一篇小文章点透音频产品EMI措施
emi经常困扰着电子工程师，超标，干扰等问题时常出现。下面就音频产品中经常遇到的emi问题总结一些经验分享。工程师经常反馈的功率器件的emi问题突出，例如dcdc、d类功放等，还有这类器件引起的fm问题。
首先，谈一下d类功放。d类功放产生emi的原因是，d类功放输出是pwm波，大电流高速度的脉宽信号，开关信号通过喇叭线传给喇叭，造成电磁波辐射出能量，产生emi。当辐射的高频谐波覆盖fm信号时，fm造成无法接收信号，搜台困难。
1. 最直接有效的方法就是输出端加滤波，小功率加磁珠电容，大功率用lc滤波，把高频谐波衰减或者过滤掉。
小功率可以用磁珠电容，磁珠阻抗值越大效果一般会更好，电容一般建议从1nf开始尝试对比。
另外，关于lc的结构会影响谐波的过滤，例如：
红色电容对于奇次谐波的过滤更有利。
2. fm芯片和功放尽量远离，甚至分两块板；
3. 尽量缩短喇叭线，这个非常重要，我们再用ft3129做2x15w的emi辐射实验时，同样不加lc，只用磁珠电容，区别就是喇叭线长短不一致，结果如下：
4. 喇叭线用屏蔽线，有屏蔽罩的要接地；
5. 功放有展频（抖频）功能的利用起来，例如方泰有些功放都备用一个该功能。
6. 软驱动模式，这个效果也很明显，他把快速的突变信号放缓，大大减缓了能量的爆发力，例如方泰ft29系列的功放，都有个softdrive模式，就是基于这个考虑。
7. 另外就是走线和布局的影响，4层板比2层板能有效降低emi。走线时输出端走线要尽量的短粗。高频耦合电容要尽量的靠近电源管脚。电源走线尽量走板边等等需要细心的地方。
下面谈一下dcdc的emi问题
dcdc包括单独的dcdc还有集成的，例如现在很多功放都是集成了dcdc，道理是一样的。
a) 先来看一下dcdc的框图
dcdc的工作就是s1,s2交替开和关闭，s2闭合时是蓝框环路，s1闭合时是绿框环路，不管s1,s2哪个闭合，cin、l上时刻都是有电流经过，但是红色框内的是间断性的电流经过，这种不连续性是所有emi的本质原因，所以红框的电流回路越小，emi就会越小。这个在走线上对应的就是dcdc的输出vout（集成在功放上就是pvout/pvdd）跟pgnd之间的回路。vout一般旁边建议放105电容，电容位置要使得vout和pgnd之间的距离最短，走线时尽量粗，使得寄生电感最小，阻抗最低。这个105非常重要，因为除了上面所说，它对lx端的振铃影响如下，右图没有小电容，振铃幅度较大，这个会差距4dbuv/m.
b) 走线和板层对emi也是有较大影响，4层板与2层板大概差距10dbuv/m，有条件情况下建议用4层板。另外电流较大的走线，尽量加粗，例如经过电感的，进入lx管脚的，连接肖特基的等。
c) lx管脚的rc，对振铃的影响也是很有效的。
d) 布局要紧凑，这样器件之间的引线就会比较短，引线太长容易引入噪音，噪音没有很好的被耦合就会传导到器件中，引起emi问题。
e) 选择磁珠，磁珠是迫不得已时候的选择，因为在dcdc这种器件中的使用要非常小心。因为要串进大电流的走线中，必须对磁珠的阻抗、电流、频响有着较高要求，不是随便找个磁珠就可以的。
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1. 最直接有效的方法就是输出端加滤波，小功率加磁珠电容，大功率用lc滤波，把高频谐波衰减或者过滤掉。
小功率可以用磁珠电容，磁珠阻抗值越大效果一般会更好，电容一般建议从1nf开始尝试对比。
另外，关于lc的结构会影响谐波的过滤，例如：
红色电容对于奇次谐波的过滤更有利。
2. fm芯片和功放尽量远离，甚至分两块板；
3. 尽量缩短喇叭线，这个非常重要，我们再用ft3129做2x15w的emi辐射实验时，同样不加lc，只用磁珠电容，区别就是喇叭线长短不一致，结果如下：
4. 喇叭线用屏蔽线，有屏蔽罩的要接地；
5. 功放有展频（抖频）功能的利用起来，例如方泰有些功放都备用一个该功能。
6. 软驱动模式，这个效果也很明显，他把快速的突变信号放缓，大大减缓了能量的爆发力，例如方泰ft29系列的功放，都有个softdrive模式，就是基于这个考虑。
7. 另外就是走线和布局的影响，4层板比2层板能有效降低emi。走线时输出端走线要尽量的短粗。高频耦合电容要尽量的靠近电源管脚。电源走线尽量走板边等等需要细心的地方。
下面谈一下dcdc的emi问题
dcdc包括单独的dcdc还有集成的，例如现在很多功放都是集成了dcdc，道理是一样的。
a) 先来看一下dcdc的框图
dcdc的工作就是s1,s2交替开和关闭，s2闭合时是蓝框环路，s1闭合时是绿框环路，不管s1,s2哪个闭合，cin、l上时刻都是有电流经过，但是红色框内的是间断性的电流经过，这种不连续性是所有emi的本质原因，所以红框的电流回路越小，emi就会越小。这个在走线上对应的就是dcdc的输出vout（集成在功放上就是pvout/pvdd）跟pgnd之间的回路。vout一般旁边建议放105电容，电容位置要使得vout和pgnd之间的距离最短，走线时尽量粗，使得寄生电感最小，阻抗最低。这个105非常重要，因为除了上面所说，它对lx端的振铃影响如下，右图没有小电容，振铃幅度较大，这个会差距4dbuv/m.
b) 走线和板层对emi也是有较大影响，4层板与2层板大概差距10dbuv/m，有条件情况下建议用4层板。另外电流较大的走线，尽量加粗，例如经过电感的，进入lx管脚的，连接肖特基的等。
c) lx管脚的rc，对振铃的影响也是很有效的。
d) 布局要紧凑，这样器件之间的引线就会比较短，引线太长容易引入噪音，噪音没有很好的被耦合就会传导到器件中，引起emi问题。
e) 选择磁珠，磁珠是迫不得已时候的选择，因为在dcdc这种器件中的使用要非常小心。因为要串进大电流的走线中，必须对磁珠的阻抗、电流、频响有着较高要求，不是随便找个磁珠就可以的。
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