STM32F103C8T6读写内部flash
大家好，今天和大家分享一下stm32f103c8t6读写内部flash，关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量。
一、芯片flash容量分类：
可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64k的，网上也有人说它可以支持到128k，但是官方给出的解释是前64k是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
现在芯片的flash大小我们知道了，下面就可以看看这个flash是怎么划分的了，通过芯片数据手册，我们能看到今天说的stm32f103c8t6是属于中等容量的设备。
既然是中等容量的设备了，那我们就来看看flash划分吧，在stm32的闪存编程手册中有这样一段话：按照不同容量，存储器组织成：
32个1k字节/页（小容量）128个1k字节/页（中容量）256个2k字节/页（大容量）
这段话怎么理解呢，就是告诉我们小容量的设备（内存是6k和32k）的设备是由1k字节每页组成的。
中容量的设备（内存是64k和128k）的设备是由1k字节每页组成的。大容量的设备（内存是256k、384k和512k）的设备是由2k字节每页组成的。
举个例子吧：
一个芯片的存储容量是64k，这64k是什么呢，就是64*1024个byte，一个byte是由8位0或1组成的，（比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节，用十进制来说就是15）
小结一下：64k的flash可以存储64*1024个字节的数据。
咱们继续说，这64k的数据怎么划分，存储是按照页为单位进行存储的，一页1k的容量，也就说一页可以存储1024个字节。
一共是多少页？
答案是：64页，我们看一下官方是不是这么说的。
在闪存编程手册里确实是这么说的，所以我们刚才说是64页是正确的
二、 读写步骤：
上面我们知道了芯片是怎么分类的，下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。
内部flash我们参照hal库或者标准库，直接调用st公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准库，有兴趣的小伙伴可以去看看hal库。
是不是有小伙伴会疑问什么是标准库，什么是hal库？
在这里给大家解释一下，这两个库都是st公司，直接把寄存器封装成函数，供大家直接调用某一个函数，就可以完成各种寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便阅读和使用，因为每个函数的名称功能都是不一样的，在调用前可以参考函数的注释，在f0和f4的标准库里甚至有每个函数的用法，不知道为什么在f1的库里把使用步骤去掉了。
咱们继续，读写的话库函数分为：
/*------------ functions used for all stm32f10x devices -----*/void flash_setlatency（uint32_t flash_latency）;void flash_halfcycleaccesscmd（uint32_t flash_halfcycleaccess）;void flash_prefetchbuffercmd（uint32_t flash_prefetchbuffer）;void flash_unlock（void）;void flash_lock（void）;
flash_status flash_erasepage（uint32_t page_address）;flash_status flash_eraseallpages（void）;
flash_status flash_eraseoptionbytes（void）;flash_status flash_programword（uint32_t address， uint32_t data）;flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）;flash_status flash_programoptionbytedata（uint32_t address， uint8_t data）;flash_status flash_enablewriteprotection（uint32_t flash_pages）;flash_status flash_readoutprotection（functionalstate newstate）;
flash_status flash_useroptionbyteconfig（uint16_t ob_iwdg， uint16_t ob_stop， uint16_t ob_stdby）;uint32_t flash_getuseroptionbyte（void）;uint32_t flash_getwriteprotectionoptionbyte（void）;
flagstatus flash_getreadoutprotectionstatus（void）;flagstatus flash_getprefetchbufferstatus（void）;void flash_itconfig（uint32_t flash_it， functionalstate newstate）;flagstatus flash_getflagstatus（uint32_t flash_flag）;void flash_clearflag（uint32_t flash_flag）;flash_status flash_getstatus（void）;
flash_status flash_waitforlastoperation（uint32_t timeout）;
/*------------ new function used for all stm32f10x devices -----*/void flash_unlockbank1（void）;void flash_lockbank1（void）;flash_status flash_eraseallbank1pages（void）;flash_status flash_getbank1status（void）;flash_status flash_waitforlastbank1operation（uint32_t timeout）;
