烽火通信将在未来阶段继续推动抗弯OM3光纤产品的应用
目前互联网正在高速发展，预计五年内年增长率接近20%。ai智能化、深度学习、高速云计算等大数据交换业务使大型数据中心大量涌现，数据中心的流量交换已经远超zb级别，配套光纤制造技术也随之发展壮大。光纤产品不断更新换代，促进光通信产业快速升级，以满足更高速率、更高带宽的网络建设需求。
数据中心内部设备数量庞大，彼此之间由光缆连接。光纤在设备之间传递信号，是数据中心的“神经”。因传播距离远（传输设备间无中继距离可达到几十公里乃至上百公里）、容量大，单模光纤是光纤家族的主流产品，应用占90%以上。但数据中心设备之间的连接距离一般在数米到数百米之间，单模光纤不但无法发挥传输距离远的优势，而且配套器件成本相对较高。万兆多模光纤在10gb/s甚至更高速率的短距离应用场景下传输水平不逊于单模光纤系统，配套器件和辅件成本较低，因此在数据中心内部设备连接中优势明显，应用前景十分明朗。
多模光纤芯径尺寸较大，多种模式的光信号在光纤内传导，而多种模式之间的模间色散会限制光纤通信传输距离，使之最长距离不超过600米。按照国际标准分类，万兆多模光纤可以分为om3-150,om3-300和om3-550(即om4)三种主要类型，分别代表10gb以太网传输距离达到150米，300米和550米。为了保证光纤传输质量，多模光纤的模式带宽不得低于1500mhz·km@850nm，有效带宽不得低于950mhz·km@850nm。
光纤由芯层和包层组成，折射率较高的芯层是光信号传输的区域，而较低折射率的包层保证光在芯层中形成全反射。在光纤弯曲的情况下，芯层包层之间的全反射条件不再满足，导致光信号功率泄露至光纤包层中，产生严重的信号衰减。由于万兆多模光纤应用于数据机房室内的设备连接，部分线路弯折较多且弯曲半径较小，因此需要光纤在较小的弯曲半径下仍然能够保证传输性能，即具备弯曲不敏感特性。万兆多模光纤的弯曲不敏感特性研究始于g.657 弯曲不敏感单模光纤的光学特性分析，因此也类似g.657光纤在芯层和包层之间的位置添加一个类似“沟槽”的低折射率区域，使光波导在极小弯曲半径下也能将光功率限制在芯区中不泄露。“沟槽”结构的几何尺寸和相对折射率差，对不同弯曲半径条件响应程度不同，制造这一个低折射率区域需要通过设计和工艺来实现。最大程度地使“沟槽”变深，并合理扩宽其“宽度”，可以有效提升光纤抗弯性能。
目前抗弯多模光纤主要采用pcvd工艺结合高浓度氟掺杂来实现上述技术特性。pcvd工艺采用微波激发原料，可以在制造过程中提高氟元素在石英中的溶解度，制造出预制棒”沟槽”的深度远优于其他制棒技术。同时pcvd工艺采用逐层沉积方式，工艺全过程历经上万次沉积，每层厚度在微米级别，因此非常适合制造折射率结构精细，对模式带宽要求高的万兆多模光纤。
烽火通信在具有自主知识产权的第四代和第五代pcvd光纤预制棒系统基础上，从设备、制造、品质和服务四个角度进行深度开发，成功研制出弯曲不敏感型的万兆多模光纤（以下简称抗弯om3光纤）。产品已经用于百度数据中心项目中，打破了某国际巨头独家供货的垄断局面。经测试，烽火抗弯om3光纤制成的mpo光缆插损值较低，和该巨头光纤水平相当；弯曲损耗方面还略胜一筹。未来阶段，烽火通信还将继续推动抗弯om3光纤产品的应用，广泛联合互联网厂商在数据中心发掘多模光纤更大的潜力。
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多模光纤芯径尺寸较大，多种模式的光信号在光纤内传导，而多种模式之间的模间色散会限制光纤通信传输距离，使之最长距离不超过600米。按照国际标准分类，万兆多模光纤可以分为om3-150,om3-300和om3-550(即om4)三种主要类型，分别代表10gb以太网传输距离达到150米，300米和550米。为了保证光纤传输质量，多模光纤的模式带宽不得低于1500mhz·km@850nm，有效带宽不得低于950mhz·km@850nm。
光纤由芯层和包层组成，折射率较高的芯层是光信号传输的区域，而较低折射率的包层保证光在芯层中形成全反射。在光纤弯曲的情况下，芯层包层之间的全反射条件不再满足，导致光信号功率泄露至光纤包层中，产生严重的信号衰减。由于万兆多模光纤应用于数据机房室内的设备连接，部分线路弯折较多且弯曲半径较小，因此需要光纤在较小的弯曲半径下仍然能够保证传输性能，即具备弯曲不敏感特性。万兆多模光纤的弯曲不敏感特性研究始于g.657 弯曲不敏感单模光纤的光学特性分析，因此也类似g.657光纤在芯层和包层之间的位置添加一个类似“沟槽”的低折射率区域，使光波导在极小弯曲半径下也能将光功率限制在芯区中不泄露。“沟槽”结构的几何尺寸和相对折射率差，对不同弯曲半径条件响应程度不同，制造这一个低折射率区域需要通过设计和工艺来实现。最大程度地使“沟槽”变深，并合理扩宽其“宽度”，可以有效提升光纤抗弯性能。
目前抗弯多模光纤主要采用pcvd工艺结合高浓度氟掺杂来实现上述技术特性。pcvd工艺采用微波激发原料，可以在制造过程中提高氟元素在石英中的溶解度，制造出预制棒”沟槽”的深度远优于其他制棒技术。同时pcvd工艺采用逐层沉积方式，工艺全过程历经上万次沉积，每层厚度在微米级别，因此非常适合制造折射率结构精细，对模式带宽要求高的万兆多模光纤。
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