台积电、英特尔、三星10纳米量产之战

10纳米系统半导体芯片量产战争已经开始了,三星电子(samsung electronics)、英特尔(intel)和台积电出面争夺主导权,研发作业正如火如荼地进行中,对于相关设施的投资金额也大幅提高了。
据et news报导,三星在业绩发表会中表示,2016年底10纳米系统半导体芯片量产计划没有任何变动,为了按照计划进行,目前正动员所有的准备力量。
英 特尔和台积电也都宣布了10纳米芯片量产投资计划,英特尔表示2016年的设备投资金额指标将比2015年扩大30%,约为95亿美元;台积电也提高了设 备投资金额,宣布2016年约投资90亿~100亿美元, 2015年台积电的投资额约为81亿美元,2016年的投资规模至少增加11%,最多增加到23%。
三 大厂提高投资额与10纳米制程的转换有关。展开10纳米芯片量产竞争的主要理由,是为了要抢夺苹果(apple)和高通(qualcomm)这两个大客 户。高通表示,计划在三星或台积电以10纳米制程生产新一代的snapdragon 830,将委托给竞争力较高的一方来生产。
业界相关人士表示,在14、16纳米制程时被三星抢去很多订单的台积电,计划将在10纳米时翻盘,台积电并指出,2016年10纳米量产准备的竞争将会决定2017年以后的业绩。
英特尔还没有正式进入代工产业,所以对于10纳米制程的准备与客户公司没有什么关系。不过之前英特尔曾经公开表示过,将在2017年上市的新型cpu cannonlake将以10纳米制程来量产,所以在日程上也不能再推延了。
台积电、英特尔、三星对于10纳米系统半导体芯片量产的准备将会在2016年中左右使得相关设备业界受惠,大部分是前段制程的设备部分,并预计在10纳米制程中不使用极紫外光(euv)设备,而将采用浸润式(immersion)设备来进行制造。
分 析师表示,多重曝光(multi-patterning)的比重增加,所以预估蒸镀和蚀刻的设备部分将会受惠。在蒸镀部分,比起化学气相沉积(cvd)来 说,能以原子层为单位来镀上薄膜的原子层沉积(ald)的设备需求预计将大幅增加。随着线宽缩减程度变高,原本的cvd制程逐渐被ald制程所取代。
根 据miraeasset资料显示,以2014年为基准,全球ald设备的市占率各为:艾司摩尔(asml)53%,东京威力科创(tokyo electron)27%,jusung engineering 6%,科林研发(lam research)5%,wonik ips 5%,aixtron 2%。2016年开始eugene technology也计划将首次进入ald设备的市场。
市调业者gartner预测表示,2016年与逻辑芯片(logic chip)有关的设备投资将比2015年增加5%,达到约322亿美元的水准。

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