GM8913型DC平衡双向控制串行器概述、特征及功能
1 .概述
gm8913型dc平衡双向控制串行器，其主要功能是实现将10或12位并行控制信号和一路时钟信号串行为一路2.8gbps高速串行数据;同时接收低速通道信号实现模式配对的功能。芯片内部集成终端电阻，可通过外部i/0或i2c总线进行配置，支持power down模式。芯片core电源vddn为1.8v，i/o电源vddio可支持3.3v和1.8v两种电压。
该芯片的主要应用领域是汽车advanced driver assistance systems (adas)中ecu(电子控制单元)视频处理器与防碰撞系统前端摄像机、后视镜摄像机和停车系统成像仪模块之间的无缝、独立双向、低时延通讯。
2 .特征
a) 工作温度范围：-40℃～105℃;
b) 电源电压vddn：1.8v;
c) 电源电压vddio：3.3v或1.8v;
d) 封装形式：qfn32;
e) 器件等级：工业级。
3. 封装及引脚功能说明
本器件采用32引线的方形扁平无引脚封装(qfn32)，引脚排序如下所示。
该芯片的各引脚功能描述见表1：
4 .功能描述
功能框图按图3 规定。器件主要实现器件主要实现将10 位或12 位并行信号转换为2.8gbps 高速串行信号;同时低速通道接收器实现将串行控制信息解串译码的功能。并由接收器、驱动器、时钟与数据恢复、判决反馈均衡器、判决反馈均衡器数字算法控制、数字选择及状态控制、锁相环、数据解码和输出锁存模块组成。
5 参数指标
5.1 极限工作条件
电源电压(vddpll、vddt、vddcml、vddd)：-0.3v～2v
电源电压(vddio)：-0.3v～3.6v;
结温(tj)：150℃;
引线耐焊接温度(th)(4s)：260℃;
功耗(pd)：0.9w;
热阻(rθjc)：27℃/w;
贮存环境温度(tstg)：-65℃～150℃;
静电放电敏感度(vesd)：2000v。
5.2 推荐工作条件
电源电压(vddpll、vddt、vddcml、vddd)：1.8v±0.09v;
电源电压(vddio)：3.3v±0.3v、1.8v±0.09v;
输入时钟频率(ftclk)：25mhz~150mhz;
电源噪声电压(vnoise)：≤50mv;
工作温度(ta)：-40℃～105℃。
典型应用
车载前置或后置摄像显示设备;
车载环视停车辅助显示设备;
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2 .特征
a) 工作温度范围：-40℃～105℃;
b) 电源电压vddn：1.8v;
c) 电源电压vddio：3.3v或1.8v;
d) 封装形式：qfn32;
e) 器件等级：工业级。
3. 封装及引脚功能说明
本器件采用32引线的方形扁平无引脚封装(qfn32)，引脚排序如下所示。
该芯片的各引脚功能描述见表1：
4 .功能描述
功能框图按图3 规定。器件主要实现器件主要实现将10 位或12 位并行信号转换为2.8gbps 高速串行信号;同时低速通道接收器实现将串行控制信息解串译码的功能。并由接收器、驱动器、时钟与数据恢复、判决反馈均衡器、判决反馈均衡器数字算法控制、数字选择及状态控制、锁相环、数据解码和输出锁存模块组成。
5 参数指标
5.1 极限工作条件
电源电压(vddpll、vddt、vddcml、vddd)：-0.3v～2v
电源电压(vddio)：-0.3v～3.6v;
结温(tj)：150℃;
引线耐焊接温度(th)(4s)：260℃;
功耗(pd)：0.9w;
热阻(rθjc)：27℃/w;
贮存环境温度(tstg)：-65℃～150℃;
静电放电敏感度(vesd)：2000v。
5.2 推荐工作条件
电源电压(vddpll、vddt、vddcml、vddd)：1.8v±0.09v;
电源电压(vddio)：3.3v±0.3v、1.8v±0.09v;
输入时钟频率(ftclk)：25mhz~150mhz;
电源噪声电压(vnoise)：≤50mv;
工作温度(ta)：-40℃～105℃。
典型应用
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