吸收式和反射式开关的区别
前两天，汪三让我帮他找一个吸收式的开关，哼哧哼哧地找了好久才找到。结果他又说，隔离度也不是太好啊？为啥比你之前给我推荐的反射式的还要差？
超级大帅哥：为啥你一定要用吸收式的开关？
汪三：不是说吸收式比反射式的隔离度要好很多吗？
超级大帅哥：开关的性能取决于芯片的设计及工艺等因素，在同等情况下，吸收式是比反射式的隔离度要好，但如果设计和工艺有差距的情况下，吸收式的隔离度反而比反射式的要差。
汪三：我不管，我不管，你给我找个隔离度高的开关。
超级大帅哥：你可听闻闪电五连鞭和“别打脸3000”？
汪三：哎呦，别打脸，别打脸！
好爽！！！！！
现在看一下两者的架构：
反射式开关（一）架构：
图一
吸收式开关架构：
图二
从上面两张图对比，我们可以发现在rfc切换到rf1或rf2的时候，两者是有差别的。
反射式开关（一）在rfc切换到任意一路后，另一路一定是空载，在空载的情况下，对应的s参数将不在50ω阻抗附近。比如rf1接tx，rf2接rx，当rfc切到rf1的时候，rf2空载。当有tx发射信号的时候，会有一定的信号耦合到rf2上，从而进入到rx路径，从而产生额外底噪，这个时候开关的隔离度参数就非常重要了隔离度越高，耦合到rf2上的信号越低，底噪就越低。
再看吸收式开关，在rfc切换到任意一路后，另一路都是通过负载（如图二中红色圆圈内所示）短接到地的，比如rf1接tx，rf2接rx，当rfc切到rf1的时候，rf2切换后短路到负载，然后接地。耦合信号会先被负载吸收，然后再被gnd吸收，不会传导到rx路径上，再加上良好的隔离度，这样就会大大地降低额外产生的底噪，提升系统抗干扰能力。
反射式开关还有另外一种形式，如图三，反射式开关架构（二）：
图三
反射式开关（二），这里，我们会发现rf1/rf2在rfc切换到任意一路后，另一路一定会切换连接到gnd的，这种方式叫短路反射式开关。在rfc切换到任意一路后，另一路短接到地（如图三中红色圆圈内所示），比如rf1接tx，rf2接rx，当rfc切到rf1的时候，rf2切换后短路到gnd。信号耦合到rf2上后，一部分会传导到gnd，一部分继续传导到rx路径，如果隔离度良好的话，也会降低额外产生的底噪，提升系统抗干扰能力。但是相对吸收式开关来说，还是有点小差距的。
这是反射式和吸收式开关的差别， 其他性能相近且不考虑价格的情况下 ，三者比较如下。
开关切换的时候反射式开关（一）反射式开关（二）吸收式开关
s11/22 较差 中等 好
断连阻抗 偏高 偏高 50ω
抗干扰能力 较差 中等 好
讲故事总有个“但是”，不错吧！
我们这里也有个但是，不论是吸收式还是反射式开关，我们选择它们的时候，都是要根据性能来选择的，比如il（插损），isolation（隔离度），rl（回损），功率承载上限，线性度（如p0.1db/oip1,oip3）,开/关时间等参数。
如果产品是大功率的话，性能都接近的话，就选吸收式的，避免s22参数不好的问题而导致芯片烧毁或底噪过大。
如果产品是低功率的话，性能都接近的话，可以选反射式的，价格相对便宜一些，可选择物料较多。
开关选择还是要根据实际项目需求来选择，不能和汪三一样，一味追求吸收式的开关。
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图一
吸收式开关架构：
图二
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反射式开关还有另外一种形式，如图三，反射式开关架构（二）：
图三
反射式开关（二），这里，我们会发现rf1/rf2在rfc切换到任意一路后，另一路一定会切换连接到gnd的，这种方式叫短路反射式开关。在rfc切换到任意一路后，另一路短接到地（如图三中红色圆圈内所示），比如rf1接tx，rf2接rx，当rfc切到rf1的时候，rf2切换后短路到gnd。信号耦合到rf2上后，一部分会传导到gnd，一部分继续传导到rx路径，如果隔离度良好的话，也会降低额外产生的底噪，提升系统抗干扰能力。但是相对吸收式开关来说，还是有点小差距的。
这是反射式和吸收式开关的差别， 其他性能相近且不考虑价格的情况下 ，三者比较如下。
开关切换的时候反射式开关（一）反射式开关（二）吸收式开关
s11/22 较差 中等 好
断连阻抗 偏高 偏高 50ω
抗干扰能力 较差 中等 好
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我们这里也有个但是，不论是吸收式还是反射式开关，我们选择它们的时候，都是要根据性能来选择的，比如il（插损），isolation（隔离度），rl（回损），功率承载上限，线性度（如p0.1db/oip1,oip3）,开/关时间等参数。
如果产品是大功率的话，性能都接近的话，就选吸收式的，避免s22参数不好的问题而导致芯片烧毁或底噪过大。
如果产品是低功率的话，性能都接近的话，可以选反射式的，价格相对便宜一些，可选择物料较多。
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