IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）
上一节讲到了根据pin1的边界条件求解系数和，下面根据pin2的边界条件求解系数和
首先，阳极侧的边界条件与pin1相同，即阳极电子电流为0，即；
其次，阴极侧的边界条件与pin1不同，阴极侧因pn结反偏，空穴浓度为0，即。
（这里需要注意的是，载流子电流为零并不意味着载流子浓度为零，反之亦然。对于pin1结构，因为阳极和阴极的多子浓度远大于少子浓度，所以可以忽略少子电流；对于pin2结构，因为阴极pn结反偏的缘故，载流子被耗尽，所以浓度为零，但因电场和浓度差的存在，电流却不为零。）
将上述两个边界条件带入的通解表达式，即可得到系数和电流密度之间的关系如下：
将和带入的通解表达式，整理后便得到pin2的浓度分布：
同理，假设载流子寿命为1，芯片厚度为100，电流密度为时，载流子浓度如图所示。显然，阳极（集电极）区域载流子浓度最高，在n-drift区域逐渐降低，直至到0。
对应igbt结构（如图虚线区域顺时针旋转90°），阴极区域对应p-base基区，即载流子到达基区底部时，其浓度会降低至0，所以基区底部是没有电导调制效应的。
在实际设计中，设计人员也会通过一些技术手段来增强这个区域载流子的浓度。当然，这也会对其他参数造成影响，如击穿电压等，设计中需要综合考虑。
把pin1和pin2的载流子浓度分布绘到一起如图所示，可以清晰地看出igbt红色阴影部分的载流子浓度是很低的。
同时，从浓度分布曲线上还可以发现其他一些现象：
集电极的载流子浓度并非均匀分布，pin1区域的浓度要略高于pin2区域。考虑到实际加工过程中，集电极的浓度是相同的，又因为集电极侧的电子电流为0，这就意味着pin1区域的空穴注入效率要高于pin2区域；
因为横向载流子浓度的不同，所以在igbt内部一定会形成横向的扩散电流，在靠近集电极一侧，横向扩散自pin1区域向pin2方向，在靠近p-base基区一侧，横向扩散自pin2区域向pin1区域。
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其次，阴极侧的边界条件与pin1不同，阴极侧因pn结反偏，空穴浓度为0，即。
（这里需要注意的是，载流子电流为零并不意味着载流子浓度为零，反之亦然。对于pin1结构，因为阳极和阴极的多子浓度远大于少子浓度，所以可以忽略少子电流；对于pin2结构，因为阴极pn结反偏的缘故，载流子被耗尽，所以浓度为零，但因电场和浓度差的存在，电流却不为零。）
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同理，假设载流子寿命为1，芯片厚度为100，电流密度为时，载流子浓度如图所示。显然，阳极（集电极）区域载流子浓度最高，在n-drift区域逐渐降低，直至到0。
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把pin1和pin2的载流子浓度分布绘到一起如图所示，可以清晰地看出igbt红色阴影部分的载流子浓度是很低的。
同时，从浓度分布曲线上还可以发现其他一些现象：
集电极的载流子浓度并非均匀分布，pin1区域的浓度要略高于pin2区域。考虑到实际加工过程中，集电极的浓度是相同的，又因为集电极侧的电子电流为0，这就意味着pin1区域的空穴注入效率要高于pin2区域；
因为横向载流子浓度的不同，所以在igbt内部一定会形成横向的扩散电流，在靠近集电极一侧，横向扩散自pin1区域向pin2方向，在靠近p-base基区一侧，横向扩散自pin2区域向pin1区域。
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