半导体封装技术及其应用知识
半导体封装技术及其应用知识
1 引言
半导体技术的进步大大提高了芯片晶体管数量和功能,这一集成规模在几年前是无法想象的。因此,如果没有ic封装技术快速的发展，不可能实现便携式电子产品的设计。在消费类产品小型化和更轻、更薄发展趋势的推动下，制造商开发出更小的封装类型。最小的封装当然是芯片本身，图1描述了ic从晶片到单个芯片的实现过程，图2为一个实际的晶片级封装(csp)。
晶片级封装的概念起源于1990年，在1998年定义的csp分类中。晶片级csp是多种应用的一种低成本选择,这些应用包括eeprom等引脚数量较少的器件，以及asic和微处理器。csp采用晶片级封装(wlp)工艺加工，wlp的主要优点是所有装配和测试都在晶片上进行。随着晶片尺寸的增大、管芯的缩小，wlp的成本不断降低。作为最早采用该技术的公司,dallas semiconductor在1999年便开始销售晶片级封装产品。
2 命名规则
业界在wlp的命名上还存在分歧。csp晶片级技术非常独特，封装内部并没有采用键合方式。封装芯片的命名也存在分歧。常用名称有：倒装芯片(stmicroelectronics和dalias semiconductortm)、csp、晶片级封装、wlcsp、wl-csp、microsmd(na-tional semiconductor)、ucsp(maxim integrated prod-ucts)、凸起管芯以及microcsp(analog devices)等。
对于maxim/dallas semiconductor，倒装芯片和晶片级封装，最初是所有晶片级封装的同义词。过去几年中，封装也有了进一步地细分。在本文以及所有maxim资料中，包括公司网站，倒装芯片是指焊球具有任意形状、可以放在任何位置的晶片级封装管芯(边沿有空隙)。晶片级封装是指在间隔规定好的栅格上有焊球的晶片级封装管芯。图3解释了这些区别，值得注意的是，并不是所有栅格位置都要有焊球。图3中的倒装芯片尺寸反映了第一代dallas semiconductor的wlp产品：晶片级封装尺寸来自各个供应商，包括maxim。目前，maxim和dallas semiconductor推出的新型晶片级封装产品的标称尺寸如表1所列。
3 晶片级封装(wlp)技术
提供wlp器件的供应商要么拥有自己的wlp生产线，要么外包封装工艺。各种各样的生产工艺必须能够满足用户的要求。确保最终产品的可靠性。美国亚利桑那州凤凰城的fci、美国北卡罗莱纳州的unitive建立了wlp技术标准，产品名为ultracsp(fci)和xtreme(unitive)。amkor在并购umitive后，为全世界半导体行业提供wlp服务。
在电路/配线板上,将芯片和走线连接在一起的焊球最初采用锡铅共晶合金(sn63pb37)。为了减少电子产品中的有害物质(rohs)，半导体行业不得不采用替代材料，例如无铅焊球(sn96.5ag3cu0.5)或者高铅焊球(pb95sn5)。每种合金都有其熔点，因此，在元器件组装回流焊工艺中，温度曲线比较特殊,在特定温度上需保持一段时间。
集成电路的目的在于提供系统所需的全部电子功能，并能够装配到特定封装中。芯片上的键合焊盘通过线键合连接至普通封装的引脚上。普通封装的设计原则要求键合焊盘位于芯片周界上。为避免同一芯片出现两种设计(一种是普通封装，另一种是csp)，需要重新分配层连接焊球和键合焊盘。
4 晶片级封装器件的可靠性
晶片级封装(倒装芯片和ucsp)代表一种独特的封装外形，不同于利用传统的机械可靠性测试的封装产品。封装的可靠性主要与用户的装配方法、电路板材料以及其使用环境有关。用户在考虑使用wlp型号之前，应认真考虑这些问题。首先必须进行工作寿命测试和抗潮湿性能测试,这些性能主要由晶片制造工艺决定。机械压力性能对wlp而言是比较大的问题，倒装芯片和ucsp直接焊接后，与用户的pcb连接，可以缓解封装产品铅结构的内部压力。因此，必须保证焊接触点的完整性。
5 结束语
目前的倒装芯片和csp还属于新技术,处于发展阶段。正在研究改进的措施是将采用背面叠片覆层技术(bsl)，保护管芯的无源侧，使其不受光和机械冲击的影响，同时提高激光标识在光照下的可读性。除了bsl，还具有更小的管芯厚度，保持装配总高度不变。maxim ucsp尺寸(参见表1)说明了2007年2月产品的封装状况。依照业界一般的发展趋势，这些尺寸有可能进一步减小。因此，在完成电路布局之前，应该从各自的封装外形上确定设计的封装尺寸。
