MT29F2G08ABAEAWP:E STOCK
mt29f2g08abaeawp:e 供应商mt29f2g08abaeawp:e 怎么订货 mt29f2g08abaeawp:e价格
ir msc普级，jan军级，jantx特军级，jantxv超特军级，jans宇航级 二三极管，大量现货，只做正品原装
slc nand flash 并行 3.3v 2gbit 256m x 8bit 48-pin tsop-i tray
mt29f2g08abaeawp:e美光 nand 闪存设备包括用于高性能 i/o 操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (i/ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：ce#、cle、ale、we# 和 re#。附加信号控制硬件写保护和监视设备状态 (r/b#)。该硬件接口创建了一个低引脚数设备，其标准引脚排列从一种密度到另一种密度保持不变，使未来无需重新设计电路板即可升级到更高密度。目标是芯片使能信号访问的内存单元。一个目标包含一个或多个 nand 闪存芯片。一个nand flash die是可以独立执行命令和报告状态的最小单元。一个 nand 闪存芯片，在 onfi 规范中，称为逻辑单元 (lun)。每个芯片使能信号至少有一个 nand 闪存芯片。有关更多详细信息，请参阅设备和阵列组织。该设备有一个内部 4 位 ecc，可以使用 get/set 功能或由工厂启用（始终启用）。
mt29f2g08abaeawp:e 主要特点
开放 nand 闪存接口 (onfi) 1.0 兼容
单层单元 (slc) 技术
组织
页大小 x8：2112 字节（2048 + 64 字节）
页面大小 x16：1056 字（1024 + 32 字）
块大小：64 页（128k + 4k 字节）
平面大小：2 个平面 x 每个平面 1024 块
设备大小：2gb：2048 个块
异步 i/o 性能
trc/twc：20ns (3.3v)、25ns (1.8v)
阵列性能
读取页面：25μs 3
程序页面：200μs (typ: 1.8v, 3.3v)3
擦除块：700μs（典型值）
命令集：onfi nand flash 协议
高级命令集
程序页缓存模式4
读取页面缓存模式4
一次性可编程 (otp) 模式
两平面指令4
交错裸片 (lun) 操作
读取唯一 id
块锁（仅限 1.8v）
内部数据移动
操作状态字节提供软件检测方法
操作完成
通过/失败条件
写保护状态
ready/busy# (r/b#) 信号提供了一种检测操作完成的硬件方法
wp# 信号：写保护整个设备
第一个块（块地址 00h）在带有 ecc 的工厂发货时有效。有关所需的最低 ecc，请参阅错误管理。
如果 program/erase 周期小于 1000，则块 0 需要 1 位 ecc
上电后需要 reset (ffh) 作为第一个命令
上电后设备初始化的替代方法（nand_init）（联系工厂）
在读取数据的平面内支持内部数据移动操作
质量和可靠性
数据保留：10年
工作电压范围
vcc：2.7-3.6v
vcc：1.7–1.95v
工作温度：
商用：0°c 至 +70°c
工业 (it)：–40ºc 至 +85ºc
包裹
48 针 tsop 类型 1，cpl2
63-ball vfbga
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MT29F2G08ABAEAWP:E STOCK
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页面大小 x16：1056 字（1024 + 32 字）
块大小：64 页（128k + 4k 字节）
平面大小：2 个平面 x 每个平面 1024 块
设备大小：2gb：2048 个块
异步 i/o 性能
trc/twc：20ns (3.3v)、25ns (1.8v)
阵列性能
读取页面：25μs 3
程序页面：200μs (typ: 1.8v, 3.3v)3
擦除块：700μs（典型值）
命令集：onfi nand flash 协议
高级命令集
程序页缓存模式4
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内部数据移动
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操作完成
通过/失败条件
写保护状态
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第一个块（块地址 00h）在带有 ecc 的工厂发货时有效。有关所需的最低 ecc，请参阅错误管理。
如果 program/erase 周期小于 1000，则块 0 需要 1 位 ecc
上电后需要 reset (ffh) 作为第一个命令
上电后设备初始化的替代方法（nand_init）（联系工厂）
在读取数据的平面内支持内部数据移动操作
质量和可靠性
数据保留：10年
工作电压范围
vcc：2.7-3.6v
vcc：1.7–1.95v
工作温度：
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