肖特基二极管是什么_肖特基二极管的特点
肖特基二极管是什么
sbd是肖特基势垒二极管（schottkybarrierdiode，缩写成sbd）的简称。sbd不是利用p型半导体与n型半导体接触形成pn结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，sbd也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的特点 优点 1）由于肖特基势垒高度低于pn结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比pn结二极管低（约低0.2v）。
2）由于sbd是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。sbd的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于pn结二极管的反向恢复时间。由于sbd的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于sbd的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于sbd比pn结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比pn结二极管大。
3）sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，最高仅约100v，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（smps）和功率因数校正（pfc）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（fred）和超快速恢复二极管（ufrd）。ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和 200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
缺点 肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200v。
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3）sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，最高仅约100v，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（smps）和功率因数校正（pfc）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（fred）和超快速恢复二极管（ufrd）。ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和 200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
缺点 肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200v。
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