PN8611：优化12V1A适配器性能的关键组件
pn8611集成超低待机功耗原边控制器、fb下偏电阻和电容、vdd供电二极管、cs电阻及650v高雪崩能力智能功率mosfet，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。pn8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和tl431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230vac）小于50mw。
pn8611是一款全电压实现12v1a输出的电源适配器芯片，pcba尺寸：50.0mm*38.0mm*16.0mm，12w功率输出，待机功耗83.26%，可满足coc v5 tier 2，全电压可实现±3%的cc/cv输出精度，具有市电异常保护，输出短路、vdd过压、fb上电阻异常、肖特基短路、过温等保护功能。
12v1a适配器方案亮点：
■ 高集成度，仅2颗外围，1颗供电电容和1颗调节输出电压的反馈电阻；
■ 高恒压恒流精度，利用cp trim和ft trim技术，实现cc/cv 3%精度；
■ 高可靠性，精准实现市电异常保护；
■ 高转换效率，多工作模式轻松满足coc v5 tier 2能效标；
■ 卓越emc性能，无y无共模，emc余量大于6db
基于pn8611的12v1a适配器方案，在bom精简至21颗元器件的情况下，方案依然可满足coc v5 tier 2能效要求且安规、emc余量充足，实乃应对12v1a适配器激烈竞争中的一把利刃。
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