PhotoMOS MOSFET光控继电器控制电路
photomos mosfet光控继电器控制电路前言
ph元件和功率mosfet，是作为微小模拟信号用而开发出的ssd，以高功能型的hf型为首，正逐步扩展系列，如通用型的gu型、高频型的rf型.
此次将介绍内置在photomos中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等.
fet型mosfet输出光电耦合器的基本电路图1是photomos中具有代表性的、即所谓的fet型mosfet输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出元件的功率mosfet是电压驱动型元件，因此利用光电二极管阵列(p.d.a)所供给的电压使栅极容量充电，致使栅极电压上升至接通电压（阈值），从而使mosfet输出光电耦合器动作。
图1 fet型mosfet输出光电耦合器基本电路
然而，要使mosfet输出光电耦合器复位，则需要做与上述动作相反的工作，即让栅极内充电的电荷尽量快速地放电。在图1所示的电路中，由于复位时间过长，故不能作为mosfet输出光电耦合器使用。photomos利用图2所示的内置于光电元件的控制电路来解决这些问题。该控制电路为实现动作时间与复位时间保持平衡的良好的转换特性，以及输入led电流的良好的灵敏度特性发挥着最关键的作用.
图2 photomos 等效电路
光电元件内的控制电路示例
关于光电元件内部所内置的控制电路，如图3-图5所示，迄今为止提出了以下若干种电路。下面将简单地介绍这些电路.
图3的控制电路
图3的电路图是最基本的电路，我们为了加快断开时间，使输出mos的栅极电荷在断开时放电，因此在栅极・源极之间连接固定电阻.但是，在接通电路时，为了使输出mos的栅极容量得到充电，使用了光电二极管阵列(p.d.a)，其产生的光电流在通过该电阻时会发生漏电，从而导致接通时间变长.
图3 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
另外，还存在以下缺点：如图6所示，相对于输入电流的变化，输出电流也平缓地发生变化，因此转换元件所要求的速动性会变差，另外因温度变化所引起的特性变动也较大。
图6 mosfet输出光电耦合器的磁保持特性
图 4的控制电路
该电路的速动性要比(a)电路好，但是，由于插入在输出mos栅极・源极之间的晶体管为常开型，因此抗外来干扰性较差。
图4 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
图 5的控制电路
作为放电电路，该电路使用常闭型元件，因此断开时输出mos的电荷会急速放电。另外接通时，该元件被第二光电二极管阵列(p.d.a)偏压，形成开路状态，从而使第一光电二极管阵列(p.d.a)所产生的光电流被高效快速地传导至输出mos的栅极，因此与(a)的电路相比，接通时间就变短了。
另外，利用该常闭型元件还可大幅度地改善速动性。但与此同时该控制电路必须具备二个光电二极管阵列.
图5 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
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图1 fet型mosfet输出光电耦合器基本电路
然而，要使mosfet输出光电耦合器复位，则需要做与上述动作相反的工作，即让栅极内充电的电荷尽量快速地放电。在图1所示的电路中，由于复位时间过长，故不能作为mosfet输出光电耦合器使用。photomos利用图2所示的内置于光电元件的控制电路来解决这些问题。该控制电路为实现动作时间与复位时间保持平衡的良好的转换特性，以及输入led电流的良好的灵敏度特性发挥着最关键的作用.
图2 photomos 等效电路
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图3的控制电路
图3的电路图是最基本的电路，我们为了加快断开时间，使输出mos的栅极电荷在断开时放电，因此在栅极・源极之间连接固定电阻.但是，在接通电路时，为了使输出mos的栅极容量得到充电，使用了光电二极管阵列(p.d.a)，其产生的光电流在通过该电阻时会发生漏电，从而导致接通时间变长.
图3 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
另外，还存在以下缺点：如图6所示，相对于输入电流的变化，输出电流也平缓地发生变化，因此转换元件所要求的速动性会变差，另外因温度变化所引起的特性变动也较大。
图6 mosfet输出光电耦合器的磁保持特性
图 4的控制电路
该电路的速动性要比(a)电路好，但是，由于插入在输出mos栅极・源极之间的晶体管为常开型，因此抗外来干扰性较差。
图4 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
图 5的控制电路
作为放电电路，该电路使用常闭型元件，因此断开时输出mos的电荷会急速放电。另外接通时，该元件被第二光电二极管阵列(p.d.a)偏压，形成开路状态，从而使第一光电二极管阵列(p.d.a)所产生的光电流被高效快速地传导至输出mos的栅极，因此与(a)的电路相比，接通时间就变短了。
另外，利用该常闭型元件还可大幅度地改善速动性。但与此同时该控制电路必须具备二个光电二极管阵列.
图5 fet型mosfet输出光电耦合器控制电路
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