这几款全新IGBT产品与仿真工具，助力高效能源系统设计无忧！
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igbt是由4个交替层 (p-n-p-n) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (mos) 栅极的电压进行控制。虽然第三代宽禁带技术碳化硅正获得越来越多的关注，但许多应用仍适合继续使用igbt， 在技术的不断发展和升级下，igbt可实现更低的开关损耗和更高的功率密度。
全新第7代1200v igbt
安森美(onsemi)推出的超高能效明星igbt，具备业界领先的性能水平，能最大程度降低导通损耗和开关损耗，助力客户的系统设计。一起来看看吧~
全新fs7 s系列采用新颖的场截止第7代igbt和二极管技术，集成一个经优化的二极管以实现低vf 、微调的开关软度，可在高达175°c的结温 (tj) 下工作。fgy140t120swd在市场上现有的1200v igbt中具有领先的开关性能。
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储能系统方案 电池可以用来储存太阳能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。
了解电池储能系统 (bess) 的设计挑战和考虑因素、常用拓扑结构以及选择最适合您要求的电源转换半导体器件的技巧。
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首次精确仿真 elite power simulator在线仿真工具和plecs模型自助生成工具，使工程师在开发周期的早期阶段，通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真，获得有价值的参考信息。
elite power仿真工具通过引领业界的plecs模型推动先进技术的发展，这些模型适用于dc-dc llc和cllc谐振、双有源桥和相移全桥等硬开关和软开关应用。
创新sic仿真扫码开始仿真
150v n沟道mosfet
屏蔽栅powertrench
安森美屏蔽栅 powertrench mosfet将导通电阻降至尽可能低，并通过领先的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他mosfet相比，这些mosfet的qrr更低。
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igbt模块 a-type npc
1000v, 800a igbt
nxh800a100l4q2包含一个a-type npc级，集成1000v fs4 igbt、1000v极快二极管和一个ntc热敏电阻。
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