相移全桥电路的功率转换效率提升：PSFB电路的基本工作
psfb电路中的zvs工作成立条件是：当组成开关的mosfet的输出电容coss放电且正向电流流过body diode时，使该mosfet导通。 图中显示了psfb电路中q1～q4的漏极电流波形和流经一次侧变压器的电流波形。
如果设psfb电路中电流的正向是漏极→源极方向，则可以确认q1～q4分别存在流过负向漏极电流的时间段，即正向电流流过mosfet的body diode期间。例如，在q3中，是mode(7)部分。由于在此期间漏极电压几乎为0，因此通过在此期间导通来使psfb电路中的zvs工作成立。 您还可以看到，超前臂和滞后臂不会产生完全异相的相同形状的电流波形。波形如此不同的原因可以通过该电流波形下方所示的mode（1）～mode（14）的电流路径来理解。每种模式的编号和位置对应于上面的时序图。 mode（1）～mode（14）的工作和电流路径如下：
・q1和q4为on，q2和q3为off。 ・当q2和q3为off时，q2的输出电容coss_q2和q3的输出电容coss_q3被充电。 ・vi被施加于一次侧变压器。 ・电流流过ls，所以能量被积蓄。
・仅q1关断（off）。 ・由于q1为off，因此输出电容coss_q1被充电。这使得q2漏极侧的电位下降，同时coss_q2开始放电。
・在coss_q1的充电和coss_q2的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流会流过q2的body diode（dq2）并开始续流工作。 ・由于续流工作，所以不向二次侧供给能量，但受lo的影响，电流会继续流动。由于lo产生的电流对于d1和d2来说是正向的，因此电流会流过这两个二极管。
・q2导通（on）。在这个时间点dq2是导通的，因此q2的漏极-源极间电压vds_q2几乎为0v。即zvs工作，因此不产生导通损耗。
・q4关断（off）。 ・由于q4的关断，q4的输出电容coss_q4被充电。同时，由于q3的源极侧电位上升，输出电容coss_q3放电。
・在coss_q4的充电和coss_q3的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流流过q3的body diode（dq3）并开始续流工作。
・q3导通（on）。在这个时间点dq3是导通的，因此q3的漏极-源极间电压vds_q3几乎为0v，即zvs工作，故不产生导通损耗。 ・通过q3的导通，ls迅速释放能量，电压与mode（1）～mode（6）中的il方向相反，因此电流的方向迅速反转。
・q2和q3为on、q1和q4为off。 ・因此，coss_q1和coss_q4被充电。 ・vi以与mode（1）相反的方向被施加于一次侧变压器。 ・电流流过ls，所以能量被积蓄。
・关断q2。 ・通过关断q2，coss_q2被充电，同时coss_q1放电。
・在coss_q2的充电和coss_q1的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流会流过q1的body diode（dq1）并开始续流工作。 ・由于续流工作，所以不向二次侧供给能量，但受lo的影响，电流会继续流动。由于lo产生的电流对于d1和d2来说是正向的，因此电流会流过这两个二极管。
・q1导通（on）。在这个时间点dq1是导通的，因此q1的漏极-源极间电压vds_q1几乎为0v，即zvs工作，故不会产生导通损耗。
・关断q3。 ・通过关断q3，coss_q3被充电，同时coss_q4放电。
・在coss_q3的充电和coss_q4的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流流过q4的body diode（dq4）并开始续流工作。
・q4导通（on）。在这个时间点dq4是导通的，因此q4的漏极-源极间电压vds_q4几乎为0v，即zvs工作， 故不会产生导通损耗。 ・ls迅速释放能量，并施加电压使电流按照与mode（8）～mode（13）中的il相反的方向流动，因此电流的方向迅速反转。
由于电流路径的这种变化，尤其如mode（7）和（14）的说明中所述，输入电源和ls通过滞后臂上的mosfet的导通而被串联连接，ls中的能量迅速减少。这种情况不会发生在超前臂中，因此导致超前臂和滞后臂的电流波形产生差异。由于这种电流波形的差异，造成超前臂上的mosfet和滞后臂上的mosfet的损耗不同，所产生的热量也不同，因此在进行热设计时需要注意。 如mode（5）和（6）、（12）和（13）的说明中所述，在滞后臂中，积蓄在ls中的能量必须大于积蓄在mosfet的coss中的能量，否则mosfet的充放电就不会完成，zvs工作也就不成立。以mode（5）为例，其条件可以用下列公式（1）来表示。il1表示mode（4）结束时的il，eoss_q3和eoss_q4分别表示完成q3和q4的输出电容的充放电所需的能量。 从公式（1）可以看出，由于il1在轻负载时较小，因此zvs工作很难成立，而随着负载变重，zvs工作变得容易成立。
关键要点: ・了解14种psfb电路模式所表示的工作状态和电流路径。 ・在进行热设计时需要注意，psfb电路中的工作差异会造成电流波形之间存在差异，超前臂和滞后臂上的mosfet的损耗会有所不同，所产生的热量也会不同。 ・从psfb电路的zvs工作成立条件的公式中可以看出，由于il1在轻负载时较小，故zvs工作很难成立，而随着负载变重，psfb电路中 的zvs工作会变得容易成立。
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・q1和q4为on，q2和q3为off。 ・当q2和q3为off时，q2的输出电容coss_q2和q3的输出电容coss_q3被充电。 ・vi被施加于一次侧变压器。 ・电流流过ls，所以能量被积蓄。
・仅q1关断（off）。 ・由于q1为off，因此输出电容coss_q1被充电。这使得q2漏极侧的电位下降，同时coss_q2开始放电。
・在coss_q1的充电和coss_q2的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流会流过q2的body diode（dq2）并开始续流工作。 ・由于续流工作，所以不向二次侧供给能量，但受lo的影响，电流会继续流动。由于lo产生的电流对于d1和d2来说是正向的，因此电流会流过这两个二极管。
・q2导通（on）。在这个时间点dq2是导通的，因此q2的漏极-源极间电压vds_q2几乎为0v。即zvs工作，因此不产生导通损耗。
・q4关断（off）。 ・由于q4的关断，q4的输出电容coss_q4被充电。同时，由于q3的源极侧电位上升，输出电容coss_q3放电。
・在coss_q4的充电和coss_q3的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流流过q3的body diode（dq3）并开始续流工作。
・q3导通（on）。在这个时间点dq3是导通的，因此q3的漏极-源极间电压vds_q3几乎为0v，即zvs工作，故不产生导通损耗。 ・通过q3的导通，ls迅速释放能量，电压与mode（1）～mode（6）中的il方向相反，因此电流的方向迅速反转。
・q2和q3为on、q1和q4为off。 ・因此，coss_q1和coss_q4被充电。 ・vi以与mode（1）相反的方向被施加于一次侧变压器。 ・电流流过ls，所以能量被积蓄。
・关断q2。 ・通过关断q2，coss_q2被充电，同时coss_q1放电。
・在coss_q2的充电和coss_q1的放电完成后，能量仍积蓄在ls中的情况下，电流会流过q1的body diode（dq1）并开始续流工作。 ・由于续流工作，所以不向二次侧供给能量，但受lo的影响，电流会继续流动。由于lo产生的电流对于d1和d2来说是正向的，因此电流会流过这两个二极管。
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