在这里就不一个一个的详细说了，我们说一下常用的就行
1. 解锁void flash_unlock（void）;
2. 上锁void flash_lock（void）;
3. 页擦除flash_status flash_erasepage（uint32_t page_address）;
4. 半字写入flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）;
上面这4个函数就是我们最常用的。
下面说一下数据写入的步骤：
第一步：解锁。
第二步：判断写入的数据是否被擦除过，也就是判断写入的地址内存放的是不是0xffff 这里要重点说一下，为什么要判断是不是0xffff而不是判断是不是0xff呢？因为我们每次写入数据都要写入半字，也就是两个字节的数据才行，而且写入的地址只能是2的整数倍，不能是奇数。这里大家注意一下。
第三步：写入数据 stm32f103c8t6只能按照半字的方式进行数据写入，写入前的数据必须是0xffff，因为flash数据写入，只能写0，不能写1，这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。
第四步：上锁。
第五步：验证写入是否正确。
其实第五步可以省略。
我们看看官方给的写入过程：
好了，其实是一样的。下面我就和大家来分享一下（百分之九十九参考的正点原子的例程）。
//不检查的写入//writeaddr：起始地址//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数 void stmflash_write_nocheck（u32 writeaddr，u16 *pbuffer，u16 numtowrite） { u16 i; for（i=0;i《numtowrite;i++） { flash_programhalfword（writeaddr，pbuffer）; writeaddr+=2;//地址增加2. } }
//从指定地址开始写入指定长度的数据//writeaddr：起始地址（此地址必须为2的倍数！！）//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数（就是要写入的16位数据的个数。）u16 stmflash_buf［stm_sector_size/2］;//最多是2k字节void stmflash_write（u32 writeaddr，u16 *pbuffer，u16 numtowrite） { u32 secpos; //扇区地址 u16 secoff; //扇区内偏移地址（16位字计算） u16 secremain; //扇区内剩余地址（16位字计算） u16 i; u32 offaddr; //去掉0x08000000后的地址 if（writeaddr《stm32_flash_base||（writeaddr》=（stm32_flash_base+1024*stm32_flash_size）））return;//非法地址 flash_unlock（）;
//解锁 offaddr=writeaddr-stm32_flash_base; //实际偏移地址。 secpos=offaddr/stm_sector_size;
//扇区地址 0~127 for stm32f103rbt6 secoff=（offaddr%stm_sector_size）/2;
//在扇区内的偏移（2个字节为基本单位。） secremain=stm_sector_size/2-secoff; //扇区剩余空间大小 if（numtowrite《=secremain） { secremain=numtowrite;//不大于该扇区范围 } while（1） { stmflash_read（（（secpos*stm_sector_size）+stm32_flash_base），stmflash_buf，stm_sector_size/2）;//读出整个扇区的内容 for（i=0;i《secremain;i++）//校验数据// for（i=0;i《（stm_sector_size/2）;i++）//校验数据 { if（stmflash_buf［secoff+i］！=0xffff）break;//需要擦除 // if（stmflash_buf！=0xffff）break;//需要擦除 } flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）;
if（i《secremain）//需要擦除// if（i《（stm_sector_size/2））//需要擦除 { flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）; flash_erasepage（secpos*stm_sector_size+stm32_flash_base）;//擦除这个扇区 for（i=0;i《secremain;i++）//复制 { stmflash_buf［i+secoff］=pbuffer; } stmflash_write_nocheck（secpos*stm_sector_size+stm32_flash_base，stmflash_buf，stm_sector_size/2）;//写入整个扇区 }else stmflash_write_nocheck（writeaddr，pbuffer，secremain）;
//写已经擦除了的，直接写入扇区剩余区间。 if（numtowrite==secremain）break;//写入结束了 else//写入未结束 { secpos++; //扇区地址增1 secoff=0; //偏移位置为0 pbuffer+=secremain; //指针偏移 writeaddr+=（secremain*2）; //写地址偏移 numtowrite-=secremain; //字节（16位）数递减 if（numtowrite》（stm_sector_size/2）） { secremain=stm_sector_size/2;//下一个扇区还是写不完 } else { secremain=numtowrite;//下一个扇区可以写完了 } } } flash_lock（）;//上锁}
最终我们调用stmflash_write（）函数进行数据的写入，是不是有没看懂的小伙伴，我给大家解释一下写入的过程吧。
这个stmflash_write（）函数，是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数，然后按照给定的地址开始写数据，注意红色字体。
