三星成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商

韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(euv)生产的业界首款10纳米级ddr4 dram模组,将为高端pc和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进euv制程技术产品。
三星电子dram芯片产品与技术执行副总裁指出,随着以euv技术所生产出的新型dram芯片量产,展示着三星对提供革命性的dram芯片解决方案以支援全球it客户需求的承诺。这项重大进展也说明了三星将如何透过即时开发高端制程技术来生产高端存储器芯片市场的下一代产品,继续为全球it行业创新贡献心力。
目前三星的euv技术将从其第4代10纳米级的dram生产中开始全面部署。而三星也预计从2021年开始量产第4代10纳米级的ddr5 dram和lpddr5 dram。而在这样的制程下,将使12英寸晶圆的生产效率提升1倍。随着2021年ddr5 dram和lpddr5 dram市场的扩展,三星也将进一步加强了与it客户及半导体供应商优化标准规格合作,加速整个存储器芯片市场开始向ddr5和lpddr等规格产品发展。
三星是全球首家在dram生产采用euv技术的存储器供应商,用以克服dram芯片发展上的挑战。由于euv技术的采用,减少了多重影像制作中的重复步骤,因此进一步提高了影像制作的准确性,也增加了产品的性能与产量,也使得生产时间缩短。
为了满足对新世代dram存储芯片市场不断成长的需求,三星也将在2020下半年开始在韩国平泽工业区内建立第二条存储器芯片产线。

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