MOS管内的体二极管简析
用过mos管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。
1、pmos管做开关用，s极作电源输入，d极作输出，当vsg大于阈值电压，mos管导通，一般mos管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。
2、pmos管d极接电源输入，s极接输出，d极首先通过pmos管内部的体二极管到达s极，控制g极为0，vsg大于阈值电压，mos管导通，和上面一样，ds沟道压降很小，ds压差不足以使二极管导通，这时候mos管的体二极管也是截至状态的。
如果控制g极为高电平，pmos管会截至，d极电源输入走的是体二极管路径，一般二极管压降是要比mos管大一些的，所以vs会比vd小一些。
上面场景2，在某些电路场合中经常会用到。
比如双电源供电的方案中，其中一个电压较低，接近负载电源电压，可以直接走mos管的沟道；另外一个电压较高，如果直接导通，ds电压差不多，后端负载承受不住，这时候利用mos管内部的体二极管，增大ds之间的压降，保证了安全。
使用场景2，我们就要考虑寄生二极管的过电流能力和压降。
这个体二极管其实就是一个普通的二极管，也能过较大的电流，比如下面这个，ds沟道能过5.8a，体二极管能过2.9a。
大多数mos管规格书上，是不会给出mos管体二极管相关参数的，或者给的数据比较少。
如果我们要应用在电路中，需要让厂家提供详细的数据。
他们的数据会很完整，包括不同电流下的压降，不用温度下的数据，如常温25℃，75℃等等。
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