4种常见的MOS管栅极驱动电路,你用过几个?

mos管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个mos管,选择mos管,其次驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
01 ic直接驱动型 
这种电源ic的直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。
图1 ic直接驱动mos栅极
使用这种方法,我们应该注意几个参数及其影响。
首先查看电源ic手册,了解最大峰值驱动电流,因为不同的ic芯片具有不同的驱动能力。
其次,检查mosfet的寄生电容,如图中的c1、c2和c3,如果容值较大,导通mos管所需的能量也比较大。如果电源ic没有足够的峰值驱动电流,晶体管将以较慢的速度开启。
如果驱动能力不足,上升沿可能会出现高频振荡,即使减小图1中的rg也无法解决问题!而ic驱动能力、mosfet寄生电容、mosfet开关速度等因素,也会影响驱动电阻的选择,所以rg不能无限减小。
02 推挽输出电路增强驱动 
该驱动电路的作用是增加电流供应能力,快速完成栅极电容输入的充电过程。这种拓扑增加了开通所需的时间,但减少了关断时间,开关管能够快速开通,避免上升沿的高频振荡。
图2 推挽输出电路增强驱动
03 驱动电路加速mos管的关断 
在关断的瞬间,驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通路,使mosfet的栅极和源极之间的电容快速放电,保证开关管可以快速关断。
为了保证栅源极间电容c2的快速放电,在rg1上并联了一个rg2和一个二极管d1。
其中d1通常采用快恢复二极管,缩短了关断时间并降低了关断损耗;rg2的作用是防止电源ic在关断时因电流过大而烧坏。
图3 加速mos管关断电路
图腾柱电路也可以加速关断,当电源ic的驱动能力足够时,图2中的电路可以改进为下图这种形式。
图4 改善型加速mos管关断电路
用三极管释放gs电容的电是很常见的,如果q1的发射极没有电阻,pnp晶体管导通时栅极与源极之间的电容会短路,可以在最短的时间内实现放电,最大限度地减小关断时的交叉损耗。
图4,因为三极管的存在,栅极和源极之间电容电流不会直接通过电源ic放电,提高了电路可靠性。
04 变压器驱动电路加速mos管的关断 
为了满足驱动高边mos管的要求,如图5所示,通常使用变压器驱动器,有时也用于安全隔离。
使用r1的目的是抑制pcb板上的寄生电感与c1形成lc振荡,其设计目的是隔离直流,通过交流,同时防止磁芯饱和。
图5 高边mosfet驱动电路


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