NAND闪存市场竞争愈发激烈
从半导体产业来看，过去一年，芯片短缺诱发了产业链投资扩产的浪潮，资本支出大幅提高，已经动工建设或投产的晶圆厂多达85座。据世界半导体贸易统计组织（wsts）统计，2021年全球半导体市场规模达到5530亿美元，同比增长25.6%。其中，存储器规模达到1581.61亿美元，增长高达34.6%。作为半导体产业风向标，存储器市场拥有强周期波动属性，进一步细分又可分为dram、nand flash和nor flash三种。
遵循存储器产业周期发展特性，trendforce集邦咨询等多个机构预测今年nand闪存采购动能进一步收敛，将进入价格下行周期。然而在西安疫情、原材料污染、地震等黑天鹅事件叠加之下，nand闪存价格周期已被严重扰乱，不确定性大幅增加。据ic insights预测，今年nand闪存资本支出将增长至299亿美元，占据了全球整体集成电路产业资本支出的16%，仅次于晶圆代工领域。
2022年闪存资本支出预测（图源：ic insights）
拥抱nand闪存时代
nand闪存的概念可以追溯到上世纪80年代，而真正步入发展轨道则是从2000年开始。1987年，时任东芝工程师的舛冈富士雄率先提出了nand闪存概念。而后，东芝（2019年更名铠侠）虽占据nand闪存市场先机，却由于当时的战略方向及管理问题，全力押注dram市场，低估了nand闪存市场的发展潜力。
2001年，三星拒绝了闪存龙头企业的合作邀请，转而选择独立开发自己的技术。同年，东芝宣布剥离dram业务，将阵地转向nand闪存，但其市场先机已失，与头把交椅失之交臂。次年，三星首款1gb nand闪存投入量产，至此开启了长达二十年的闪存市场统治地位。
从nand闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，nand闪存市场需求持续上扬，出货量则以线性趋势持续增加。英特尔、铠侠、西部数据、三星等一系列闪存厂商纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺nand闪存这一新兴市场的主导权。
据微加工研究所所长汤之上隆总结，从wsts公布的出货量数据来看，nand闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，nand闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，nand闪存出货量随之增加。
nand出货金额及出货量（来源：wsts、eet japan）
从2d到3d，堆叠层数成为nand闪存新标准
在2d nand闪存时代，随着晶体管尺寸不断向下微缩，nand闪存的存储密度持续提高。当密度提高至一定程度，nand闪存中存储的电荷数量受限，读写容量也难以进一步提升。而对于存储阵列来说，耦合效应和干扰也是个问题。因此，nand闪存逐渐从二维平面过渡至三维堆叠结构，从而实现速度、容量和性能的全面提升。
回顾3d nand闪存的发展，东芝于2007年最早提出了此概念，并表明nand闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年8月，3d nand闪存从技术概念走向了商业市场。三星推出了全球首款3d nand闪存，并投入量产。第一代v-nand闪存采用了三星电子独创圆柱形3d ctf（电荷撷取闪存）和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3d nand（48层）量产产品比三星整整迟到三年。
在3d nand技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3d nand闪存已经陆续演进至128层。在更多层数的技术迭代中，三星176层nand预计今年第一季度开始量产，而第8代nand闪存将于2022年底推出，且将突破200层，达到224层。
从技术演进方面看，sk海力士与美光虽然入局相对较晚，却在技术迭代速度上更胜一筹。现阶段，sk海力士已经推出176层nand闪存，并预计2025年达到500层，2030年突破800层。在收购英特尔nand闪存及存储业务之后，预计sk海力士的技术实力将更进一步提升。无独有偶，美光也于2020年底宣布176层堆栈nand闪存量产计划，领先于三星同堆栈高度的量产进度。铠侠则略逊一等，其bics闪存堆栈高度达到162层，采用了铠侠cua架构，同时还提升了平面密度。
3d nand路线图（图源：tech insights）
从tech insights闪存路线图中可以看到，2d nand闪存以工艺制程演进为评判标准，而迈入3d nand之后，堆叠层数取代工艺制程成为新的介质进化标准。随着头部企业持续加大3d nand闪存市场布局，推动技术创新和演进，3d nand闪存堆栈高度不断突破极限。预计未来几年，200层以上3d nand闪存市场竞争将愈发激烈。但考虑到技术研发投入与营收利润之间的平衡，预计层数演进速度将逐渐减缓。
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2022年闪存资本支出预测（图源：ic insights）
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nand闪存的概念可以追溯到上世纪80年代，而真正步入发展轨道则是从2000年开始。1987年，时任东芝工程师的舛冈富士雄率先提出了nand闪存概念。而后，东芝（2019年更名铠侠）虽占据nand闪存市场先机，却由于当时的战略方向及管理问题，全力押注dram市场，低估了nand闪存市场的发展潜力。
2001年，三星拒绝了闪存龙头企业的合作邀请，转而选择独立开发自己的技术。同年，东芝宣布剥离dram业务，将阵地转向nand闪存，但其市场先机已失，与头把交椅失之交臂。次年，三星首款1gb nand闪存投入量产，至此开启了长达二十年的闪存市场统治地位。
从nand闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，nand闪存市场需求持续上扬，出货量则以线性趋势持续增加。英特尔、铠侠、西部数据、三星等一系列闪存厂商纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺nand闪存这一新兴市场的主导权。
据微加工研究所所长汤之上隆总结，从wsts公布的出货量数据来看，nand闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，nand闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，nand闪存出货量随之增加。
nand出货金额及出货量（来源：wsts、eet japan）
从2d到3d，堆叠层数成为nand闪存新标准
在2d nand闪存时代，随着晶体管尺寸不断向下微缩，nand闪存的存储密度持续提高。当密度提高至一定程度，nand闪存中存储的电荷数量受限，读写容量也难以进一步提升。而对于存储阵列来说，耦合效应和干扰也是个问题。因此，nand闪存逐渐从二维平面过渡至三维堆叠结构，从而实现速度、容量和性能的全面提升。
回顾3d nand闪存的发展，东芝于2007年最早提出了此概念，并表明nand闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年8月，3d nand闪存从技术概念走向了商业市场。三星推出了全球首款3d nand闪存，并投入量产。第一代v-nand闪存采用了三星电子独创圆柱形3d ctf（电荷撷取闪存）和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3d nand（48层）量产产品比三星整整迟到三年。
在3d nand技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3d nand闪存已经陆续演进至128层。在更多层数的技术迭代中，三星176层nand预计今年第一季度开始量产，而第8代nand闪存将于2022年底推出，且将突破200层，达到224层。
从技术演进方面看，sk海力士与美光虽然入局相对较晚，却在技术迭代速度上更胜一筹。现阶段，sk海力士已经推出176层nand闪存，并预计2025年达到500层，2030年突破800层。在收购英特尔nand闪存及存储业务之后，预计sk海力士的技术实力将更进一步提升。无独有偶，美光也于2020年底宣布176层堆栈nand闪存量产计划，领先于三星同堆栈高度的量产进度。铠侠则略逊一等，其bics闪存堆栈高度达到162层，采用了铠侠cua架构，同时还提升了平面密度。
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