igbt模块参数怎么看 igbt的主要参数有哪些?
igbt模块动态参数
igbt模块参数详解-igbt动态参数
igbt模块动态参数是评估igbt模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、igbt寄生电容参数、栅极充电电荷、igbt开关时间参数，结合igbt模块静态参数可全面评估igbt芯片的性能。
rgint：模块内部栅极电阻:
为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算igbt驱动器的峰值电流能力。
rgext：外部栅极电阻：
外部栅极电阻由用户设置，电阻值会影响igbt的开关性能。
上图中开关测试条件中的栅极电阻为rgext的最小推荐值。用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的rgon和rgoff。
已知栅极电阻和驱动电压条件下，igbt驱动理论峰值电流可由下式计算得到，其中栅极电阻值为内部及外部之和。
实际上，受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性，计算出的峰值电流无法达到。
如果驱动器的驱动能力不够，igbt的开关性能将会受到严重的影响。
最小的rgon由开通di/dt限制，最小的rgoff由关断dv/dt限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成igbt及二极管的损坏。
cge：外部栅极电容：
高压igbt一般推荐外置cge以降低栅极导通速度，开通的di/dt及dv/dt被减小，有利于降低受di/dt影响的开通损耗。
igbt寄生电容参数：
igbt寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容cies及反馈电容cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容coss限制开关转换过程的dv/dt，coss造成的损耗一般可以被忽略。
其中：
cies=cge+cgc：输入电容（输出短路）
coss=cgc+cec：输出电容（输入短路）
cres=cgc：反馈电容（米勒电容）
动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。
cge的值随着vce的变化近似为常量。ccg的值强烈依赖于vce的值，并可由下式估算出：
igbt所需栅极驱动功率可由下式获得：
或者
qg：栅极充电电荷：
栅极充电电荷可被用来优化栅极驱动电路设计，驱动电路必须传递的平均输出功率可通过栅极电荷、驱动电压及驱动频率获得，如下式：
其中的qg为设计中实际有效的栅极电荷，依赖于驱动器输出电压摆幅，可通过栅极
igbt开关时间参数电荷曲线进行较精确的近似。
通过选择对应的栅极驱动输出电压的栅极电荷，实际应该考虑的qg’可以从上图中获取。工业应用设计中，典型的关断栅极电压常被设置为0v或者-8v，可由下式近似计算：
例如，igbt的栅极电荷参数如上表，实际驱动电压为+15/-8v，则所需的驱动功率为：
igbt开关时间参数：
开通延迟时间td(on)：开通时，从栅极电压的10%开始到集电极电流上升至最终的10%为止，这一段时间被定义为开通延迟时间。
开通上升时间tr：开通时，从集电极电流上升至最终值的10%开始到集电极电流上升至最终值的90%为止，这一段时间被定义为开通上升时间。
关断延迟时间td(off)：关断时，从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止，这一段时间被定义为关断延迟时间。
关断下降时间tf：关断时，集电极电流由开通值的90%下降到10%之间的时间。
开关时间的定义由下图所示：
因为电压的上升下降时间及拖尾电流没有制定，上述开关时间参数无法给出足够的信息用来获取开关损耗。因而，单个脉冲的能量损耗被单独给出，单个脉冲开关损耗可由下列积分公式获得：
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rgint：模块内部栅极电阻:
为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算igbt驱动器的峰值电流能力。
rgext：外部栅极电阻：
外部栅极电阻由用户设置，电阻值会影响igbt的开关性能。
上图中开关测试条件中的栅极电阻为rgext的最小推荐值。用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的rgon和rgoff。
已知栅极电阻和驱动电压条件下，igbt驱动理论峰值电流可由下式计算得到，其中栅极电阻值为内部及外部之和。
实际上，受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性，计算出的峰值电流无法达到。
如果驱动器的驱动能力不够，igbt的开关性能将会受到严重的影响。
最小的rgon由开通di/dt限制，最小的rgoff由关断dv/dt限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成igbt及二极管的损坏。
cge：外部栅极电容：
高压igbt一般推荐外置cge以降低栅极导通速度，开通的di/dt及dv/dt被减小，有利于降低受di/dt影响的开通损耗。
igbt寄生电容参数：
igbt寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容cies及反馈电容cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容coss限制开关转换过程的dv/dt，coss造成的损耗一般可以被忽略。
其中：
cies=cge+cgc：输入电容（输出短路）
coss=cgc+cec：输出电容（输入短路）
cres=cgc：反馈电容（米勒电容）
动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。
cge的值随着vce的变化近似为常量。ccg的值强烈依赖于vce的值，并可由下式估算出：
igbt所需栅极驱动功率可由下式获得：
或者
qg：栅极充电电荷：
栅极充电电荷可被用来优化栅极驱动电路设计，驱动电路必须传递的平均输出功率可通过栅极电荷、驱动电压及驱动频率获得，如下式：
其中的qg为设计中实际有效的栅极电荷，依赖于驱动器输出电压摆幅，可通过栅极
igbt开关时间参数电荷曲线进行较精确的近似。
通过选择对应的栅极驱动输出电压的栅极电荷，实际应该考虑的qg’可以从上图中获取。工业应用设计中，典型的关断栅极电压常被设置为0v或者-8v，可由下式近似计算：
例如，igbt的栅极电荷参数如上表，实际驱动电压为+15/-8v，则所需的驱动功率为：
igbt开关时间参数：
开通延迟时间td(on)：开通时，从栅极电压的10%开始到集电极电流上升至最终的10%为止，这一段时间被定义为开通延迟时间。
开通上升时间tr：开通时，从集电极电流上升至最终值的10%开始到集电极电流上升至最终值的90%为止，这一段时间被定义为开通上升时间。
关断延迟时间td(off)：关断时，从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止，这一段时间被定义为关断延迟时间。
关断下降时间tf：关断时，集电极电流由开通值的90%下降到10%之间的时间。
开关时间的定义由下图所示：
因为电压的上升下降时间及拖尾电流没有制定，上述开关时间参数无法给出足够的信息用来获取开关损耗。因而，单个脉冲的能量损耗被单独给出，单个脉冲开关损耗可由下列积分公式获得：
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