一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路
本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和mos管结合的开关控制电路，关于三极管和mos管的基础使用方法可以参见下文说明。
一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用
最近在工作中见到一种开关控制电路，mcu控制三极管，然后再控制mos管，如下图所示：
电路解析：
当i/o为高电平时，三极管导通，mos管栅极被拉低，1.8v电源导通；
当i/o为低电平时，三极管不导通，mos管不导通，1.8v电源不导通。
为什么要这样做呢？
这个和三极管和mos的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；mos管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。
三极管的基极驱动电压只要高于ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6v，锗材料三极管的死区电压一般为0.3v，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6v左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3v左右即可。所以mcu先连接控制三极管。
而mos管就不一样了，mos管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压ugs的最小值才能导通，不同型号的mos管其导通的ugs最小值是不同的，一般为3v~5v左右，最小的也要2.5v，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般mos管达到饱和时的驱动电压需6v~10v左右。
一般mcu io输出电压为3.3v，很可能无法打开mos管，所以mcu不直接连接控制mos管。
而且三极管带负载的能力没有mos管强，所以mcu控制三极管，然后再控制mos管来控制负载设备。
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