写数据是怎么做的呢？
首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页，每一页写入的话起始地址是什么然后开始一页一页的写，当遇到跨页写入的时候，把第二页的地址写进去，写的个数继续写入就行。
还有一个地方很重要，就是我修改了库函数：
/** * ［url=home.php？mod=space&uid=247401］@brief［/url］ programs a half word at a specified address. * ［url=home.php？mod=space&uid=536309］@note［/url］ this function can be used for all stm32f10x devices. * @param address： specifies the address to be programmed. * @param data： specifies the data to be programmed. * @retval flash status： the returned value can be： flash_error_pg， * flash_error_wrp， flash_complete or flash_timeout. */flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）{ flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）;
flash_status status = flash_complete; /* check the parameters */ assert_param（is_flash_address（address））;#ifdef stm32f10x_xl /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）;
if（address 《 flash_bank1_end_address） { if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data; /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastbank1operation（programtimeout）;
/* disable the pg bit */ flash-》cr &= cr_pg_reset; } } else { if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr2 |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data; /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastbank2operation（programtimeout）;
/* disable the pg bit */ flash-》cr2 &= cr_pg_reset; } }#else /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）; if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data;
/* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）; /* disable the pg bit */ flash-》cr &= cr_pg_reset; } #endif /* stm32f10x_xl */ /* return the program status */ return status;}
大家能看出来吗？就是红色字体部分，增加了一个每次写入前清除所有异常状态。为什么添加这个呢？
因为，如果你写入的数据的地址没有擦除，你就写入的话会导致异常状态的发生，而这个异常状态时要手动清除的，如果你没有清除这个异常状态，而继续写入数据的话，那么你后面写入任何数据都会报错，均写不进去，所以我在这里增加了一个异常状态清除，如果前面写入的数据报错了，不会影响我接下来的数据写入。
这里大家就清除为什么了吧。
写数据会了，那么再说一下读数据，其实这里读数据要比外部flash读取容易的多，我们直接读取地址，返回的就是地址存放的数据，是不是很简单。
看下面的函数：
//读取指定地址的半字（16位数据）//faddr：读地址（此地址必须为2的倍数！！）//返回值：对应数据.u16 stmflash_readhalfword（u32 faddr）{ return *（vu16*）faddr; }//从指定地址开始读出指定长度的数据//readaddr：起始地址//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数void stmflash_read（u32 readaddr，u16 *pbuffer，u16 numtoread） { u16 i; for（i=0;i《numtoread;i++） { pbuffer=stmflash_readhalfword（readaddr）;//读取2个字节。 readaddr+=2;//偏移2个字节。 }}
有没有很开心，读写数据就是这么简单就完成了。
以后如果我们想开发bootloader、把剩余的flash利用起来，就都很简单了。我会把用到的数据手册当成附件挂到下面，大家可以自行下载。（点击“阅读原文”下载）
以后我们再一起学习其他的功能，最后打个广告，st的芯片很给力，大家应该多支持，如果你觉得学到了知识的话，那么请留意评论谢谢。
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一、芯片flash容量分类：
可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64k的，网上也有人说它可以支持到128k，但是官方给出的解释是前64k是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
现在芯片的flash大小我们知道了，下面就可以看看这个flash是怎么划分的了，通过芯片数据手册，我们能看到今天说的stm32f103c8t6是属于中等容量的设备。
