抢攻20奈米缺陷检测 科磊eDR-7000上阵
值此晶圆厂先进制程迈入20奈米以下的世代交替之际，让更高晶圆缺陷检测精准度与速度的电子束(e-beam)晶圆缺陷检视设备重要性剧增。也因此，科磊(kla-tencor)瞄准20奈米(nm)及以下制程节点发表edr-7000，将为挹注2012年可观营收贡献的利器。
科磊行销长brian trafas(左)表示，相对于记忆体市场景气持续低迷，受惠于晶圆厂先进制程世代交替，将为晶圆缺陷检测系统带来更大的市场机会点。右为***分公司总经理张水荣
科磊行销长brian trafas表示，全球景气受到日本311强震、欧美债务危机及北美居高不下的失业率波及，消费性与个人电脑(pc)市场需求萎靡，冲击晶圆厂营收下滑，导致今年下半年至2012年景气仍未见明朗。晶圆厂为降低制造成本，朝20奈米以下制程推进已势在必行，将带来缺陷成像与分类的巨大挑战，亦将是科磊创造更高营收贡献的一大机会点。
有鉴于此，科磊已推出灵敏度高达±100奈米，可检视小至10奈米或位于沟槽或孔洞底部的缺陷，精准度较上一代edr-5210高出30%，且每小时检测晶圆缺陷数量上看五千颗的电子束晶圆检测系统edr-7000，比edr-5210高二至三倍，以突破晶圆厂客户导入20奈米及以下制程面临的技术桎梏。
科磊电子束部门资深产品市场行销经理christina wang补充，该公司edr-5210可侦测和拍摄面积达1.5微米(μ)，已优于竞争对手，而edr-7000更可缩小至1微米，竞争力更胜一筹。此外，edr-7000解析度可达2.0奈米，与edr-5210的1.8奈米相比，无论精确度与解析度都更为优异。
科磊***分公司总经理张水荣透露，事实上，edr-7000在历经***晶圆厂达6个月的验证通过后，日前科磊已向该厂商交货，但直到近日才正式对外宣布推出。
张水荣谈到，***在科磊营收贡献占有举足轻重的地位，其中太阳能、发光二极体(led)将为带动营收贡献成长的两大动能，2011年营收贡献比重已达7%。然现阶段，半导体制程控制与良率管理领域仍为科磊最大营收贡献来源，尤其是20奈米及以下的晶圆缺陷检测系统将是主力，其涵盖电子束晶圆缺陷检视设备、surfscan sp3和即将推出的晶圆检测产品系列的其他产品。
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