三星计划2021年量产DDR5内存，最高频率可以达到6400 MT/s
近日三星宣布，他们将在2021年正式开始量产ddr5内存，并且使用euv工艺，制作将会在韩国平泽的新工厂进行。
euv光刻和现在常用的duv光刻不同，它使用波长短得多的极紫外光，这就让更精细的光刻成为可能，允许制作更小的晶体管，提升工艺水平，并提升生产效率；三星预计，使用euv工艺生产ddr5内存，其12英寸d1a晶圆的生产效率会比旧有的d1x工艺的生产力提升一倍，让产能不再是问题。
此外，三星还宣布第一批采用euv工艺的ddr4内存已经出货了100万了，而旗下第四代10nm级（d1a）dram或高端14nm级dram在未来也会全面导入euv技术，明年会使用d1a工艺大规模量产ddr5和lpddr5芯片，预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍。
ddr5内存的标准是在2019年发布的，标准带宽是32 gbps，此前micron则展示了一个ddr5 dram的原型，这块ddr5演示模型速率达到了4400 mt/s，根据jedec组织的roadmap显示，未来ddr5内存的最高频率可以达到6400 mt/s。
根据英特尔和amd的路线图，各自下一代服务器产品ice lake-sp xeon和epyc milan（zen3）还都是只支持ddr4内存了，在往后的sapphire rapids xeon和epyc genova才会获得对ddr5内存的支持，但全都要道2021年以后。至于民用消费级平台何时能够普及ddr5，那是更有的等了。
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