场控晶闸管（MCT）结构设计
随着功率mosfet和igbt的出现，双极型晶体管的发展受到一定影响。但在更高电压、更大电流的应用中，随着外延层（或单晶）厚度、电阻率的的增加，mosfet、igbt导通压降随之大幅上升。而双极型晶体管、晶闸管及其衍生器件由于其具有电导调制
效应，可改善大电流情况下的导通压降，因此，在高压、低频应用领域有着广泛的需求。在结构方面，mct多晶硅栅电极下具有双沟道，分别为开通沟道和关断沟道。mct将晶闸管的大电流容量、高阻断电压、低饱和压降特点和mos场控器件的栅极控制能力结合在一起，降低了低频应用中晶闸管驱动功率和驱动电路的复杂性。
由于mct芯片结构较复杂、制备难度较大、工作条件较严苛，因此为了改善mct的电学特性，需要在深刻理解器件导通机理的基础上，对器件结构参数和工艺条件进行精细的设计和优化。
图1为mct半单胞结构。表1为mct电参数指标。设计得到的mct结构参数和工艺参数为：沟道宽度为4×106μm；单胞半宽度为15μm，窗口区半宽度为5μm，多晶硅区半宽度为10μm；p+衬底厚度和掺杂浓度分别为150μm和1×1019cm-3，衬底晶向为；n-外延层厚度和掺杂浓度分别为160μm和7×1013cm-3（外延层电阻率为63ω.cm）栅氧化层厚度为60nm，注入过程中牺牲氧化层厚度为20nm；p-体区注入剂量和能量分别为3.5×1014cm-2和60kev，p-体区退火时间和温度分别为70min和1150℃；n+体区窗口区宽度为0.5μm，n+体区磷注入剂量和能量分别为8×1014cm-2和60kev；n-体区磷注入剂量和能量分别为5×1014cm-2和60kev， n-体区退火时间和温度分别为130min和1150℃；p+阴极区窗口宽度为2μm，p+阴极区硼注入剂量和能量分别为2×1015cm-2和50kev， p+阴极区退火时间和温度分别为1min和1000℃；开通沟道长度和关断沟道长度分别为2.7μm和0.8μm；侧墙氧化层厚度为0.5μm；硅材料原始少子寿命为10μs；p+阳极区与n-外延层之间采用n+缓冲层结构。纵向结构采用传统的晶闸管工艺实现，横向采用dmos硅栅工艺，终端采用终端结扩展结构。
工艺流程为：扩散p+区→光刻（一次光刻）扩散p-体区→光刻（二次光刻）扩散n+区→生长栅氧化层→生长多晶硅→光刻（三次光刻）扩散n-阱→自对准扩散p+→生长sio2和si3n4→光刻（四次光刻）引线孔→蒸铝→反刻（五次光刻）→钝化→钝化光刻（六次光刻）。
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由于mct芯片结构较复杂、制备难度较大、工作条件较严苛，因此为了改善mct的电学特性，需要在深刻理解器件导通机理的基础上，对器件结构参数和工艺条件进行精细的设计和优化。
图1为mct半单胞结构。表1为mct电参数指标。设计得到的mct结构参数和工艺参数为：沟道宽度为4×106μm；单胞半宽度为15μm，窗口区半宽度为5μm，多晶硅区半宽度为10μm；p+衬底厚度和掺杂浓度分别为150μm和1×1019cm-3，衬底晶向为；n-外延层厚度和掺杂浓度分别为160μm和7×1013cm-3（外延层电阻率为63ω.cm）栅氧化层厚度为60nm，注入过程中牺牲氧化层厚度为20nm；p-体区注入剂量和能量分别为3.5×1014cm-2和60kev，p-体区退火时间和温度分别为70min和1150℃；n+体区窗口区宽度为0.5μm，n+体区磷注入剂量和能量分别为8×1014cm-2和60kev；n-体区磷注入剂量和能量分别为5×1014cm-2和60kev， n-体区退火时间和温度分别为130min和1150℃；p+阴极区窗口宽度为2μm，p+阴极区硼注入剂量和能量分别为2×1015cm-2和50kev， p+阴极区退火时间和温度分别为1min和1000℃；开通沟道长度和关断沟道长度分别为2.7μm和0.8μm；侧墙氧化层厚度为0.5μm；硅材料原始少子寿命为10μs；p+阳极区与n-外延层之间采用n+缓冲层结构。纵向结构采用传统的晶闸管工艺实现，横向采用dmos硅栅工艺，终端采用终端结扩展结构。
工艺流程为：扩散p+区→光刻（一次光刻）扩散p-体区→光刻（二次光刻）扩散n+区→生长栅氧化层→生长多晶硅→光刻（三次光刻）扩散n-阱→自对准扩散p+→生长sio2和si3n4→光刻（四次光刻）引线孔→蒸铝→反刻（五次光刻）→钝化→钝化光刻（六次光刻）。
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