内存ssd价格走势跌跌不休背后的原因深度分析
据digitimes报道，产业链消息人士本周透露，nand flash闪存的价格在2019年将继续下滑，虽然今年已经累计榨干50%水分。
此前的一份报道称，2019年，ssd每gb的单价会跌至0.08美元（约合0.56元）。
报道称，价格下滑的主要推手是产能“刹不住车”，包括96层堆叠的3d闪存方案将新鲜登场。文章援引威刚科技董事长陈立白（simon chen）的话，厂家会继续增加存储设施的生产能力，只不过，闪存类产品的价格会比今年有更大的降幅。
值得一提的是，明年，我国的长江存储也将量产nand存储芯片，入局ssd上游供应链。
另外，dram芯片的产能由于被三星、sk海力士和美光三巨头死死卡住，2019又无增产计划，看起来难有大的价格波动。
从上游供应解读闪存价格未来走势
nand flash价格在经历2年涨价的时期后，2018年回归理性，截至到10月初，2018年nand flash价格指数已累积下滑高达57%，nand flash每gb价格下探至0.1美金，基本已回到了2016年涨价前的价格水平。
近期，即使在传统的q3旺季，也依然未能扭转nand flash价格下滑的颓势，中国闪存市场chinaflashmarket预计，受传统淡季需求减弱的影响，q4 nand flash价格可能依然持续下滑的趋势。
2018年以来，由于nand flash价格持续下滑且跌幅超乎预期，相较于2016年和2017年nand flash涨价时期，部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响，再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、sk海力士等不仅3d技术快速迭代，而且加码投资新建工厂，同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下，部分市场业内人士纷纷看衰nand flash产业。中国闪存市场chinaflashmarket认为，nand跌价是价格冲高回落的自然现象，不必过于担忧。
近5年nand flash综合价格指数走势
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至2018年10月15日
2018年nand价格“折腰”， 2019年跌势难改，都是3d技术推进的必然走向
nand flash价格走势是由市场供需决定的，2016年和2017年由于处于原厂2d nand向3d nand切换的空窗期，使得nand flash供应减少，而需求端智能型手机和ssd容量需求依然在增长，导致市场供不应求，同时nand flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3d nand产出量，目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3d nand占比已达到80%，美光甚至可以达到90%，3d nand产能增加，导致市场供过于求。
中国闪存市场chinaflashmarket进一步分析，以目前主流的64层3d nand技术为例，一片wafer晶圆（12英寸）大约可以切割出1000颗256gbit的die。相较于1znm工艺2d技术所切割出的600多颗128gbit的die，不仅容量翻倍，单颗die的总数更是增加了60%，这是导致nand flash相关产品价格下滑的主要因素。
展望2019年，在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、sk海力士等均已发布了其新一代96层3d nand技术，且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划，预计96层3d nand将在2019上半年规模化量产。据了解，96层3d nand由于初期良率较低，相较于64层3d nand没有成本优势，但随着良率的不断提高，成本优势将逐渐显现，中国闪存市场chinaflashmarket预计2019年nand flash价格将会进一步下滑。
wafer晶圆产能分析
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
国际原厂nand拼扩产，dram保守以待，如何解读存储市场行情？
2018年新一轮nand扩产开始，三星除了fab18这个大型工厂外，还开始新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂fab6开始投产96层3d nand，又新建fab 7，sk海力士m15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3d nand，还有美光新建的fab10三期工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，满载产能可达到15万片/月。
根据规划，各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。nand flash产能大幅度增加，一是填补2016年和2017年市场供应的缺口，二是为了新一代96层3d技术投产，满足智能型手机和ssd对大容量不断增长的需求。
国际原厂新工厂投产情况
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
反观dram市场，相较于nand flash产业不断增加的产能，三星、美光、sk海力士三大原厂对dram增产持保守态度，三星、美光、sk海力士受惠于两年持续走高的dram价格，营收和获利持续走高，所以各家都不急于扩建dram工厂，以免产能过剩导致价格惨跌，影响获利。市场数据反馈dram在服务器、pc和智能手机的应用没有太大的增幅，而dram工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的产能。三星原定每月增产dram计划已延期，同时为避免dram价格下滑，计划下修2019年2成的dram投资额，sk海力士也推迟了dram扩产计划。但是dram的压力还是与日俱增，形成dram堰塞湖。
nand和dram两行情与市场需求有关，首先dram在智能型手机上的平均lpddr容量3.2gb，而nand flash平均需求则超过80gb；其次pc出货持续萎缩，又遇英特尔处理器缺货，dram标配4gb，高配也仅16gb，而pc搭载的ssd容量则在240gb以上，第三：在服务器市场，ibm、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星z-nand来满足大数据存储需求，取代部分dram的应用。optane内存虽然有“内存”之名，但它并非是我们通常理解的dram内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘（包括hdd和ssd）进行加速。
3d xpoint的优势。按官方数据，3d xpoint的读写速度和寿命均为nand flash的1000倍，延迟是nand flash的千分之一，dram的10倍；存储密度则是内存的10倍。
智能手机和ssd主力市场合计消耗85%以上的产能，未来nand产业依然好光景
