基于单片机的系统扩展
一、实验目的
1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
3、学习片外程序存贮器的读方法。
二、实验内容
1.实验原理图：
2、实验内容
（1）使用一片2764eprom，作为片外扩展的程序存贮器，对其进行读。
（2）使用一片6264ram，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。
3、实验说明
（1）在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时，由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器，因此dvcc系统必须处于仿真2状态，即“h.....”态，用mem键即可读出。
（2）在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时，由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器，因此dvcc系统处于仿真1态(“p.....”态)或仿真2态(“h.....”态)，用odrw键即可读写。
（3）读写数据的选用。
本实验采用的是55h(0101，0101)与aah(1010，1010)，一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
（4）在仿真1态即“p.....”状态下，编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若l1灯闪动说明ram读写正常。
三、程序
程序清单：
org 0c80h
mov dptr,#8000h
mov r6,#0fh
mov a,#55h
ram1: mov r7,#0ffh
ram2: movx @dptr,a
clr p1.0
inc dptr
djnz r7,ram2
djnz r6,ram1
mov dptr,#8000h
mov r6,#0fh
ram3: mov r7,#0ffh
ram4: movx a,@dptr
cjne a,#55h,ram6
setb p1.0
inc dptr
djnz r7,ram4
djnz r6,ram3
ram5: clr p1.0
call delay
setb p1.0
call delay
sjmp ram5
delay: mov r5,#0ffh
delay1: mov r4,#0ffh
djnz r4,$
djnz r5,delay1
ret
ram6: setb p1.0
sjmp ram6
end
四、实验步骤
1、片外扩展程序存贮器的读。
(1)将ram/eprom区的d0—d7用排线连到bus2区xd0—xd7，同样用排线将a0—a7连到bus1区xa0—xa7，a8—a12连到bus3区xa8—xa12。
(2)pgm插孔连到+5v插孔。
(3)cs1插孔连到译码输出y0插孔。
(4)oe插孔连到bus3区xpsen插孔。
(5)在dvcc系统处于“p?”状态下，按f1键进入仿真2态(“h.....”状态)。
(6)输入四位程序存贮器地址8000后按mem键读出2764中的内容。
2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)
(1)取出ram/eprom区中的实验监控，再插上数据存贮器6264。
(2)将ram/eprom区的d0—d7用排线连到bus1区xd0—xd7，a0—a7连到bus1区xa0—xa7，a8—a12连到bus3区xa8—xa12。
(3)we插孔与bus3区xwr相连。
(4)cs1插孔连到译码输出y0插孔。
(5)oe插孔连到bus3区xrd插孔。
(6)cs2插孔与+5v插孔相连。
(7)在dvcc系统处于“p?”状态下，按f2键进入仿真1态(即“p.....”)或按f1键进入仿真1态(即“p.....”)。
(8)输入四位地址8000后按odrw键可读写6264中的内容。
3、片外数据存贮器的读写(用程序)
步骤同上①—⑥。
(7)按框图编制程序，在上位机上进行编译，链接形成hex(或abs)最终目标文件，然后传送到dvcc实验系统仿真ram区中。
(8)在“p?”状态下，按f2键，进入仿真1态(“p.....”)，从起始地址0c80h开始连续运行程序。对6264进行读写。若l1灯闪动，表示6264 ram读写正常。
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1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
3、学习片外程序存贮器的读方法。
二、实验内容
1.实验原理图：
2、实验内容
（1）使用一片2764eprom，作为片外扩展的程序存贮器，对其进行读。
（2）使用一片6264ram，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。
3、实验说明
（1）在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时，由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器，因此dvcc系统必须处于仿真2状态，即“h.....”态，用mem键即可读出。
（2）在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时，由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器，因此dvcc系统处于仿真1态(“p.....”态)或仿真2态(“h.....”态)，用odrw键即可读写。
（3）读写数据的选用。
本实验采用的是55h(0101，0101)与aah(1010，1010)，一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
（4）在仿真1态即“p.....”状态下，编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若l1灯闪动说明ram读写正常。
三、程序
程序清单：
org 0c80h
mov dptr,#8000h
mov r6,#0fh
mov a,#55h
ram1: mov r7,#0ffh
ram2: movx @dptr,a
clr p1.0
inc dptr
djnz r7,ram2
djnz r6,ram1
mov dptr,#8000h
mov r6,#0fh
ram3: mov r7,#0ffh
ram4: movx a,@dptr
cjne a,#55h,ram6
setb p1.0
inc dptr
djnz r7,ram4
djnz r6,ram3
ram5: clr p1.0
call delay
setb p1.0
call delay
sjmp ram5
delay: mov r5,#0ffh
delay1: mov r4,#0ffh
djnz r4,$
djnz r5,delay1
ret
ram6: setb p1.0
sjmp ram6
end
四、实验步骤
1、片外扩展程序存贮器的读。
(1)将ram/eprom区的d0—d7用排线连到bus2区xd0—xd7，同样用排线将a0—a7连到bus1区xa0—xa7，a8—a12连到bus3区xa8—xa12。
(2)pgm插孔连到+5v插孔。
(3)cs1插孔连到译码输出y0插孔。
(4)oe插孔连到bus3区xpsen插孔。
(5)在dvcc系统处于“p?”状态下，按f1键进入仿真2态(“h.....”状态)。
(6)输入四位程序存贮器地址8000后按mem键读出2764中的内容。
2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)
(1)取出ram/eprom区中的实验监控，再插上数据存贮器6264。
(2)将ram/eprom区的d0—d7用排线连到bus1区xd0—xd7，a0—a7连到bus1区xa0—xa7，a8—a12连到bus3区xa8—xa12。
(3)we插孔与bus3区xwr相连。
(4)cs1插孔连到译码输出y0插孔。
(5)oe插孔连到bus3区xrd插孔。
(6)cs2插孔与+5v插孔相连。
(7)在dvcc系统处于“p?”状态下，按f2键进入仿真1态(即“p.....”)或按f1键进入仿真1态(即“p.....”)。
(8)输入四位地址8000后按odrw键可读写6264中的内容。
3、片外数据存贮器的读写(用程序)
步骤同上①—⑥。
(7)按框图编制程序，在上位机上进行编译，链接形成hex(或abs)最终目标文件，然后传送到dvcc实验系统仿真ram区中。
(8)在“p?”状态下，按f2键，进入仿真1态(“p.....”)，从起始地址0c80h开始连续运行程序。对6264进行读写。若l1灯闪动，表示6264 ram读写正常。
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