既然是中等容量的设备了，那我们就来看看flash划分吧，在stm32的闪存编程手册中有这样一段话：按照不同容量，存储器组织成：
32个1k字节/页（小容量）128个1k字节/页（中容量）256个2k字节/页（大容量）
这段话怎么理解呢，就是告诉我们小容量的设备（内存是6k和32k）的设备是由1k字节每页组成的。
中容量的设备（内存是64k和128k）的设备是由1k字节每页组成的。大容量的设备（内存是256k、384k和512k）的设备是由2k字节每页组成的。
举个例子吧：
一个芯片的存储容量是64k，这64k是什么呢，就是64*1024个byte，一个byte是由8位0或1组成的，（比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节，用十进制来说就是15）
小结一下：64k的flash可以存储64*1024个字节的数据。
咱们继续说，这64k的数据怎么划分，存储是按照页为单位进行存储的，一页1k的容量，也就说一页可以存储1024个字节。
一共是多少页？
答案是：64页，我们看一下官方是不是这么说的。
在闪存编程手册里确实是这么说的，所以我们刚才说是64页是正确的
二、 读写步骤：
上面我们知道了芯片是怎么分类的，下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。
内部flash我们参照hal库或者标准库，直接调用st公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准库，有兴趣的小伙伴可以去看看hal库。
是不是有小伙伴会疑问什么是标准库，什么是hal库？
在这里给大家解释一下，这两个库都是st公司，直接把寄存器封装成函数，供大家直接调用某一个函数，就可以完成各种寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便阅读和使用，因为每个函数的名称功能都是不一样的，在调用前可以参考函数的注释，在f0和f4的标准库里甚至有每个函数的用法，不知道为什么在f1的库里把使用步骤去掉了。
咱们继续，读写的话库函数分为：
/*------------ functions used for all stm32f10x devices -----*/void flash_setlatency（uint32_t flash_latency）;void flash_halfcycleaccesscmd（uint32_t flash_halfcycleaccess）;void flash_prefetchbuffercmd（uint32_t flash_prefetchbuffer）;void flash_unlock（void）;void flash_lock（void）;
flash_status flash_erasepage（uint32_t page_address）;flash_status flash_eraseallpages（void）;
flash_status flash_eraseoptionbytes（void）;flash_status flash_programword（uint32_t address， uint32_t data）;flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）;flash_status flash_programoptionbytedata（uint32_t address， uint8_t data）;flash_status flash_enablewriteprotection（uint32_t flash_pages）;flash_status flash_readoutprotection（functionalstate newstate）;
flash_status flash_useroptionbyteconfig（uint16_t ob_iwdg， uint16_t ob_stop， uint16_t ob_stdby）;uint32_t flash_getuseroptionbyte（void）;uint32_t flash_getwriteprotectionoptionbyte（void）;
flagstatus flash_getreadoutprotectionstatus（void）;flagstatus flash_getprefetchbufferstatus（void）;void flash_itconfig（uint32_t flash_it， functionalstate newstate）;flagstatus flash_getflagstatus（uint32_t flash_flag）;void flash_clearflag（uint32_t flash_flag）;flash_status flash_getstatus（void）;
flash_status flash_waitforlastoperation（uint32_t timeout）;
/*------------ new function used for all stm32f10x devices -----*/void flash_unlockbank1（void）;void flash_lockbank1（void）;flash_status flash_eraseallbank1pages（void）;flash_status flash_getbank1status（void）;flash_status flash_waitforlastbank1operation（uint32_t timeout）;
在这里就不一个一个的详细说了，我们说一下常用的就行
1. 解锁void flash_unlock（void）;
2. 上锁void flash_lock（void）;
3. 页擦除flash_status flash_erasepage（uint32_t page_address）;
4. 半字写入flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）;
上面这4个函数就是我们最常用的。
下面说一下数据写入的步骤：
第一步：解锁。
第二步：判断写入的数据是否被擦除过，也就是判断写入的地址内存放的是不是0xffff 这里要重点说一下，为什么要判断是不是0xffff而不是判断是不是0xff呢？因为我们每次写入数据都要写入半字，也就是两个字节的数据才行，而且写入的地址只能是2的整数倍，不能是奇数。这里大家注意一下。
