意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%

2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的stl120n10f8 n沟道100v功率mosfet拥有极低的栅极-漏极电荷(qgd)和导通电阻rds(on),优值系数 (fom) 比上一代同类产品提高40%。
新推出的mosfet利用st的stpower stripfet f8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身,实现高效的开关性能。因此,stl120n10f8的最大导通电阻 rds(on)为 4.6mω(在 vgs = 10v 时),高效运行频率达到600khz。
stripfet f8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰,最大程度地减少充放电能量浪费。此外,这款mosfet的体漏二极管的软度特性更高。这些改进之处可以减少电磁辐射,简化最终系统的合规性测试,确保电磁兼容性 (emc)符合适用的产品标准。
stl120n10f8拥有卓越的能效和较低的电磁辐射,可以增强硬开关和软开关拓扑的电源转换性能。此外,这款产品还是首款完全符合工业级规格的 stpower 100v stripfet f8 mosfet,非常适合电机控制、电信和计算机系统的电源及转换器、led 和低压照明,以及消费类电器和电池供电设备。
新款mosfet还有其他优势,其中包括栅极阈值电压(vgs(th))差很小,这个优势在强电流应用中很有用,可简化多个功率开关管的并联设计。新产品的鲁棒性非常强,能够承受 10µs的800a短路脉冲电流冲击。
the stl120n10f8 is in full production in the powerflat5x6 package, priced from $1.04 for orders of 1000 pieces.
stl120n10f8采用 powerflat5x6 封装,现已全面投产。
详情访问www.st.com/100v-f8-stripfet

电子分频放大器的制作
特斯拉Model Y:价格香,质量成最大缺点
创维&国美与你共创100个维美瞬间
你们知道碳纤维是怎样“炼”成的吗?
连接和导通作用的模组可保障手机屏幕性能测试稳定可靠
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%
农业物联网自动化灌溉之一体化智慧泵房
小寻儿童电话手表T2评测 外观设计时尚靓丽内部功能多样且齐全
存储三巨头欲拉动DRAM价格上涨 目标涨幅7-8%
STM32Cube生态篇 | STM32 = 23 More-Than-Silicon reasons to chose us
340kW HVDC配置的集中式锂电池机柜助力打造数据中心的新生态
但眼拓客云——构建完整的数字化营销体系
深蓝科技响应号召,复工复产的同时积极开拓海外市场
2021年智能手表市场将迎来增长
阀控式铅酸蓄电池干涸失效的原因分析及处理方法
浅析开关模式电源的谐振坐标方法
电梯智能传感系统的应用前景和未来发展方向?
中国联通通过“云+网+X”的一体化充分发挥“互联网+医疗”的行业优势
不只谷歌特斯拉 自动驾驶技术哪家强?
机会来临,EVA胶膜渐受关注!