富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓（gan）功率器件芯片mb51t008a，该芯片可耐压150 v。
富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开（normally-off），相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数（fom）可降低近一半。基于富士通半导体的gan功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于ict设备、工业设备和汽车电子等领域。
图1. mb51t008a
mb51t008a具有许多优点，包括：1）导电阻13 mω，总栅极电荷为16 nc，使用相同的击穿电压，实现的品质因数（fom）大约是基于硅的电源芯片产品的一半;2）使用wlcsp封装，最小的寄生电感和高频率操作;3） 专有的栅极设计，可实现默认关闭状态，可进行常关操作。新产品是数据通信设备、工业产品和汽车电源中使用的dc-dc转换器的高边开关和底边开关的理想选择。此外，由于其支持电源电路中更高的开关频率，电源产品可实现整体尺寸缩小和效率的提高。富士通半导体计划于2013年7月起开始提供样片，并于2014年开始批量生产。
除了提供150 v的耐压值产品，富士通半导体还开发了耐压为600 v 和 30 v的产品，从而有助于在更宽广的产品领域提高电源效率。这些gan功率器件芯片采用富士通研究所自20世纪80年代来牵头开发的hemt （高电子迁移率晶体管）技术。富士通半导体在gan领域拥有大量的专利技术和ip，可迅速将gan功率器件产品推向市场。富士通半导体还计划与客户在各个行业建立合作伙伴关系，以进一步拓展业务。
富士通半导体于techno- frontier 2013展出mb51t008a和其它gan产品。时间：2013年7月17-19日，地点：日本东京国际博览中心。公司会提供性能有进一步提高的具有2.5kw输出功率的电源原形产品和测试数据， 该产品的高频pfc模块和高频dc-dc转换器采用了600v耐压的gan功率器件。
主要规格
mb51t008a
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