此外，了解焊球管芯wlp合金的组成也很重要，特别是器件没有声明或标记为无铅产品时。带有高铅焊球(pb95s
n5)的某些器件通过了无铅电路板装配回流焊工艺测试，不会显著影响其可靠性。采用共晶snpb焊球的器件需要同类共晶snpb焊接面，因此，不能用于无铅装配环境。
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1 引言
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晶片级封装的概念起源于1990年，在1998年定义的csp分类中。晶片级csp是多种应用的一种低成本选择,这些应用包括eeprom等引脚数量较少的器件，以及asic和微处理器。csp采用晶片级封装(wlp)工艺加工，wlp的主要优点是所有装配和测试都在晶片上进行。随着晶片尺寸的增大、管芯的缩小，wlp的成本不断降低。作为最早采用该技术的公司,dallas semiconductor在1999年便开始销售晶片级封装产品。
2 命名规则
业界在wlp的命名上还存在分歧。csp晶片级技术非常独特，封装内部并没有采用键合方式。封装芯片的命名也存在分歧。常用名称有：倒装芯片(stmicroelectronics和dalias semiconductortm)、csp、晶片级封装、wlcsp、wl-csp、microsmd(na-tional semiconductor)、ucsp(maxim integrated prod-ucts)、凸起管芯以及microcsp(analog devices)等。
对于maxim/dallas semiconductor，倒装芯片和晶片级封装，最初是所有晶片级封装的同义词。过去几年中，封装也有了进一步地细分。在本文以及所有maxim资料中，包括公司网站，倒装芯片是指焊球具有任意形状、可以放在任何位置的晶片级封装管芯(边沿有空隙)。晶片级封装是指在间隔规定好的栅格上有焊球的晶片级封装管芯。图3解释了这些区别，值得注意的是，并不是所有栅格位置都要有焊球。图3中的倒装芯片尺寸反映了第一代dallas semiconductor的wlp产品：晶片级封装尺寸来自各个供应商，包括maxim。目前，maxim和dallas semiconductor推出的新型晶片级封装产品的标称尺寸如表1所列。
3 晶片级封装(wlp)技术
提供wlp器件的供应商要么拥有自己的wlp生产线，要么外包封装工艺。各种各样的生产工艺必须能够满足用户的要求。确保最终产品的可靠性。美国亚利桑那州凤凰城的fci、美国北卡罗莱纳州的unitive建立了wlp技术标准，产品名为ultracsp(fci)和xtreme(unitive)。amkor在并购umitive后，为全世界半导体行业提供wlp服务。
在电路/配线板上,将芯片和走线连接在一起的焊球最初采用锡铅共晶合金(sn63pb37)。为了减少电子产品中的有害物质(rohs)，半导体行业不得不采用替代材料，例如无铅焊球(sn96.5ag3cu0.5)或者高铅焊球(pb95sn5)。每种合金都有其熔点，因此，在元器件组装回流焊工艺中，温度曲线比较特殊,在特定温度上需保持一段时间。
集成电路的目的在于提供系统所需的全部电子功能，并能够装配到特定封装中。芯片上的键合焊盘通过线键合连接至普通封装的引脚上。普通封装的设计原则要求键合焊盘位于芯片周界上。为避免同一芯片出现两种设计(一种是普通封装，另一种是csp)，需要重新分配层连接焊球和键合焊盘。
4 晶片级封装器件的可靠性
晶片级封装(倒装芯片和ucsp)代表一种独特的封装外形，不同于利用传统的机械可靠性测试的封装产品。封装的可靠性主要与用户的装配方法、电路板材料以及其使用环境有关。用户在考虑使用wlp型号之前，应认真考虑这些问题。首先必须进行工作寿命测试和抗潮湿性能测试,这些性能主要由晶片制造工艺决定。机械压力性能对wlp而言是比较大的问题，倒装芯片和ucsp直接焊接后，与用户的pcb连接，可以缓解封装产品铅结构的内部压力。因此，必须保证焊接触点的完整性。
5 结束语
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此外，了解焊球管芯wlp合金的组成也很重要，特别是器件没有声明或标记为无铅产品时。带有高铅焊球(pb95s
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