第三步：写入数据 stm32f103c8t6只能按照半字的方式进行数据写入，写入前的数据必须是0xffff，因为flash数据写入，只能写0，不能写1，这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。
第四步：上锁。
第五步：验证写入是否正确。
其实第五步可以省略。
我们看看官方给的写入过程：
好了，其实是一样的。下面我就和大家来分享一下（百分之九十九参考的正点原子的例程）。
//不检查的写入//writeaddr：起始地址//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数 void stmflash_write_nocheck（u32 writeaddr，u16 *pbuffer，u16 numtowrite） { u16 i; for（i=0;i《numtowrite;i++） { flash_programhalfword（writeaddr，pbuffer）; writeaddr+=2;//地址增加2. } }
//从指定地址开始写入指定长度的数据//writeaddr：起始地址（此地址必须为2的倍数！！）//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数（就是要写入的16位数据的个数。）u16 stmflash_buf［stm_sector_size/2］;//最多是2k字节void stmflash_write（u32 writeaddr，u16 *pbuffer，u16 numtowrite） { u32 secpos; //扇区地址 u16 secoff; //扇区内偏移地址（16位字计算） u16 secremain; //扇区内剩余地址（16位字计算） u16 i; u32 offaddr; //去掉0x08000000后的地址 if（writeaddr《stm32_flash_base||（writeaddr》=（stm32_flash_base+1024*stm32_flash_size）））return;//非法地址 flash_unlock（）;
//解锁 offaddr=writeaddr-stm32_flash_base; //实际偏移地址。 secpos=offaddr/stm_sector_size;
//扇区地址 0~127 for stm32f103rbt6 secoff=（offaddr%stm_sector_size）/2;
//在扇区内的偏移（2个字节为基本单位。） secremain=stm_sector_size/2-secoff; //扇区剩余空间大小 if（numtowrite《=secremain） { secremain=numtowrite;//不大于该扇区范围 } while（1） { stmflash_read（（（secpos*stm_sector_size）+stm32_flash_base），stmflash_buf，stm_sector_size/2）;//读出整个扇区的内容 for（i=0;i《secremain;i++）//校验数据// for（i=0;i《（stm_sector_size/2）;i++）//校验数据 { if（stmflash_buf［secoff+i］！=0xffff）break;//需要擦除 // if（stmflash_buf！=0xffff）break;//需要擦除 } flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）;
if（i《secremain）//需要擦除// if（i《（stm_sector_size/2））//需要擦除 { flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）; flash_erasepage（secpos*stm_sector_size+stm32_flash_base）;//擦除这个扇区 for（i=0;i《secremain;i++）//复制 { stmflash_buf［i+secoff］=pbuffer; } stmflash_write_nocheck（secpos*stm_sector_size+stm32_flash_base，stmflash_buf，stm_sector_size/2）;//写入整个扇区 }else stmflash_write_nocheck（writeaddr，pbuffer，secremain）;
//写已经擦除了的，直接写入扇区剩余区间。 if（numtowrite==secremain）break;//写入结束了 else//写入未结束 { secpos++; //扇区地址增1 secoff=0; //偏移位置为0 pbuffer+=secremain; //指针偏移 writeaddr+=（secremain*2）; //写地址偏移 numtowrite-=secremain; //字节（16位）数递减 if（numtowrite》（stm_sector_size/2）） { secremain=stm_sector_size/2;//下一个扇区还是写不完 } else { secremain=numtowrite;//下一个扇区可以写完了 } } } flash_lock（）;//上锁}
最终我们调用stmflash_write（）函数进行数据的写入，是不是有没看懂的小伙伴，我给大家解释一下写入的过程吧。
这个stmflash_write（）函数，是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数，然后按照给定的地址开始写数据，注意红色字体。
写数据是怎么做的呢？
首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页，每一页写入的话起始地址是什么然后开始一页一页的写，当遇到跨页写入的时候，把第二页的地址写进去，写的个数继续写入就行。
还有一个地方很重要，就是我修改了库函数：
