可提高电源效率的同步整流ic U7718
同步整流可提高效率，同时也能够极大地帮助瞬态负载调节。它为电源预加载提供了一种高效的方法。另外，相比摆动电感，它还拥有更加稳定的控制环路特性。同步整流ic u7718是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。有兴趣的小伙伴可以多了解下！
同步整流ic u7718支持high side和low side配置，同时支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。内置vdd高压供电模块，无需vdd辅助绕阻供电，简化了外围电路，降低系统成本。u7718内部集成智能开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(dcm)中由于vds振荡引起的sr误开通。
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在原边mosfet导通期间，同步整流ic u7718内部7.1v稳压器将从其drain管脚抽取电流向vdd供电，以使vdd电压恒定在7.1v左右。基于高频解偶和供电考滤,推荐选取容量为1uf的陶瓷电容作为vdd电容。
变压器副边续流阶段开始时，同步整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压(<-500mv)。该负向vds电压远小于同步整流ic u7718内部mosfet开启检测阈值, 故经过开通延迟（典型值200ns）后内部mosfet开通。在同步整流mosfet导通期间，u7718采样mosfet漏-源两端电压 (vds)。当vds电压高于mosfet 关断阈值(典型值-6mv)，内部mosfet将在关断延迟（td_off，约60ns）后被关断。
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同步整流ic u7718 管脚功能描述：
1、2、3 gnd p ic 参考地，同时也是内部功率 mosfet 的源极
4 vdd p ic 供电脚，
5、6、7、8 drain i 内置功率 mosfet 漏极
在内部同步整流mosfet开通瞬间，芯片漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(leb)。在leb时间（约1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
同步整流ic u7718方案能满足客户高效适配器、反激变换器、充电器的应用，使得电源设计尽可能达到最优化。方案简单有效，成本经济可控，更多实惠请致电400-778-5088！
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