4KBit I2C铁电存储器MB85RC04V的特点

富士通型号mb85rc04v是一款fram芯片,位宽为512字×8位,采用铁电工艺和硅栅cmos工艺技术形成非易失性存储单元。与sram不同,mb85rc04v能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。mb85rc04v使用的非易失性存储单元的读/写寿命提高到至少1012个周期,在数量上明显优于其他非易失性存储产品。mb85rc04v铁电存储器在写入存储器后不需要轮询序列,例如闪存或e2prom的情况。
特点
•位配置:512字×8位
•两线串行接口:完全由两个端口控制:串行时钟(scl)和串行数据(sda)。
•工作频率:1mhz(最大)
•读/写耐久性:1012次/字节
•数据保留:10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
•工作电源电压:3.0v至5.5v
•低功耗:工作电源电流90μa(typ@1mhz),待机电流5μa(典型值)
•工作环境温度范围:−40℃至+85℃
•封装:8-sop rohs合规
i2c(内部集成电路)
mb85rc04v具有两线串行接口;i2c总线,作为从设备运行。i2c总线定义了“主”和“从”设备的通信角色,主端拥有启动控制的权限。此外,i2c总线连接是可能的,其中单个主设备连接到多台从属设备以组线配置。在这种情况下,需要为从设备分配一个唯一的设备地址,主设备在指定从设备通过地址进行通信后开始通信。
fram是一种非易失性铁电存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/eeprom的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。富士通fujitsu代理英尚微可提供产品测试及技术支持。


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