更高速度、更低功耗的钻石半导体技术
人们都说钻石是女人最好的朋友，但它可能很快也会变成半导体产业最好的朋友！一家美国新创公司akhan semiconductor打算要透过从美国能源部旗下阿冈国家实验室（argonne national laboratory）授权钻石半导体制程来实现以上目标。
业界已知钻石半导体能支援更高速度、更低功耗，而且比矽材料厚度更薄、重量更轻，不过akhan semiconductor是第一家有机会实际了解其特性的公司；该公司在美国伊利诺州gurnee有一座8寸晶圆厂，预期将会在2017年的国际消费性电子展（ces）上，发表应用于某款消费性电子产品的钻石半导体ic。
阿冈国家实验室在2000年以前，曾使用化学气相沉积（cvd）技术进行实验，并独立出一家公司advanced diamond technologies，与mems代工业者innovative micro technology合作生产钻石mems，并激励钻石晶圆专家如sp3 diamond technologies打造能沉积出完美结晶（crystalline）钻石的cvd设备。
尽管到目前为止，钻石最成功的领域还是在珠宝、研磨以及人造钻石等其他工业用途；阿冈国家实验室仍继续寻找让钻石──是天然的绝缘体──进驻半导体的方法，以及能铺设到所有钻石晶片的导线，期望能让钻石半导体成真。以下影片是akhan semiconductor创办人暨执行长adam kahn叙述根据他自己的名字命名的公司之钻石半导体愿景：
到目前为止，钻石半导体商业化的最大障碍，是制造p型电晶体很容易，但制造n型电晶体很困难；这个问题已经被kahn解决。他将akhan semiconductor的制程命名为miraj钻石平台，可实现同时具备p型与n型元件的钻石cmos技术；而该公司也期望能推出全球首款相容cmos制程的钻石半导体。
kahn接受ee times美国版编辑专访时表示：“我们最近已经证实了相容cmos的钻石半导体──同时拥有p型与n型元件；我们成功制作了钻石pin ［是p型-本质（intrinsic）、未掺杂（undoped）-n型接面（juction）的缩写］二极体，其性能是矽的百万倍，而且薄一千倍。”
其背后奥秘是在p型元件中共同植入磷（phosphorous），然后在n型元件中共同掺杂钡（barium）与锂（lithium），如此能实现两种元件性能相当的可调式电子元件，并催生钻石cmos；akhan semiconductor的第一款展示元件是钻石pin二极体，达到了破纪录的500奈米厚度。能达到如此成果的原因，是钻石这种材料具备超宽能隙（band-gap），甚至超越碳化矽与氮化镓。”
akhan semiconductor制作的矽晶圆上钻石（diamond on silicon）样本
“热分析结果显示，在我们的pin上没有热点（hot spots），所以没有像是矽pin二极体那样的寄生损耗（parasitic losses）；”khan并展示了利用钻石超低电阻特性实现的100ghz元件，能沉积在矽、玻璃、蓝宝石或是金属基板上。这种高速度可能让处理器大战重新开打──在十年前其速度已经停滞在5ghz。
还记得在很多年前，每一代新处理器的时脉速度都会更高一级；5ghz对于矽材料来说是极限，因为该种材料的高耗电量以及高发热温度会把元件给融化；而kahn表示，钻石的导热性能是矽的二十二倍、铜的五倍。
akhan semiconductor的终极目标是让处理器竞赛重启，让其时脉速度能继续加快，但到目前为止他们专注于工业用电源元件、军事应用可调光学元件，以及利用钻石做为绝缘体与半导体的光学行动消费性应用；但是仍需要用到氧化铟锡（indium tin oxide，ito）做为触点。
kahn表示，他们尚未开发行动与消费性应用平台，但现在主要应用是需要更加散热效率的电力电子元件，就像矽元件那样运作──利用相同的微影、蚀刻与金属化步骤，只添加钻石沉积步骤。而该公司的终极目标，打造巨量资料处理应用的超高散热处理器；事实上，钻石cmos的高速度不需要付出高温的代价，也就是说，对资料中心来说，钻石处理器的发热能比同样5ghz速度的矽处理器大幅降低，甚至耗电量与矽差不多，速度还能进一步升高到次thz。
除了能解决目前资料中心遭遇的最大问题──散热，钻石的省电效益正是未来所需的特性；kahn并指出，钻石能沉积在玻璃或蓝宝石玻璃基板上，制作成完全透明的电子元件，实现透明手机等新一代消费性电子产品。
根据kahn的说法，摩尔定律（moore‘s law）的寿命也将再度进一步扩展，因为该公司的100ghz展示晶片是采用100奈米制程节点，意味着钻石在遭遇矽将于2025年面临的单原子等级之前，还可以乎有12代的制程微缩。
配备钻石散热片的电路板样本（晶片可以直接放在散热片上）
“我们目前正专注于以12寸晶圆制作电源应用元件，期望能在大量生产以后降低制造成本；”kahn表示：“我们的电源元件已经在晶圆厂进入试产阶段，但公司的经营是采取轻晶圆厂模式，也就是我们自己只少量生产，在大量生产时就将制程转移至委托的晶圆代工厂。”
除了电源元件，akhan semiconductor也有一些尝试钻石mems元件的新客户，要打造高阶智慧型手机动态调谐天线使用的电容式开关阵列。接下来，除了手机与资料中心处理器，该公司打算进军量子电脑领域，但不是采用氮空位（nitrogen vacancy）技术，而是目前视为商业机密的独门掺杂技术。