在国际原厂3d技术和产能增加的推动下，2018年nand flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿gb当量。需求端，2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台，高端手机苹果、三星等旗舰机搭载flash容量由256gb向512gb提升，华为、oppo、vivo、小米等从64gb/128gb向128gb/256gb，甚至512gb容量转移，以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的nand产能。
2018年高端旗舰机容量成倍增加
ssd在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲，2018年全球ssd的出货量将达1.92亿台，相较于2017年增长22%。全球ssd市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级ssd，2018年平均容量已经达到2tb/台，仅企业级市场就消耗了25%的nand flash产能。2018年ssd与嵌入式产品合计消耗85%以上的nand flash产能，2019年仍然是主力需求市场。
全球ssd出货量增长走势（百万/台）
全球企业级ssd出货量增长走势（百万/台）
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
ssd抢占的是hdd市场，ssd价格下滑是其成长的最大动力，尤其是在消费类市场，2016年和2017年因为nand flash缺货，ssd价格大幅上涨，同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来ssd价格持续下滑，目前价格已跌破2016年所创下的历史低点，其中240gb和480gb价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%，部分240gb价格已跌破30美金，也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240gb、480gb、960gb普及。
2018年1-10月240gb tlc ssd价格走势
2018年1-10月480gb tlc ssd价格走势
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至10月9日
在智能型手机和ssd需求带动下，nand flash产业呈现健康的发展趋势，而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起，将会产生更多的数据量，且要求高速、复杂的处理数据，对nand flash的需求不断增加。
当下nand flash价格下滑，更多的是对企业综合实力的考验，也会加速淘汰没有竞争力的企业，资源会向有竞争力的公司汇聚，2008年市场恶劣的时候，市场存储企业从几百家淘汰到几十家，现在的情况也是类似。
“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场，需求多样而多变，通过提高企业自身自主创新技术，充分理解本土客户需求，厚积薄发，实现企业的成长。
FPGA设计的7项原则介绍
卷轴屏手机何时量产?
西部电子信息产业发展全展现，2017中国（成都）电子展火热开幕！
毫米波雷达信号处理系统的技术特点
使用COMSOL Multiphysics软件建立多相流仿真指导污水处理厂设计
内存ssd价格走势跌跌不休背后的原因深度分析
国内无线充电市场“大成者”_新捷推出第8款芯片总出货量16KK
如何衡量数字音视频系统的优劣程度？
基于人工智能的金融服务和解决方案实现即时商业支付
基于OHCI 的主机控制器的接口设计
激光扩束镜的参数指标、基本原理和产品选型
有哪些克服CAN设计挑战的方法？
电流互感器（CT）在变压器中的应用有哪些？
深入分析可编程网络的演进趋势
医院通风系统物联网远程监控运维系统解决方案
大屏/小屏/中屏3G手机入门教程
国际新型显示技术汇聚：8K电视面板、柔性OLED显示屏一个不少
阻燃电缆和普通电缆区别
区块链通过经济的正反向激励来实现人与人之间的协作
电动汽车的“快充”到底能有多快
此前的一份报道称，2019年，ssd每gb的单价会跌至0.08美元（约合0.56元）。
报道称，价格下滑的主要推手是产能“刹不住车”，包括96层堆叠的3d闪存方案将新鲜登场。文章援引威刚科技董事长陈立白（simon chen）的话，厂家会继续增加存储设施的生产能力，只不过，闪存类产品的价格会比今年有更大的降幅。
值得一提的是，明年，我国的长江存储也将量产nand存储芯片，入局ssd上游供应链。
另外，dram芯片的产能由于被三星、sk海力士和美光三巨头死死卡住，2019又无增产计划，看起来难有大的价格波动。
从上游供应解读闪存价格未来走势
nand flash价格在经历2年涨价的时期后，2018年回归理性，截至到10月初，2018年nand flash价格指数已累积下滑高达57%，nand flash每gb价格下探至0.1美金，基本已回到了2016年涨价前的价格水平。
近期，即使在传统的q3旺季，也依然未能扭转nand flash价格下滑的颓势，中国闪存市场chinaflashmarket预计，受传统淡季需求减弱的影响，q4 nand flash价格可能依然持续下滑的趋势。
2018年以来，由于nand flash价格持续下滑且跌幅超乎预期，相较于2016年和2017年nand flash涨价时期，部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响，再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、sk海力士等不仅3d技术快速迭代，而且加码投资新建工厂，同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下，部分市场业内人士纷纷看衰nand flash产业。中国闪存市场chinaflashmarket认为，nand跌价是价格冲高回落的自然现象，不必过于担忧。
近5年nand flash综合价格指数走势
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至2018年10月15日
2018年nand价格“折腰”， 2019年跌势难改，都是3d技术推进的必然走向
nand flash价格走势是由市场供需决定的，2016年和2017年由于处于原厂2d nand向3d nand切换的空窗期，使得nand flash供应减少，而需求端智能型手机和ssd容量需求依然在增长，导致市场供不应求，同时nand flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3d nand产出量，目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3d nand占比已达到80%，美光甚至可以达到90%，3d nand产能增加，导致市场供过于求。
中国闪存市场chinaflashmarket进一步分析，以目前主流的64层3d nand技术为例，一片wafer晶圆（12英寸）大约可以切割出1000颗256gbit的die。相较于1znm工艺2d技术所切割出的600多颗128gbit的die，不仅容量翻倍，单颗die的总数更是增加了60%，这是导致nand flash相关产品价格下滑的主要因素。
