可以为纳安/勒克斯na/lux、伏/瓦(v/w)、伏/勒克斯(v/lux)、伏/流明(v/lm)。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率(或照度),与探测率的意义相同,单位可用瓦(w)或勒克斯(lux)表示。
3. 坏点数
由于受到制造工艺的限制,对于有几百万像素点的传感器而言,所有的像元都是好的情况几乎不太可能,坏点数是指芯片中坏点(不能有效成像的像元或相应不一致性大于参数允许范围的像元)的数量,坏点数是衡量芯片质量的重要参数。
4. 光谱响应
光谱响应是指芯片对于不同光波长光线的响应能力,通常用光谱响应曲线给出。
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