堆叠硅片互联技术_SSI构架分析
赛灵思打造了堆叠硅片互联(ssi)技术。该技术在无源硅中介层上并排连接着几个硅切片(有源切片)，该切片再由穿过该中介层的金属连接，与印制电路板上不同 ic 通过金属互联通信的方式类似。通过这种技术，赛灵思让器件的发展步伐超过了摩尔定律的速度。
在堆叠硅片互联(ssi)技术中分为2.5d堆叠技术和3d堆叠技术。
赛灵思全球高级副总裁，亚太区执行总裁汤立人 (vincent tong)指出：
3d芯片堆叠的概念已经提出了很多年，但是如何实现3d芯片一直是产业在探讨的难题，目前2.5d芯片堆叠技术在4至5年内会日趋成熟，应用方面会延续很久。而3d芯片堆叠技术的开发应用则需要数十年的时间。而赛灵思能完成2.5d芯片堆叠，也是得益于其独特7系列独特的架构，这种架构可以支持fpga进行方便的伸缩，如果没有这种独特的架构，很难采用这种堆叠互联技术。”
所谓2.5d芯片堆叠技术是指在无源器件上堆叠有源芯片，也就是在passive上堆叠actice，是主动芯片和被动芯片的堆叠；而3d芯片堆叠技术是指在有源芯片上堆叠有源芯片，是主动芯片和主动芯片的堆叠。赛灵思打造的2.5d堆叠技术是在无源硅中介层上并排几个硅切片(有源切片)，该切片再由穿过中阶层的金属连接，中介层在每个芯片间提供10000多个高速互联，这与pcb上不同ic通过金属导线互联通信类似，这个架构的特点是，vitex7-2000t虽然有4个切片组成，但设计人员功过赛灵思的设计工具可以将其看作一款大型fpga进行操作和开发。
这种构架有极大的优势，器件只是堆叠而成的，中间只是通过金属导线互联，这样构架师在设计时可以方便清晰的设计所需要的产品，而且采用这种构架，会节约很大一部分空间，架构师可以根据需要再增添所需要的器件。
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