展望2019年，在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、sk海力士等均已发布了其新一代96层3d nand技术，且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划，预计96层3d nand将在2019上半年规模化量产。据了解，96层3d nand由于初期良率较低，相较于64层3d nand没有成本优势，但随着良率的不断提高，成本优势将逐渐显现，中国闪存市场chinaflashmarket预计2019年nand flash价格将会进一步下滑。
wafer晶圆产能分析
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
国际原厂nand拼扩产，dram保守以待，如何解读存储市场行情？
2018年新一轮nand扩产开始，三星除了fab18这个大型工厂外，还开始新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂fab6开始投产96层3d nand，又新建fab 7，sk海力士m15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3d nand，还有美光新建的fab10三期工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，满载产能可达到15万片/月。
根据规划，各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。nand flash产能大幅度增加，一是填补2016年和2017年市场供应的缺口，二是为了新一代96层3d技术投产，满足智能型手机和ssd对大容量不断增长的需求。
国际原厂新工厂投产情况
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
反观dram市场，相较于nand flash产业不断增加的产能，三星、美光、sk海力士三大原厂对dram增产持保守态度，三星、美光、sk海力士受惠于两年持续走高的dram价格，营收和获利持续走高，所以各家都不急于扩建dram工厂，以免产能过剩导致价格惨跌，影响获利。市场数据反馈dram在服务器、pc和智能手机的应用没有太大的增幅，而dram工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的产能。三星原定每月增产dram计划已延期，同时为避免dram价格下滑，计划下修2019年2成的dram投资额，sk海力士也推迟了dram扩产计划。但是dram的压力还是与日俱增，形成dram堰塞湖。
nand和dram两行情与市场需求有关，首先dram在智能型手机上的平均lpddr容量3.2gb，而nand flash平均需求则超过80gb；其次pc出货持续萎缩，又遇英特尔处理器缺货，dram标配4gb，高配也仅16gb，而pc搭载的ssd容量则在240gb以上，第三：在服务器市场，ibm、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星z-nand来满足大数据存储需求，取代部分dram的应用。optane内存虽然有“内存”之名，但它并非是我们通常理解的dram内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘（包括hdd和ssd）进行加速。
3d xpoint的优势。按官方数据，3d xpoint的读写速度和寿命均为nand flash的1000倍，延迟是nand flash的千分之一，dram的10倍；存储密度则是内存的10倍。
智能手机和ssd主力市场合计消耗85%以上的产能，未来nand产业依然好光景
在国际原厂3d技术和产能增加的推动下，2018年nand flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿gb当量。需求端，2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台，高端手机苹果、三星等旗舰机搭载flash容量由256gb向512gb提升，华为、oppo、vivo、小米等从64gb/128gb向128gb/256gb，甚至512gb容量转移，以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的nand产能。
2018年高端旗舰机容量成倍增加
ssd在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲，2018年全球ssd的出货量将达1.92亿台，相较于2017年增长22%。全球ssd市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级ssd，2018年平均容量已经达到2tb/台，仅企业级市场就消耗了25%的nand flash产能。2018年ssd与嵌入式产品合计消耗85%以上的nand flash产能，2019年仍然是主力需求市场。
全球ssd出货量增长走势（百万/台）
全球企业级ssd出货量增长走势（百万/台）
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com
ssd抢占的是hdd市场，ssd价格下滑是其成长的最大动力，尤其是在消费类市场，2016年和2017年因为nand flash缺货，ssd价格大幅上涨，同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来ssd价格持续下滑，目前价格已跌破2016年所创下的历史低点，其中240gb和480gb价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%，部分240gb价格已跌破30美金，也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240gb、480gb、960gb普及。
2018年1-10月240gb tlc ssd价格走势
2018年1-10月480gb tlc ssd价格走势
数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至10月9日
在智能型手机和ssd需求带动下，nand flash产业呈现健康的发展趋势，而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起，将会产生更多的数据量，且要求高速、复杂的处理数据，对nand flash的需求不断增加。
当下nand flash价格下滑，更多的是对企业综合实力的考验，也会加速淘汰没有竞争力的企业，资源会向有竞争力的公司汇聚，2008年市场恶劣的时候，市场存储企业从几百家淘汰到几十家，现在的情况也是类似。
“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场，需求多样而多变，通过提高企业自身自主创新技术，充分理解本土客户需求，厚积薄发，实现企业的成长。
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卷轴屏手机何时量产?
西部电子信息产业发展全展现，2017中国（成都）电子展火热开幕！
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