FDZ197PZ 飞兆半导体推出单一P沟道MOSFET器件
fdz197pz 飞兆半导体推出单一p沟道mosfet器件
飞兆半导体公司 (farichild semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一p沟道mosfet器件fdz197pz，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。fdz197pz在vgs= 4.5v时提供64mohm之rds(on) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用wl-csp封装，比占位面积相似的传统塑料封装mosfet具有更佳功耗和传导损耗特性。fdz197pz具有比其它的同级mosfet器件更强大的静电放电(esd)保护功能(4kv)，能够保护器件避免可能导致应用失效的esd事件之应力影响。
p沟道mosfet器件fdz197pz采用飞兆半导体性能先进的powertrench? mosfet工艺技术制造，可以达到更低的rds (on) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款wl-csp 封装备有6 x 300μm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的wl-csp引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度仅为0.65mm，为薄型产品设计提供了便利。 fdz197pz 是飞兆半导体全面的先进mosfet产品系列的一部分，能够满足业界对紧凑、低侧高、高性能mosfet的需求，适用于充电、负载开关、dc-dc转换和升压应用。 价格(订购1000个，每个): 0.35美元 供货: 现提供样品 交货期: 收到收单后8至12周
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