nxp电源管理芯片的简单说明
高性能DP1.2至MIPIDSI/CSI芯片LT7911D简介
人工智能给专利制度带来的主要挑战
PyTorch教程-3.3. 综合回归数据
安装网络摄像机需要注意什么问题
更高速度、更低功耗的钻石半导体技术
WDBlackNVMeSSD评测 核爆般的数据
实验表明，与标准LED光源相比，BlueFree灯泡对我们的昼夜节律系统的破坏性要小得多
2.5D和3D封装的差异和应用有哪些呢？
Surface Laptop拆解：修理Surface Laptop最好的方法就是换一台
洗衣机只用不洗细菌多 清洗步骤很简单
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光控音效发生器电路分享
韩国电信业为5G时代发展推出更具有竞争的无人机项目
AR+LBS游戏暂不过审，支付宝的AR实景红包还是能体验下新技术
光伏电池与光伏电池组件有哪些区别？
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沃达丰新西兰部分地区启用5G，计划采用诺基亚设备进行升级
气敏传感器原理应用
02115002-000倾角仪工程机械安全操作方案
业界已知钻石半导体能支援更高速度、更低功耗，而且比矽材料厚度更薄、重量更轻，不过akhan semiconductor是第一家有机会实际了解其特性的公司；该公司在美国伊利诺州gurnee有一座8寸晶圆厂，预期将会在2017年的国际消费性电子展（ces）上，发表应用于某款消费性电子产品的钻石半导体ic。
阿冈国家实验室在2000年以前，曾使用化学气相沉积（cvd）技术进行实验，并独立出一家公司advanced diamond technologies，与mems代工业者innovative micro technology合作生产钻石mems，并激励钻石晶圆专家如sp3 diamond technologies打造能沉积出完美结晶（crystalline）钻石的cvd设备。
尽管到目前为止，钻石最成功的领域还是在珠宝、研磨以及人造钻石等其他工业用途；阿冈国家实验室仍继续寻找让钻石──是天然的绝缘体──进驻半导体的方法，以及能铺设到所有钻石晶片的导线，期望能让钻石半导体成真。以下影片是akhan semiconductor创办人暨执行长adam kahn叙述根据他自己的名字命名的公司之钻石半导体愿景：
到目前为止，钻石半导体商业化的最大障碍，是制造p型电晶体很容易，但制造n型电晶体很困难；这个问题已经被kahn解决。他将akhan semiconductor的制程命名为miraj钻石平台，可实现同时具备p型与n型元件的钻石cmos技术；而该公司也期望能推出全球首款相容cmos制程的钻石半导体。
kahn接受ee times美国版编辑专访时表示：“我们最近已经证实了相容cmos的钻石半导体──同时拥有p型与n型元件；我们成功制作了钻石pin ［是p型-本质（intrinsic）、未掺杂（undoped）-n型接面（juction）的缩写］二极体，其性能是矽的百万倍，而且薄一千倍。”
其背后奥秘是在p型元件中共同植入磷（phosphorous），然后在n型元件中共同掺杂钡（barium）与锂（lithium），如此能实现两种元件性能相当的可调式电子元件，并催生钻石cmos；akhan semiconductor的第一款展示元件是钻石pin二极体，达到了破纪录的500奈米厚度。能达到如此成果的原因，是钻石这种材料具备超宽能隙（band-gap），甚至超越碳化矽与氮化镓。”
akhan semiconductor制作的矽晶圆上钻石（diamond on silicon）样本
“热分析结果显示，在我们的pin上没有热点（hot spots），所以没有像是矽pin二极体那样的寄生损耗（parasitic losses）；”khan并展示了利用钻石超低电阻特性实现的100ghz元件，能沉积在矽、玻璃、蓝宝石或是金属基板上。这种高速度可能让处理器大战重新开打──在十年前其速度已经停滞在5ghz。
还记得在很多年前，每一代新处理器的时脉速度都会更高一级；5ghz对于矽材料来说是极限，因为该种材料的高耗电量以及高发热温度会把元件给融化；而kahn表示，钻石的导热性能是矽的二十二倍、铜的五倍。
akhan semiconductor的终极目标是让处理器竞赛重启，让其时脉速度能继续加快，但到目前为止他们专注于工业用电源元件、军事应用可调光学元件，以及利用钻石做为绝缘体与半导体的光学行动消费性应用；但是仍需要用到氧化铟锡（indium tin oxide，ito）做为触点。
kahn表示，他们尚未开发行动与消费性应用平台，但现在主要应用是需要更加散热效率的电力电子元件，就像矽元件那样运作──利用相同的微影、蚀刻与金属化步骤，只添加钻石沉积步骤。而该公司的终极目标，打造巨量资料处理应用的超高散热处理器；事实上，钻石cmos的高速度不需要付出高温的代价，也就是说，对资料中心来说，钻石处理器的发热能比同样5ghz速度的矽处理器大幅降低，甚至耗电量与矽差不多，速度还能进一步升高到次thz。
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