LED寿命怎么衡量，光衰减百分比来规定
led的长时间工作会光衰引起老化，尤其对大功率led来说，光衰问题更加严重。在衡量led的寿命时，仅仅以灯的损坏来作为 led显示屏寿命的终点是远远不够的，应该以led的光衰减百分比来规定led的寿命，比如5%或10%，这样更有意义。
光衰：在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 饱和电位，就是最高电位。
表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为暗衰过程。
感光鼓经扫描曝光时，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消失，光导体表面电位也迅速下降，称之为光衰，最后趋缓。
致衰退效应：也称s-w效应。
a-si∶h薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为steabler-wronski效应。
对s-w效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。
总的看法认为,s-w效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态，这种缺陷态会影响a-si：h薄膜材料的费米能级ef的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。
在a-si：h薄膜材料中,能够稳定存在的是si-h键和与晶体硅类似的si-si键，这些键的键能较大,不容易被打断。
由于a-si：h材料结构上的无序,使得一些si-si键的键长和键角发生变化而使si-si键处于应变状态。
高应变si-si键的化学势与h相当,可以被外界能量打断,形成si-h键或重新组成更强的si-si键。如果断裂的应变si-si键没有重构,则a-si∶h薄膜的悬挂键密度增加。
为了更好地理解s-w效应产生的机理并控制a-si∶h薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(sjt)模型、“h玻璃”模型、h碰撞模型、si-h-si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
智能电网基础知识：什么是柔性输电？
应用横格式分样器过程中需要注意的事项有哪些
数字化创新将会成为未来时代发展的新常态
XP Power推出超紧凑尺寸ECS60
理工雷科民航领域系统产品燃爆展会 创新科技助力民航高质量发展
LED寿命怎么衡量，光衰减百分比来规定
NAND闪存市场将继续供过于求，2018年第二季度SSD价格可能会下降10%或更多
中国联通年度业绩 营业收入达3279亿
2018中国半导体市场年会暨IC峰会在南京举行
IBM将收购APM创业公司以继续扩展混合云计算
索尼想通过哪项技术摆脱对手机等消费电子市场的依赖？
MPX扩散硅压阻式传感器
超高亮LED迷你台灯工作原理
Acrel-3200远程预付费系统的应用
谁才是最好的全面屏手机?
笔记本维护透视——输入篇
科普：火车行驶中发出的各种鸣笛声代表什么意思？
锁存器和触发器的定义和比较
为什么智能制造如此重要?
Xilinx Spartan-6 FPGA在频谱分析仪中的应用
光衰：在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 饱和电位，就是最高电位。
表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为暗衰过程。
感光鼓经扫描曝光时，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消失，光导体表面电位也迅速下降，称之为光衰，最后趋缓。
致衰退效应：也称s-w效应。
a-si∶h薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为steabler-wronski效应。
对s-w效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。
总的看法认为,s-w效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态，这种缺陷态会影响a-si：h薄膜材料的费米能级ef的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。
在a-si：h薄膜材料中,能够稳定存在的是si-h键和与晶体硅类似的si-si键，这些键的键能较大,不容易被打断。
由于a-si：h材料结构上的无序,使得一些si-si键的键长和键角发生变化而使si-si键处于应变状态。
高应变si-si键的化学势与h相当,可以被外界能量打断,形成si-h键或重新组成更强的si-si键。如果断裂的应变si-si键没有重构,则a-si∶h薄膜的悬挂键密度增加。
为了更好地理解s-w效应产生的机理并控制a-si∶h薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(sjt)模型、“h玻璃”模型、h碰撞模型、si-h-si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
智能电网基础知识：什么是柔性输电？
应用横格式分样器过程中需要注意的事项有哪些
数字化创新将会成为未来时代发展的新常态
XP Power推出超紧凑尺寸ECS60
理工雷科民航领域系统产品燃爆展会 创新科技助力民航高质量发展
LED寿命怎么衡量，光衰减百分比来规定
NAND闪存市场将继续供过于求，2018年第二季度SSD价格可能会下降10%或更多
中国联通年度业绩 营业收入达3279亿
2018中国半导体市场年会暨IC峰会在南京举行
IBM将收购APM创业公司以继续扩展混合云计算
索尼想通过哪项技术摆脱对手机等消费电子市场的依赖？
MPX扩散硅压阻式传感器
超高亮LED迷你台灯工作原理
Acrel-3200远程预付费系统的应用
谁才是最好的全面屏手机?
笔记本维护透视——输入篇
科普：火车行驶中发出的各种鸣笛声代表什么意思？
锁存器和触发器的定义和比较
为什么智能制造如此重要?
Xilinx Spartan-6 FPGA在频谱分析仪中的应用