氮化镓新技术突破！
n极性gan hemt是目前业界的研究热点。
gan晶体管是通过利用“二维电子气”来实现高速操作，而二维电子气的密度会随着gan和algan之间的电极化差异而变化。一般来说，algan 中20%的 aln 比例可提供足够高的导电性，但随着第六代移动通信系统 (6g) 对高速通信需求的增加，业界已经尝试进一步提高它的导电性。
大阪大学官网发文称，他们已经成功研发了2英寸低成本n极性gan-on-aln，并已将研究成果发表在美国科学期刊《science advances》上。
该技术有几个特点：
● 用蓝宝石开发了低成本n极性aln衬底;
● algan 的 aln 比例从20%提高到100%;
● 二维电子气达到3.6×1013cm-2 。
住友电工官网发文称，开发出了世界上第一个可用于“后5g”的单晶衬底gan hemt。该器件是通过在gan 晶体中添加n极性所制成的，可满足晶体管高输出、高频率的需求。
报道称，这是nedo关于“加强后5g信息通信系统基础设施研究开发项目”的成果。2020年6月，nedo发布了该决定，并计划让住友电工从事高频器件高功率、小型化技术的开发。
此前，gan晶体广泛使用的是ga极性，为了实现更高的输出和更高的频率，业界正在开发反向的hemt结构，来增加器件设计的自由度，并可以抑制漏电流。但是，n极性单晶衬底的晶面存在缺陷，因此，在器件设计方面，开发hemt结构需要解决高质量栅极绝缘膜的挑战挡层。住友电工称，他们利用其自身多年积累的晶体生长技术，实现了几乎没有“缺陷”的高质量n极晶体。另外，住友电工还完成了使用高介电材料的n极晶体管，并实现了出色的高频特性。住友电工表示，具有高频率和低功耗特性的gan-hemt对于实现“后5g”至关重要，未来他们将继续开发技术，进一步为提高高频通信、节能和社会脱碳做出贡献。
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