IGBT主要参数与应用特点
igbt（insulated gate bipolar transistor）是一种双极性功率半导体器件，由bjt（双极型三极管）和mos管复合而成，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，特别是50ov以上应用中的功率损失相当低。虽然可以通过工艺技术提高bt的性能，但无法从根本上解决bjt的电荷存储时间（storage time）问题。也就是说，bjt在关闭时需耗费较长时间，不适合高速切换的应用，但完全满足市电供电的应用。
igbt基本特性包括静态特性和动态特性，其中静态特性由输出特性和转移特性组成，动态特性描述igbt器件开关过程。
igbt的主要参数
（1）额定集电极—发射极电压u。，。——在室温下，igbt所允许的 集电极—发射极问电压，一般为其击穿电压u（br） ceo的60 %~80%。其单位为v；
（2）额定栅极—发射极电压uger ——在室温下，当 igbt的集电极—发射极间电压为ucer时，栅极—发射极问允许施加的 电压，一般小于20v。其单位为v；
（3）集电极通态电流ic——在室温下，当 igbt导通时，集电极允许通过的 电流的有效值称为igbt的额定电流，用ice表示；而允许通过的峰值电流用icm表示。在电流脉冲宽度为1μs时，icm≈2ice，其单位为a；
（4）集电极 功耗pcm ——在室温下，igbt集电极允许的 功耗。其单位为w；
（5）栅极漏电流 igeo——在室温下，当 uce＝ 0v、栅极—发射极电压为其额定值uger时，igbt栅极—发射极间的电流。其单位为μa；
（6）集电极断态电流 ices一一在室温下，当集电极—发射极间电压为额定值ucer，栅极—发射极电压uge =0时的集电极电流，即集电极漏电流。其单位为ma；
（7）栅极—发射极开启电压uge（th）——在室温下，igbt从关断状态进入导通状态时，栅极—发射极间电压。其单位为v；
（8）集电极—发射极饱和电压uce（sat）—— 在室温下，集电极—发射极间的电压降，一般为3v以下。其单位为v；
（9）栅极电容c，。，-igbt栅极—发射极间的输入 电容，一般为3000一 30000pf;
（10）导通延迟时间td——在室温下，栅极-发射极问电压从反向偏置变到uge=uge（th）所需的时间。其单位为μs或ns；
（11）电流上升时间tir——在室温下，在导通过程中，从栅极—发射极电压达到开启电压uge（th）起，到集电极电流达到 icm所需的时间。其单位为μs或ns；
（12）电压下降时间tuf——在室温下，在导通过程中，从.igbt的集电极—发射极间电压开始下降起，到集电极—发射极电压达到饱和电压uce（sat）所需的时间。其单位为vs或ns；
（13）导通时间ton——ton＝td+tir+tuf。其单位为μs或ns；
（14）存储时间ts——在室温下，在关断过程中，从igbt的栅极—发射极开始下降起，到栅极—发射极电压下降到uge＝uge（th），集电极电流开始下降所需的时间。其单位为μs或ns；
（15）电压上升时间tur——在室温下，在关断过程中，从igbt的集电极电流开始下降起，到因di/dt的作用产生电压过冲所需的时间。其单位为μs或ns；
（16）电流下降时间tif ——在室温下，在关断过程中，从igbt的集电极—发射极间产生电压过冲起，到集电极电流下降到集电极—发射极漏电流所需的时间。其单位为μs或ns；
（17）关断时间toff——toff=ts+tur+tif。其单位为μs或ns；
（18） du/dt-在室温下，igbt不产生误导通，集电极—发射极问所能承受的 的电压上升率。其单位为v/μs；
（19）热阻rθ——在室温下，单位功耗引起 igbt管芯的温升。其单位为℃/w；
（20） 允许结温tjm ——igbt所允许的 结温。其单位为℃。tjm与igbt的封装形式有关。对于塑封单管igbt，tjm =125℃；对于模块化封装的igbt，tjm＝150℃。
pt-igbt与npt-igbt的区别
pt-igbt与npt-igbt是同是采用沟槽栅或平面栅技术，但是他们的发展方向不一致。
·pt-igbt：采用平面栅或者沟槽栅，技术改进的主要方向是控制载流子寿命和优化n+缓冲区。
·npt-igbt：采用平面栅或者沟槽栅，技术改进的主要方向是减小芯片厚度。
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（3）集电极通态电流ic——在室温下，当 igbt导通时，集电极允许通过的 电流的有效值称为igbt的额定电流，用ice表示；而允许通过的峰值电流用icm表示。在电流脉冲宽度为1μs时，icm≈2ice，其单位为a；
（4）集电极 功耗pcm ——在室温下，igbt集电极允许的 功耗。其单位为w；
（5）栅极漏电流 igeo——在室温下，当 uce＝ 0v、栅极—发射极电压为其额定值uger时，igbt栅极—发射极间的电流。其单位为μa；
（6）集电极断态电流 ices一一在室温下，当集电极—发射极间电压为额定值ucer，栅极—发射极电压uge =0时的集电极电流，即集电极漏电流。其单位为ma；
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（8）集电极—发射极饱和电压uce（sat）—— 在室温下，集电极—发射极间的电压降，一般为3v以下。其单位为v；
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（11）电流上升时间tir——在室温下，在导通过程中，从栅极—发射极电压达到开启电压uge（th）起，到集电极电流达到 icm所需的时间。其单位为μs或ns；
（12）电压下降时间tuf——在室温下，在导通过程中，从.igbt的集电极—发射极间电压开始下降起，到集电极—发射极电压达到饱和电压uce（sat）所需的时间。其单位为vs或ns；
（13）导通时间ton——ton＝td+tir+tuf。其单位为μs或ns；
（14）存储时间ts——在室温下，在关断过程中，从igbt的栅极—发射极开始下降起，到栅极—发射极电压下降到uge＝uge（th），集电极电流开始下降所需的时间。其单位为μs或ns；
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