/** * ［url=home.php？mod=space&uid=247401］@brief［/url］ programs a half word at a specified address. * ［url=home.php？mod=space&uid=536309］@note［/url］ this function can be used for all stm32f10x devices. * @param address： specifies the address to be programmed. * @param data： specifies the data to be programmed. * @retval flash status： the returned value can be： flash_error_pg， * flash_error_wrp， flash_complete or flash_timeout. */flash_status flash_programhalfword（uint32_t address， uint16_t data）{ flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_pgerr | flash_flag_wrprterr）;
flash_status status = flash_complete; /* check the parameters */ assert_param（is_flash_address（address））;#ifdef stm32f10x_xl /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）;
if（address 《 flash_bank1_end_address） { if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data; /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastbank1operation（programtimeout）;
/* disable the pg bit */ flash-》cr &= cr_pg_reset; } } else { if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr2 |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data; /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastbank2operation（programtimeout）;
/* disable the pg bit */ flash-》cr2 &= cr_pg_reset; } }#else /* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）; if（status == flash_complete） { /* if the previous operation is completed， proceed to program the new data */ flash-》cr |= cr_pg_set; *（__io uint16_t*）address = data;
/* wait for last operation to be completed */ status = flash_waitforlastoperation（programtimeout）; /* disable the pg bit */ flash-》cr &= cr_pg_reset; } #endif /* stm32f10x_xl */ /* return the program status */ return status;}
大家能看出来吗？就是红色字体部分，增加了一个每次写入前清除所有异常状态。为什么添加这个呢？
因为，如果你写入的数据的地址没有擦除，你就写入的话会导致异常状态的发生，而这个异常状态时要手动清除的，如果你没有清除这个异常状态，而继续写入数据的话，那么你后面写入任何数据都会报错，均写不进去，所以我在这里增加了一个异常状态清除，如果前面写入的数据报错了，不会影响我接下来的数据写入。
这里大家就清除为什么了吧。
写数据会了，那么再说一下读数据，其实这里读数据要比外部flash读取容易的多，我们直接读取地址，返回的就是地址存放的数据，是不是很简单。
看下面的函数：
//读取指定地址的半字（16位数据）//faddr：读地址（此地址必须为2的倍数！！）//返回值：对应数据.u16 stmflash_readhalfword（u32 faddr）{ return *（vu16*）faddr; }//从指定地址开始读出指定长度的数据//readaddr：起始地址//pbuffer：数据指针//numtowrite：半字（16位）数void stmflash_read（u32 readaddr，u16 *pbuffer，u16 numtoread） { u16 i; for（i=0;i《numtoread;i++） { pbuffer=stmflash_readhalfword（readaddr）;//读取2个字节。 readaddr+=2;//偏移2个字节。 }}
有没有很开心，读写数据就是这么简单就完成了。
以后如果我们想开发bootloader、把剩余的flash利用起来，就都很简单了。我会把用到的数据手册当成附件挂到下面，大家可以自行下载。（点击“阅读原文”下载）
以后我们再一起学习其他的功能，最后打个广告，st的芯片很给力，大家应该多支持，如果你觉得学到了知识的话，那么请留意评论谢谢。
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MAX44284检流放大电路的介绍及设计时需注意的问题
苹果方向迷失 库克屈从利益背叛用户 苹果魅力加消退产品销量遭遇断崖式下滑
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STM32F103C8T6读写内部flash
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DFRobot初级套件介绍
基于成像亮度计的路面亮度测试方法研究
云计算是什么？为什么要叫云计算？云计算服务有什么？
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云原生方法为下一代5G网络基础设施提供了哪些潜在好处?
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vivoZ5x详细评测 性价比相当高