安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器

安森美半导体,将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲pcim 2019展会推出新的基于碳化硅(sic)的混合igbt和相关的隔离型大电流igbt门极驱动器。
afghl50t65sqdc采用最新的场截止igbt和sic肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(pfc)和逆变器。
该器件将硅基igbt与sic肖特基势垒二极管共同封装,从而在硅基方案的较低性能和完全基于sic方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 v,能够处理高达100 a@25 °c (50 a@100 °c)的连续电流,以及高达200 a的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统,正温度系数令并行工作更简便。
afghl50t65sqdc可在高达175 °c的结温下工作,适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合aec-q 101认证,进一步证明其适用于电动汽车(ev)和混合动力汽车(hev) 车载充电机。

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